海思hi3536 RTC 数据手册

1.1 RTC 芯片分类
常见的 RTC 芯片，大致可分为三类：
非集成 RTC：只有 RTC 计时电路，不集成晶体、不集成温度补偿电路。这类芯片的计时精度主要取决于外接晶体的精度，而且受温度影响较大。通常在室温环境下，计时精度较高；随着温度升高或降低，计时偏差逐渐增大。
集成晶体的 RTC：将 RTC 计时电路与晶体集成，但没有温度补偿电路。这类芯片在室温环境下，计时精度更高。但仍然无法消除温度的影响。
集成 RTC：将 RTC 计时电路、晶体、温度补偿电路（含温度传感器）都集成在一颗芯片中，出厂时进行调教。这类 RTC 的计时精度可以做到很高，且由于温补电路的作用，受环境温度的影响很小

1.2 RTC 工作模式
内置 RTC 可支持固定分频模式：
与非集成 RTC 相同，内置 RTC 的时钟直接采用外部晶体与振荡电路产生的经过分频后的时钟，工作时分频比固定不变。这种工作模式下，RTC 计时精度取决于外接晶体的频率精度，而且受环境温度影响。在非集成 RTC 这类芯片适用的场景，可以选择内置RTC 替代外置非集成 RTC，节省一些器件成本。
Hi3536 RTC 无内置温度补偿电路，只支持工作在固定分频模式，若 RTC 时钟的频偏较大，可通过调节 RTC 的分频系数来微调 RTC 的时钟频率。对计时精度有严格要求的客户，建议选择集成晶体的 RTC，或者带有温度补偿的 RTC。

2.1 硬件参考电路
RTC 的硬件参考电路如图 2-1 所示，主要涉及晶体和电容的选择。
图2-1 RTC 晶体的硬件参考电路

 

2.2 选择晶体
选择晶体需要注意以下几个指标：
标准负载电容（Load capacitance/CL）晶体的标准负载电容，晶体对负载电容有着严格的规定，只有实际负载电容和晶体的SPEC中的负载电容一致时，晶体频率才能达到标称率。
芯片中的晶体振荡电路针对 CL=12.5pF 的晶体设计，且在 32.768K 晶体市场中，CL=12.5pF 的晶体为市场主流，请选用此规格晶体。如果想选用其他规格的晶体，需要按照影响 RTC 精度的因素选择匹配电容。
串联电阻（Series resistance/Rs/ESR）：晶体的谐振腔等效串联电阻，当 ESR 越大，表示晶体越难以驱动。晶体规格中会指出 Rs 的典型值与最大值。芯片晶体振荡电路适用于 Rs 最大值<70KΩ 的晶体，保证 RTC_XOUT 的电压幅度大于或等于 850mV，请选用满足此规格的晶体。
最大驱动级别（Max Drive Level/DL）：表示晶体最大的振荡幅度，当振荡幅度超过一定幅度时，晶体容易发生损坏。
晶体选型约束，如表 2-1 所示。