STC 内部 EEPROM 重复写入时遇到的问题

STC89C52RC 是很多开发板使用的一个型号，这些开发板除了附带 ${\mathrm{I}}^2\mathrm{C}$ 接口的 AT24C02 ${\mathrm{E}}^2\mathrm{P}\mathrm{R}\mathrm{O}\mathrm{M}$ 之外，其实芯片内部本身也附带了一个（模拟的）存储器，官方说是 ${\mathrm{E}}^2\mathrm{P}\mathrm{R}\mathrm{O}\mathrm{M}$ ，然而其实是用 Flash 模拟的，这就导致它的一些特性与普通 ${\mathrm{E}}^2\mathrm{P}\mathrm{R}\mathrm{O}\mathrm{M}$ 不同，无法使用常规方法读写。在阅读了这篇文章之后，我才真正了解到了如何正确地使用这个存储器。

首先我想要重复向某个地址写入，一般的想法就是直接写就可以了，但是调试了很多次，发现只有在第一次清除存储空间之后才能正确写入，其他时候读出的内容都与写入的不同。
原来这是因为内部的这一存储器，只能将 1 变成 0，而不能将 0 变成 1，所以它只能越写越小，重复写入时只能将原来是 1 的位变成 0，而无法正确地将整个字节写入。同时又因为此，我们不能向它直接写入 0xFF，而是需要首先使用 ERASE 命令，将整个扇区的内容擦除为 0xFF 再写入。如果有关键数据的话，就需要首先读取到 RAM 中，再写入。

所以编程时如果需要修改某一数据重新存取，就要首先将需要的数据全部读取到一个数组中，然后使用 ERASE 函数将这一数据所在扇区全部清空（清空时的地址填写这一扇区内的任意地址均可），之后再将修改后的数据写入。