关于STM32F429ZIT6的IAP固件升级，基于HAL库FLASH擦除读写失败的问题以及解决方案。

因为项目需要使用IAP进行固件更新，于是我的芯片FLASH需要划分为四段：

1. 一段Boot loader 用以判断上电后进入哪一段APP
2. APP1程序
3. APP2程序
4. 配置文件ID_card

因为程序更新采用的是末尾淘汰，即进入程序后，判断APP1.2哪一个是完整的，在完整的同时判断那一段APP版本更加高就运行哪一段APP。所以我需要一段保存配置，用来记录APP1和APP2的数据信息，即程序APP的ID_card。那么除去APP的擦写不说，对于配置文件，也需要进行频繁的FLASH擦写操作。

我使用的单片机是STM32F429ZIT6，于是我去查看了429的FLASH区域介绍。

大家可以看到， STM32F4系列和F1,F3的FLASH划分不同。我们都知道F1系列的FLASH划分是从0x0800 0000地址开始，对于小容量的进行1kb一页，对于大容量的2kb一页进行划分的。而在F4中进行了升级，以我使用的STM32F429ZIT6为例，2M大小按照容量先进行了块1和块2划分，即程序中经常看到的关键字Bank1和Bank2。在每个Bank中，又以扇区划分为16kb的扇区4个，64kb扇区1个，128kb扇区7个，共计大小1M。

理论如上，说干就干。于是用STM32CubeMX生成驱动，配置时间树，调试串口打印……
一系列猛如虎的操作过后。程序写好了如下图所示。

以上是main.h中的声明，以及我对程序位置的一些把控。可以看到我把ID_card的位置放在了块1的扇区2位置。因为单片机运行以后都是从0x0800 0000位置开始，所以前两页32kb大小用来存放Bootloader。紧跟着扇区2位置即0x0800 8000位置的一个扇区用来存放ID_card配置信息。

这是程序初始化后进入的demo循环读写测试程序。流程如下：

1. 解锁FLASH
2. 清除一系列标志位，这一条可以不要，但是为了确保成功以及排除一切障碍，手动将他全部清除，加大代码的安全性。
3. 配置擦除FLASH的结构体包括擦除的方式，擦除的地址，擦除的大小，擦除的电压。
4. 执行HAL_FLASHx_Erase函数进行擦除。
5. 执行HAL_FLASH_Program对擦除区域写入新的数值。
6. 打印判断是否成功。
7. FLASH上锁。

这里说一下，我在之前有对指针变量赋值地址，如图：

即将ID_card的指针地址指向0x0800 8000的位置。

另外说一下，不建议大家循环擦写FLASH，因为FLASH是有擦除次数限制的，在循环中擦FLASH会导致FLASH到达上限后无法擦除，读没有限制。擦除结构体中VoltageRange参数是可以配置擦除电压，从而影响擦除的大小是多少，这里采用32bit一擦。不建议采用64bit擦除，虽然速度会快但是影响芯片FLASH寿命。
当然以上都是我的逼逼赖赖，我自己也循环擦了，当然这只是demo测试用法。

好，一切准备就绪，开始大刀阔斧的跑程序了，看了黄历今天适合代码测试，如果我运气足够好，我马上就可以下班了。然而，，，我裂开了。

什么情况？？？除了上电第一次按照我的逻辑正常写入以外，第二次就跑飞了。尼玛！！！STM32你已经是一个成熟的芯片了，要学会看懂开发者的意思，自己跑起来。不要让我加班和掉头发。

好，口嗨过后，冷静思考。
我们都知道STM32的FLASH数据分布是没有数据默认全都是1。即擦除以后，应该所有位都是1。我按照4字节一个数据，那么擦除后应该是32位1即0xFFFFFFFF才对。写入数据说明有的位置变为0了。而从第一次擦除我们可以看的到全都是1，写入数据之前是没有问题。这说明我们的写入数据的函数是没有问题的，而且第一次写入之前也进行了擦除，而数据没有改变。是在我们写入了数据或者是现有数据的情况下擦除出现了错误，之后的打印数据全部改为了0，正常的擦除应该是1所以可以断定是擦除函数有问题。

于是开始大量掉发，疯狂找资料。参考了野火和原子的标准库例程，发现读写没有问题。参考了ST的HAL库例程也没有问题。发现他们都用了一个GetSector获取地址所在扇区的函数。而这个函数的调用是直接获取函数擦除的位置。根据一步步goto，goto，goto后。我终于找到了问题所在。

F4的擦除函数不同于F1和F3的擦除函数，虽然名字和结构体在hal库中仍然一样。但是F4中的起始地址，已经改为扇区的宏定义了。而我的这些代码，均是从我之前项目F373的程序中移植过来的。在373和103中，他的擦除页面起始位置均是地址。而我直接移植后没有因为名字没有变化所以我仍然以为是地址。而实际上应该是扇区的扇区码，在相关宏定义中可以找到。

修改过后的程序如下所示：

调用以后发现：

AMAZING！！！成功完成擦读写的操作后。我感觉自己已经站在人生巅峰并且那是一个举止从容，行云流水，一顿操作猛如虎，一路火花带闪电，狂拽酷炫吊炸天，我就是那个站在宇宙巅峰的男人啊。

又是一段口嗨以后插一段简短的总结：

• 在STM32中对FLASH的操作可以分为三种：擦，读，写。其中擦和写需要解锁FLASH，同时用完后需要上锁FLASH。
• 每当要写数据之前，一定要执行擦除这个页面。同时，F4中擦除页面最小也是16kb一擦，所以注意一定要确保扇区没有任何程序以及数据，实在不行，先全部读取出来，擦除后再整体写入。当然这有一定的代码风险（读取后，在擦除时断电，会导致在读取在ROM里的数据全部丢失）
• 这里以429ZI为例，在读写其他芯片FLASH的时候，也需要对FLASH的存储空间分布进行了解，最起码F1和F4的就有很大不同。

最后特别感谢@ tyustli 朋友给我的一些提示和帮助。

然后看了一下表，卧槽25点01分了，赶紧下班。回头瞟了一眼我桌子上那些黑色的头发，我知道那是我逝去的青春。