FET简单介绍

        FET为场效应晶体管，通常我们所说的晶体管是指双极性晶体管（三极管）。
        虽然同样是晶体管，但是与三级管的工作原理却完全不同。首先FET是一个压控型器件，这也就导致了一个FET的特性，若FET在开通后不施加关断信号，则FET会保持永远导通（理想情况下），这是因为MOS的栅电容具有电荷存储效应，若G极悬空，则电容无法放电，G极和S极，D极之间可视为绝缘，从而导致电容无法放电，保持MOS的持续导通，现实情况中因为该电容存在漏电的情况，不会出现一直导通，但会看到很明显的持续导通一段时间的效应，而三极管则是电流控制型器件，不存在这种情况。其次是FET又分为MOSFET和JFET，但无论是哪种FET输入阻抗都可以视为无穷大，原因如下：

        JFET在工作的时候PN结二极管处于反向截止的状态，在这种状况下，输入阻抗接近正无穷；MOS的栅极与沟道之间是存在绝缘膜的，电流的流动更加苦难，所以在FET用作放大电路的时候，输入电流几乎为0，不予考虑。

那么现在来详细介绍一下JFET：

        JFET全称结型场效应管（笔者从网上随便嫖了一张图，大家且看无妨）。这是一张N沟道的JFET的传输特性图，当栅源电压Vgs=0时，留过漏极和源极的电流此时是最大的。注意，三极管的工作状态是Vbe>0，但是N沟的工作状态是Vgs<0才能工作~如果这点没有区分清楚，那么JFET将不能正常工作，而电流最大值叫做漏极饱和电流即Idss，这个参数在JFET的数据手册中就能见到，这个数据也是JFET作为恒流源时的数据。JFET的恒流源比三极管恒流源更简单，只需将G,S极短路连接，流过漏源之间的电流永远为漏极饱和电流。同样，JFET的Idss也可以用来限制电流，若JFET未损坏，则能流过JFET的最大电流就是漏极饱和电流Idss。但注意，JFET的Idss具有分散性，即Idss的变化范围为1mA到数十mA，就算是同一型号的其变化也极大，通常会分为Y,GR,BL等3档。Y：1.2~3.0mA  GR：2.6~6.5mA   BL：6~14mA

        该曲线与横轴的交点电压，称作JFET的夹断电压，这也应和了我们上面说JFET的阻抗为无穷大的原因。夹断电压为负，PN结反向偏置。总的放大倍数为跨导gm，三极管中以hfe衡量放大电压的能力，β来衡量放大电流的能力，JFET则以跨导gm来表示放大电压的能力。

其次来看一下MOS：

        MOS可以分为耗尽型和增强型，每种类型又包含M沟道和P沟道，注意MOS的电路符号中的箭头不是代表电流流通的方向，而是代表体二极管的方向，表示PN结的极性。

        耗尽型MOS的特性与耗尽型的JFET特性稍有不同，即对于N沟器件即使Vgs为正的时候，Id仍在持续流动不会像JFET一样停止流动，且Idss不是漏-源间所流过的最大电流，MOS的Idss只是代表Vgs等于0的时候漏极电流Id的值。（Vgs为正或为负都可以工作）。

        增强型的N沟MOS（本文中统一叙述N沟型，方便对比，P沟型原理相同，大家可以自己推导）只能工作在Vgs大于0的时候，当Vgs的电压小于0就会截止，对于MOS来说，无论是增强型还是耗尽型的，Vgs都是与漏极电流成正比的，不具有电流限制的作用。除非你把它烧了：）