MOS管的高端驱动和低端驱动

MOS管的高端驱动和低端驱动

  • 低端驱动:MOS管相对于负载在电势的低端,其中D通过负载接电源,S直接接地。对于NMOS,只有当Vgs大于开启电压时,MOS管才能导通。所以当未导通时,S处于一个不能确定的电位。若让Vgs大于开启电压,则DS导通,S确定为地电位,此时仍可以保证Vgs大于开启电压,保持DS导通。

    而对于PMOS,只有到Vgs小于一个值,MOS才能导通。此时S处于一个不确定的电位。若让Vgs小于开启电压,即使导通了,S确定下降到地电位,就不能保证Vgs小于开启电压。
  • 高端驱动:MOS管相对于负载在电势的高端,其中D直接连接电源,S通过负载接地。对于NMOS,只有当Vgs大于开启电压时,MOS管才能导通。所以当未导通时,S处于一个不能确定的电位。即使让Vgs大于开启电压,DS导通后,DS电位相等,同为电源电位,除非G极电位比电源电位还高,则不能保持导通状态。

    而对于PMOS,只有到Vgs小于一个值,MOS才能导通。此时S处于一个不确定的电位。若让Vgs小于开启电压,使DS导通,DS同为电源电位,还是能保持Vgs小于开启电压,是MOS保持导通状态。
  • 由上可知,PMOS适合作为高端驱动,NMOS适合作为低端驱动。但是由于工艺等各方面的原因。在大电流情况下,通常仍把NMOS作为高端驱动。于是,为了保证高端驱动的NMOS的Vgs保持大于开启电压。我们会使用半桥驱动芯片。半桥驱动芯片把高端驱动的NMOS的S极作为参考地,输出一个恒定的开启电压,来控制MOS的导通。

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