「MOS管知识汇总」分类、区分、寄生二极管、导通条件、开关电路、串联电阻、米勒效应

相关博客学习:

MOS管参数解读(热阻、输入输出电容及开关时间)


文章目录

    • 一、分类
    • 二、区分
    • 三、寄生二极管
    • 四、导通条件
    • 五、基本开关电路
    • 六、与三极管比较
    • 七、GS串联电阻
    • 八、G极串联电阻
    • 十、米勒效应
      • 1. 概述
      • 2. 产生原因

一、分类

场效应管分为结型(JFET)金属-氧化物-半导体型(MOSFET)两种类型,MOSFET应用广泛,结型管(JFET)几乎不用,MOSFET一般称MOS管。

MOSFET有增强型(EMOS)和耗尽型(DMOS)两大类,增强型和耗尽型每一类下面都有NMOS和PMOS。一般主板上使用最多的是增强型的MOS管,NMOS最多,一般用在信号控制方面;其次是PMOS,PMOS用在电源开关等方面,耗尽型几乎不用。

「MOS管知识汇总」分类、区分、寄生二极管、导通条件、开关电路、串联电阻、米勒效应_第1张图片

场效应管分类

二、区分

箭头指向G极的为NMOS;箭头背向G极的为PMOS;
​​​​​​「MOS管知识汇总」分类、区分、寄生二极管、导通条件、开关电路、串联电阻、米勒效应_第2张图片

NMOS和PMOS区分

三、寄生二极管

寄生二极管有的也叫体二极管

NMOS寄生二极管由S极→D极,PMOS的寄生二极管由D极→S极。

寄生二极管和普通二极管一样,正接会导通,反接会截止。所以对于NMOS,当S极接正,D极接负,寄生二极管会导通,反之,截止;对于PMOS管,当D极接正,S极接负,寄生二极管导通,反之,截止。

当满足MOS管的导通条件时,MOS管的D极和S极会导通,因为MOS管的导通内阻极小,一般mΩ级别,1A级别的电流,也才mV级别,所以D极和S极之间的导通压降很小,不足以使寄生二极管导通,这点需要特别注意。

「MOS管知识汇总」分类、区分、寄生二极管、导通条件、开关电路、串联电阻、米勒效应_第3张图片

寄生二极管方向

四、导通条件

NMOS管导通条件:

V G − V S > V G S ( t h ) V_G-V_S>V_{GS(th)} VGVS>VGS(th),即G极和S极的压差大于一定值,MOS管会导通,但是也不能大太多,否则烧坏MOS管,开启电压和其他参数可以看具体器件的SPEC

PMOS管导通条件:

V S − V G > V S G ( t h ) V_S-V_G>V_{SG(th)} VSVG>VSG(th),即S极和G极的压差大于一定值,MOS管会导通,同样的,具体参数看器件的SPEC

五、基本开关电路

1. NMOS管开关电路

MOS管截止状态,OUT通过R1上拉到5V,OUT=5V;

当GPIO_CTRL电压大于MOS管开启电压时,MOS管导通,D极电压等于S极电压,OUT=0V;

「MOS管知识汇总」分类、区分、寄生二极管、导通条件、开关电路、串联电阻、米勒效应_第4张图片

NMOS基本开关电路

2. PMOS管开关电路

PMOS最常用在电源开关中,下图,当GPIO_CRTL=0V时,S和G极压差大于MOS管开启电压时,MOS管导通,5V_VOUT=5V_VIN;

「MOS管知识汇总」分类、区分、寄生二极管、导通条件、开关电路、串联电阻、米勒效应_第5张图片

PMOS基本开关电路

六、与三极管比较

  1. 三极管是电流控制,MOS管是电压控制,只容许从信号源取少量电流的情况下,选用MOS管;在信号电压较低,有容许从信号源取较多电流的条件下,选用三极管。
  2. MOS管是单极性器件(靠一种多数载流子导电),三极管是双极性器件(既有多数载流子,也要少数载流子导电)。
  3. 有些MOS管的源极和漏极可以互换运用,栅极也可正可负,灵活性比三极管好。
  4. MOS管应用普遍,可以在很小电流和很低电压下工作。
  5. MOS管输入阻抗大,低噪声。
  6. MOS管较贵,三极管的损耗大。
  7. MOS管常用来作为电源开关,以及大电流开关电路、高频高速电路中,三极管常用来数字电路开关控制。

七、GS串联电阻

  • MOS管的输入阻抗很大,容易受外界信号的干扰,只要少量的静电,就会使G-S极间的等效电容两端产生很高的电压,如果不及时把这些静电泄放掉,两端的高压就会使MOS管产生误动作,甚至有可能击穿G-S极;
  • 提供偏置电压。

八、G极串联电阻

  • 减缓 R d s R_{ds} Rds从无穷大到 R d s ( o n ) R_{ds}(on) Rds(on)
  • 防止震荡,一般单片机的I/O输出口都会带点杂散电感,在电压突变的情况下,可能与栅极电容形成LC震荡,串联电阻可以增大阻尼减小震荡效果;
  • 减小栅极充电峰值电流。

十、米勒效应

1. 概述

MOS管的米勒效应是由于MOS管内部的米勒电容导致的。

当对MOS管的G极加电压时,MOS管的开启和关闭其实是对GS之间的电容 C G S C_{GS} CGS进行充放电,当充电电压达到开启电压时,MOS管会导通;MOS导通之后, V D S V_{DS} VDS电压会下降, I D S I_{DS} IDS上升,此时MOS管趋近饱和,由于米勒效应, V G S V_{GS} VGS会持续一段时间不上升,这个不变的地方叫米勒平台,此时 I D S I_{DS} IDS已经达到最大, V D S V_{DS} VDS还在继续下降,等到米勒电容充满电, V G S V_{GS} VGS会继续升高,直到MOS管彻底导通, V D S V_{DS} VDS几乎为0。

可以看出,因为米勒电容的作用,使MOS管开启时间变慢,因为MOS管的开通是一个从无到有的过程,D极和S极交叠的区域变大,MOS管损耗变大。

「MOS管知识汇总」分类、区分、寄生二极管、导通条件、开关电路、串联电阻、米勒效应_第6张图片

米勒平台

2. 产生原因

我们知道在MOS导通前,D极电压大于G极电压,MOS管寄生电容Cgd储存的电量需要在其导通时注入G极与其中的电荷中和,因为MOS管完全导通后G极电压是大于D极电压的。

想了解更多关于米勒效应的内容,可以参考MOS管的米勒效应


永远相信美好的事情即将发生!作者记得诚,写于安徽合肥,时间2020-02-21 PM17:45

你可能感兴趣的:(#,电子元件)