ARM SDRAM初始化
用两片16位SDRAM组成32位宽度的SDRAM
SDRAM接与bank6所以访问地址范围为0x30000000~0x3fffffff
eclipse裸机环境调试，源码就不上传了麻烦
SDRAM相关寄存器介绍：
1.BWSCON位宽和等待控制寄存器
BWSCON：对应BANK0-BANK7，每BANK使用4位。这4位分别表示:
a．STx：启动/禁止SDRAM的数据掩码引脚，对SDRAM，此位为0；对SRAM，此位为1
b．WSx：是否使用存储器的WAIT信号，通常设为0
c．DWx：使用两位来设置存储器的位宽：00-8位，01-16位，10-32位，11-保留。
d．比较特殊的是BANK0对应的4位，它们由硬件跳线决定，只读。
e．对于本开发板，使用两片容量为32Mbyte、位宽为16的SDRAM组成容量为64Mbyte、
位宽为32的存储器，所以其BWSCON相应位为：0010。对于本开发板，BWSCON可设为
0x22111110：其实我们只需要将BANK6对应的4位设为0010即可，其它的是什么值没
什么影响，这个值是参考手册上给出的。
3．BANKCON6-BANKCON7：设为0x00018005
在8个BANK中，只有BANK6和BANK7可以使用SRAM或SDRAM，与BANKCON0-5有点不同：
a．MT([16:15])：用于设置本BANK外接的是SRAM还是SDRAM：SRAM-0b00，SDRAM-0b11
b．当MT=0b11时，还需要设置两个参数：
Trcd([3:2])：RAS to CAS delay，设为推荐值0b01
SCAN([1:0])：SDRAM的列地址位数，本开发板的SDRAM列地址位数为9，所以SCAN=0b01
4．REFRESH(SDRAM refresh control register)：
其中R_CNT用于控制SDRAM的刷新周期，占用REFRESH寄存器的[10:0]位，它的取值可
如下计算(SDRAM时钟频率就是HCLK)：
R_CNT = 2^11 + 1 – SDRAM时钟频率(MHz) * SDRAM刷新周期(uS)
在未使用PLL时，SDRAM时钟频率等于晶振频率12MHz；SDRAM的刷新周期在SDRAM的数
据手册上有标明，在本开发板使用的SDRAM HY57V561620CT-H的数据手册上，可看见
这么一行“8192 refresh cycles / 64ms”：所以，刷新周期=64ms/8192 = 7.8125 uS。
对于本实验，R_CNT = 2^11 + 1 – 12 * 7.8125 = 1955
REFRESH=0x008e0000 + 1955 = 0x008e07a3
5．BANKSIZE：0x000000b2
位[7]=1：Enable burst operation
位[5]=1：SDRAM power down mode enable
位[4]=1：SCLK is active only during the access (recommended)
位[2:1]=010 BANK6、BANK7对应的地址空间: 010-128M/128M, 001-64M/64M
6．MRSRB6、MRSRB7：0x00000030
能让我们修改的只有位[6:4](CL)，SDRAM HY57V561620CT-H不支持CL=1的情况，所以
位[6:4]取值为010(CL=2)或011(CL=3)
GUN汇编初始化
memsetup:
@ 设置存储控制器以便使用SDRAM等外设
mov r1, #MEM_CTL_BASE @ 存储控制器的13个寄存器的开始地址
adrl r2, mem_cfg_val @ 这13个值的起始存储地址
add r3, r1, #52 @ 13*4 = 54
1:
ldr r4, [r2], #4 @ 读取设置值，并让r2加4
str r4, [r1], #4 @ 将此值写入寄存器，并让r1加4
cmp r1, r3 @ 判断是否设置完所有13个寄存器
bne 1b @ 若没有写成，继续
mov pc, lr @ 返回
.align 4
mem_cfg_val:
@ 存储控制器13个寄存器的设置值
.long 0x22011110 @ BWSCON
.long 0x00000700 @ BANKCON0
.long 0x00000700 @ BANKCON1
.long 0x00000700 @ BANKCON2
.long 0x00000700 @ BANKCON3
.long 0x00000700 @ BANKCON4
.long 0x00000700 @ BANKCON5
.long 0x00018005 @ BANKCON6
.long 0x00018005 @ BANKCON7
.long 0x008C07A3 @ REFRESH
.long 0x000000B1 @ BANKSIZE
.long 0x00000030 @ MRSRB6
.long 0x00000030 @ MRSRB7
试用C语言初始化(调用之前需要设置好堆栈sp) ，了解位置无关码
/*
* 设置存储控制器以使用SDRAM
*/
void memsetup(void)
{
volatile unsigned long *p = (volatile unsigned long *)MEM_CTL_BASE;
/* 这个函数之所以这样赋值，而不是像前面的实验(比如mmu实验)那样将配置值
* 写在数组中，是因为要生成”位置无关的代码”，使得这个函数可以在被复制到
* SDRAM之前就可以在steppingstone中运行
*/
/* 存储控制器13个寄存器的值 */
p[0] = 0x22011110; //BWSCON
p[1] = 0x00000700; //BANKCON0
p[2] = 0x00000700; //BANKCON1
p[3] = 0x00000700; //BANKCON2
p[4] = 0x00000700; //BANKCON3
p[5] = 0x00000700; //BANKCON4
p[6] = 0x00000700; //BANKCON5
p[7] = 0x00018005; //BANKCON6
p[8] = 0x00018005; //BANKCON7
/* REFRESH,
* HCLK=12MHz: 0x008C07A3,
* HCLK=100MHz: 0x008C04F4
*/
p[9] = 0x008C04F4;
p[10] = 0x000000B1; //BANKSIZE
p[11] = 0x00000030; //MRSRB6
p[12] = 0x00000030; //MRSRB7
}
初始化结束后就可以将前4K的内容搬运到SDRAM中运行
copy_steppingstone_to_sdram:
@ 将Steppingstone的4K数据全部复制到SDRAM中去
@ Steppingstone起始地址为0x00000000，SDRAM中起始地址为0x30000000
mov r1, #0
ldr r2, =SDRAM_BASE
mov r3, #4*1024
1:
ldr r4, [r1],#4 @ 从Steppingstone读取4字节的数据，并让源地址加4
str r4, [r2],#4 @ 将此4字节的数据复制到SDRAM中，并让目地地址加4
cmp r1, r3 @ 判断是否完成：源地址等于Steppingstone的未地址？
bne 1b @ 若没有复制完，继续
mov pc, lr @ 返回
void copy_steppingstone_to_sdram(void)
{
unsigned int *pdwSrc = (unsigned int *)0;
unsigned int *pdwDest = (unsigned int *)0x30000000;
while (pdwSrc < (unsigned int *)4096)
{
*pdwDest = *pdwSrc;
pdwDest++;
pdwSrc++;
}
}