DRAM的动态刷新问题总结

直接看一个问题：

一个1K x 4位的DRAM芯片，若其内部结构排列成64 x 64形式，且存取周期为0.1us。
1）若采用分散刷新和集中刷新相结合的方式，即用异步刷新的方法，刷新的信号周期应取多少？
2）若采用集中刷新，则对该存储芯片刷新一遍需要多少时间？死时间率是多少？

这种问题问的都是很直接的，前提要理解这些刷新的工作原理。

对于1）异步刷新，我们只需要计算一个时间间隔即可，这个时间间隔就是：在2ms内，每一行都要刷新到。即为： 2ms/64=31.25us 。

对于2）集中刷新，一行一行刷新，每一次死时间都是64行刷新所用的时间，这里刷新一行用时是0.1us，所以一次集中刷新用时 0.1∗64=6.4us .同样，多久进行一次集中刷新？仍然是在信息还没掉之前，也即： 2ms内 。
那么， 死时间率=6.4us/2ms=0.32% .

以上。