模拟电子电路（上）

书名：模拟电子电路基础

作者：胡飞跃　[主编]

　　    刘圆圆　游彬　顾梅园　[编著]

时间：2016.12月第三次印刷

 

 

第一章　模拟电子电路导论

1.1信号与电子系统

信号

• 时域信号、频域信号

信号频谱

• 描述信号、傅里叶变换

模拟信号与数字信号

电子系统

1.2放大器基本概念及其线性应用

放大器的符号

• 电压增益    Av    20lg|Av|dB
• 电流增益    Ai     20lg|Ai |dB
• 功率增益    Ap    10lg|Ap|dB

放大器的主要参数

• 增益
  • 电压增益
  • 电流增益
  • 互阻增益
  • 互导增益
• 输入电阻Ri
• 输出电阻Ro

1.3放大器的频率响应

带宽

通频带BW

第二章　理想运算放大器及其线性应用

 差模信号与共模信号

电压型运放：放大差模信号，抑制共模信号

实际运放：

• 差模开环增益：100dB以上
• 共模抑制比：100dB以上
• 输入阻抗高：MΩ及以上
• 输出阻抗低：Ω级别
• 带宽较低
• 失调和漂移低

2.1集成运放理想模型与分析方法

特点：

• 无限大差模开环增益
• 无限大共模抑制比
• 无限大输入阻抗
• 零输出阻抗
• 无限大带宽
• 零失调与零漂移
• 

   

2.2集成运放线性基本运算电路

虚短、虚断

 

反相组态

• 增益
• 输入电阻
• 输出电阻
• 反相组态改进电路

同相组态

• 增益
• 输入电阻
• 输出电阻

电压跟随器

2.3运放的其他应用电路

求和电路

• 反相求和
• 同相求和

求差电路

仪用运算放大器

• 三运放电路
• 差分放大器
• 高共模抑制比
• 高输入阻抗
• 低噪声
• 低线性误差
• 低失调漂移

积分电路

• 方波到三角波的转换

微分电路

• 矩形波到尖顶脉冲波的转换

2.4非理想运放的工作性能

增益与带宽

运放的大信号参数 

• 输出饱和电压
• 输出电流限制
• 摆率与全功率带宽
  • 　　SR=2πf_mV_{op max}
    • f_m为全功率带宽，V_{op max}是放大后输出最大峰值

运放的直流参数

• 失调电压
  • 　　
• 失调电流

第三章　晶体二极管及其基本应用

3.1半导体基础知识

本征半导体

载流子的运动方式及形成的电流

杂质半导体

3.2PN结及其特性

PN结的形成

• 达到动态平衡

PN结的基本特性

• 正向导通反相截至

PN结的反向击穿现象

PN结的电容特性

• 势垒电容
• 扩散电容

3.3晶体二极管

PN结的伏安特性

二极管的主要参数

• 最大正向电流
• 反向击穿电压
• 反向电流
• 极间电容

3.4晶体二极管应用电路及其分析方法

常规二极管的建模

• 数学模型
• 曲线模型
• 理想二极管模型
• 恒压降模型
• 折线模型
• 交流小信号模型

图解分析法

齐纳二极管的建模

二极管应用电路分析

• 限幅电路
• 逻辑电路
• 稳压电路

3.5特殊晶体二极管

肖特基二极管

发光二极管

变容二极管

第四章　场效应管

4.1MOSFET结构及工作原理

N沟道EMOSFET器件结构

N沟道EMOSFET工作原理

• 截至区与沟道的产生
• 变阻区的形成
• 饱和区的形成
• 沟道长度调制效应

N沟道EMOSFET特性

• 电路符号
• 伏安特性
  • 变阻区
  • 饱和区
  • 截至区

P沟道EMOSFET特性

耗尽型MOSFET

互补MOS或CMOS

衬底效应

4.2结型场效应管

结型场效应管的结构

工作原理

• vgs对id的影响
• vds对id的影响

特征曲线与特征方程

• 变阻区
• 饱和区
• 截至区
• 击穿区

4.3场效应管电路直流偏置

工作点

各种常用偏置电路

• 固定偏置电路
• 分压偏置电路

直流分析与交流分析分离

场效应管直流电路分析

4.4场效应管放大电路分析

场效应管小信号模型

放大电路的性能指标

放大器的三种组态

• 共源极
• 共漏极
• 共栅极

共源放大器

接源极电阻的共源放大器

共栅放大器

共漏放大器或源极跟随器

三种组态放大器的比较

 

 

v、

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