STM32F4的外部晶振不同带来的改变

这个我话题我以前写过一个文章：

STM32F4的system_stm32f4xx.c文件需要根据不同板卡进行修改

不过写的不够细致。

现在有必要细细写一下：

（1）stm32f4xx.h里面的

（2）

system_stm32f4xx.c

外部内存的FSMC也要改（改了肯定OK，不改行不行我不大清楚）（后来试验了，下面这句不改也可以）

readWriteTiming.FSMC_CLKDivision = 0x04;改为 writeTiming.FSMC_CLKDivision = 0x00;

 

就是说经过上面两处改动，系统时钟仍然是168M，如下：

#if defined(STM32F40_41xxx)
  uint32_t SystemCoreClock = 168000000;
#endif /* STM32F40_41xxx */

其实这个链接早就做了回答：

将外部晶振8M改为25M,程序应该怎样修改？

 

另外这个链接  http://www.icfans.com/question/199168724392087552

说还要改

修改STM32F407工程的Options设置

在Option for target"Flash"窗口中，选择Target页面，修改STMicroelectronics STM32F407VG栏中Xtal(MHz)的值为25.0

这个链接STM32晶振8M改12M方法说出了  修改Options设置的原因。

这个链接STM32使用非8M晶振时如何修改代码 也说出了修改Options设置的原因。和上面链接原因一样，就是影响调试的观察值。

 

那么  25M好 还是8M好呢？

这个链接有讨论：

STM32F429的外部晶振用8M和25M两种有什么区别？

 

 

另外感觉 ST早期的例子用的是8M，后期的例子用的是25M