转【Nucleo心得】+ STM32L系列单片机内部EEPROM的读写

STM32L系列单片机内部提供了EEPROM存储区域,但实质上,其FLASH也是EEPROM类型,只不过有一块区域被开放出来专门用作EEPROM操作而已。STM32L的EEPROM使用寿命设计为100000次擦写以上,容量为2K-4K,这对于一般设备的参数存储来说是非常理想的。但从EEPROM使用方式看,其不适用于被反复修改的数据存储使用,一般作为配置参数,其修改次数往往是比较少量的。

STM32L的EEPROM和FLASH是统一编址,操作共用同一个读写电路,所以在EEPROM读写的时候STM32L核对于FLASH的一切访问和操作都将暂停,只有当EEPROM的操作完成后,才继续执行后续代码,在这期间只有EEPROM的读写电路工作,CPU处于挂起状态。

读操作,和FLASH以及内存一样,EEPROM的数据读取直接用总线读周期读出即可,不需要进行额外操作和设置。

define EEPROM_BASE_ADDR 0x08080000

define EEPROM_BYTE_SIZE 0x0FFF 以上定义EEPROM区的起始位置和大小,给定偏移量之后,可以按字节/半字/字/双字方式读出,但要注意的是最好偏移地址都按四字节对齐,以免产生总线访问错误或是取不正确:

/*————————————————————
Func: EEPROM数据按字节读出
Note:
————————————————————-*/
void EEPROM_ReadBytes(uint16 Addr,uint8 *Buffer,uint16 Length)
{
uint8 *wAddr;
wAddr=(uint8 *)(EEPROM_BASE_ADDR+Addr);
while(Length–){
*Buffer++=*wAddr++;
}
}
/*————————————————————
Func: EEPROM数据读出
Note:
————————————————————-*/
void EEPROM_ReadWords(uint16 Addr,uint16 *Buffer,uint16 Length)
{
uint32 *wAddr;
wAddr=(uint32 *)(EEPROM_BASE_ADDR+Addr);
while(Length–){
*Buffer++=*wAddr++;
}
}

以上方法使用字节和字方式读出,在后面方法中,在一个字的存储空间内只使用了16个位,另16位不用,这样以避免产生对齐问题。 
EEPROM的编程比读操作要复杂的多,本质上来说,擦除操作和写入操作是一样的,擦除只是在相应的地方写入0x00000000,但在STM32L的实现上,根据其手册说明貌似把这种擦除和写入区分开了,当写入0x00或0x0000或0x00000000时,自动执行一次擦除操作,在值为非0时,才执行一次所谓的写入操作。数据的写入过程先要对EEPROM进行解锁,这通过对特殊寄存器写入特殊序列实现,然后在写入之前进行擦除操作,其擦除是按字/ 双字/页进行的,推荐使用页擦除方式进行,先把参数读到内存,并修改,再进行页擦除,最后将参数写回,这种方式比较通用,否则很容易出现地址对齐或长度问题。在数据擦除完成之后,即可进行写入,每写一字节/半字/双字,都需要判断其是否写入完成,这和内部高压擦写电路有关,只有在上次操作完成之后再进行其它操作才有意义。最后,对EEPROM进行加锁,以保护数据。



下是手册给出的解锁命令码:

define PEKEY1 0x89ABCDEF //FLASH_PEKEYR

define PEKEY2 0x02030405 //FLASH_PEKEYR 以下分别实现按字节和字方式写入:

/*————————————————————
Func: EEPROM数据按字节写入
Note:
————————————————————-*/
void EEPROM_WriteBytes(uint16 Addr,uint8 *Buffer,uint16 Length)
{
uint8 *wAddr;
wAddr=(uint8 *)(EEPROM_BASE_ADDR+Addr);
DIS_INT
FLASH->PEKEYR=PEKEY1; //unlock
FLASH->PEKEYR=PEKEY2;
while(FLASH->PECR&FLASH_PECR_PELOCK);
FLASH->PECR|=FLASH_PECR_FTDW; //not fast write
while(Length–){
*wAddr++=*Buffer++;
while(FLASH->SR&FLASH_SR_BSY);
}
FLASH->PECR|=FLASH_PECR_PELOCK;
EN_INT
}
/*————————————————————
Func: EEPROM数据按字写入
Note: 字当半字用
————————————————————-*/
void EEPROM_WriteWords(uint16 Addr,uint16 *Buffer,uint16 Length)
{
uint32 *wAddr;
wAddr=(uint32 *)(EEPROM_BASE_ADDR+Addr);
DIS_INT
FLASH->PEKEYR=PEKEY1; //unlock
FLASH->PEKEYR=PEKEY2;
while(FLASH->PECR&FLASH_PECR_PELOCK);
FLASH->PECR|=FLASH_PECR_FTDW; //not fast write
while(Length–){
*wAddr++=*Buffer++;
while(FLASH->SR&FLASH_SR_BSY);
}
FLASH->PECR|=FLASH_PECR_PELOCK;
EN_INT
} 以上代码中,在写入数据之前先关闭系统中断DIS_INT,写入完成之后打开系统中断EN_INT,这样避免在执行写操作的过程中被中断过程所打断,引起CPU异常或锁死,在在使用中一定要注意。在MDK环境中,两个可以这样定义:

define EN_INT __enable_irq(); //系统开全局中断

define DIS_INT __disable_irq(); //系统关全局中断

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