内存条

 

内存外观区别很直接：

SDR：
两个缺口、单面84针脚、双面168针脚

DDR1：
一个缺口、单面92针脚、双面184针脚、左52右40、内存颗粒长方形

DDR2：
一个缺口、单面120针脚、双面240针脚、左64右56、内存颗粒正方形、电压1.8V

DDR3：
一个缺口、单面120针脚、双面240针脚、左72右48、内存颗粒正方形、电压1.5V

安装好CPU后，接下来就要开始安装内存条了。在安装内存条之前，可以在主板说明书上查阅主板可支持的内存类型、可以安装内存的插槽数据、支持的最大容量等等。虽然这些都是很简单的，但是你知道不同内存条是如何区分的吗？你知道EDO RAM内存为什么必须成对才能使用吗？你知道RDRAM内存插槽的空余位置为何要插满终结器才能使用吗？这些都是安装内存条所必须了解的。如果你还不知道，那么这篇文章就非常适合你。

　　一、从外观上识别内存

　　从计算机诞生开始，内存型态的发展真可谓千变万化。因此，下面先着重介绍内存的种类及其外观，好让大家对它们进行分辨，这也是大家在装机过程中必须了解的。从内存型态上看，常见的内存有：FPM RAM、EDO RAM、SDRAM、DDR RAM、Rambus DRAM，如图1所示。从外观上看，它们之间的差别主要在于长度和引脚的数量，以及引脚上对应的缺口。

　FPM RAM主要流行在286、386时代，当时使用的是30pin的FPM RAM内存，容量只有1MB或2MB。而在486时代，及少数586电脑也使用72pin的FPM RAM内存。EDO RAM主要应用在486、586时代，也有72pin和168pin之分。从外形上看，30pin的FPM RAM内存的长度最短，72pin的FPM RAM和EDO RAM内存的长度稍长一些，而168pin和EDO RAM内存与大家常见的SDRAM内存是基本一样的。这几种内存很容易就可以在长度和引脚的数量上区分开来。只不过这些内存如今基本上已经销声匿迹了。
　小提示：由于EDO RAM与FPM RAM内存的内存数据宽度均为32位，而奔腾及其以上级别的数据总线宽度都是64位。因此，要想在奔腾及其以上级别的电脑中使用这些内存条，就必须同时使用二根同样的内存条。成对的二根内存条最好是使用相同型号，且相同容量的内存条。

　　大家最常见到的SDRAM内存具有168个引脚，引脚上有两个不对称的缺口。在SDRAM内存的两侧，还可以发现各有一个缺口。如果是PC100/133 SDRAM，会在内存条上包含一个8针的SPD芯片，这是识别PC100/133内存的一个必要条件和重要标志。但是大家也要注意，有SPD芯片不一定代表这条SDRAM内存就是PC100/133，但如果没有则肯定不是。
　　接下来，我们再来看看DDR RAM与SDRAM有什么不同。从外形上看，DDR RAM和传统的SDRAM区别并不很大，它们的金手指具有相同的总长度。但是，DDR RAM内存具有184个引脚，引脚上也只有一个小缺口。另外，在DDR RAM内存的两侧，各有两个缺口。
　　Rambus DRAM（也称为RDRAM）内存的引脚也跟DDR RAM内存一样，采用184个引脚。但是它看上去和SDRAM和DDR RAM是完全不一样的。首选在RDRAM的外面包裹着一层金属屏蔽罩，以减少电磁干扰。大家注意看它的引脚，在中间的两个缺口附近没有设计引脚，这两个缺口也与SDRAM上的两个缺口是不一样的哦。在RDRAM内存的两侧，各有一个缺口。

　　小知识：SIMM、DIMM、RIMM
　　不同的内存条必须安装在主板上的专用内存插槽上。应用在台式电脑的内存插槽主要有：SIMM、DIMM、RIMM，这些都会在主板的内存插槽边上，以及主板说明书上标示出来。
　　SIMM（Single In-Line Memory Module，单边接触内存模组）是486及其较早的PC机中常用的内存插槽。SIMM内存插槽主要有两种型态：30pin和72pin。30pin的单面内存条是用来支持8位的数据处理量。72pin的单面内存条是用来支持32位的数据处理量。因此，例如一次可处理64位的英特尔奔腾系列的中央处理器，你需要8条30pin或2条72pin的内存条来支持它。在486以前，大多采用30pin的SIMM插槽，或者与72pin的SIMM插槽并存；而在Pentium中，应用更多的则是72pin的SIMM接口，或者是与DIMM插槽并存。
　　DIMM(Dual In-Line Memory Module，双边接触内存模组)内存插槽是指这种类型接口内存的插板的两边都有数据接口触片，这种接口模式的内存通常为84pin或92pin，但由于是双边的，所以一共有84×2=168pin或92×2=184pin接触。DIMM内存插槽支持64位数据传输，使用3.3V电压。
　　RIMM（Rambus In-Line Memory Module）内存插槽就是支持Direct RDRAM内存条的插槽。RIMM有184pin，资料的输出方式为串行，与现行使用的DIMM模块168pin，并列输出的架构有很大的差异。

　　二、安装内存条

　　在安装内存条之前，大家不要忘了看看主板的说明书，看看主板支持哪些内存，可以安装的内存插槽位置及可安装的最大容量。不同内存条的安装过程其实都是大同小意的，这里主要说明常见的SDRAM、DDR RAM、RDRAM内存。

　STEP1：首先将需要安装内存对应的内存插槽两侧的塑胶夹脚（通常也称为“保险栓”）往外侧扳动，使内存条能够插入，如图2所示。

　STEP2：拿起内存条，然后将内存条的引脚上的缺口对准内存插槽内的凸起（如图3所示）；或者按照内存条的金手指边上标示的编号1的位置对准内存插槽中标示编号1的位置。

　STEP3：最后稍微用点用力，垂直地将内存条插到内存插槽并压紧，直到内存插槽两头的保险栓自动卡住内存条两侧的缺口，如图4所示。

小提示：在任何一块支持RDRAM的主板上，你都能够看到RIMM内存插槽是成对出现。因为RDRAM内存条是不能够一根单独使用，它必须是成对的出现。RDRAM要求RIMM内存插槽中必须都插满，空余的RIMM内存插槽中必须插上传接板（也称“终结器”），这样才能够形成回路，如图5所示。

时下国际内存颗粒价格一路走高，于是大量假冒伪劣内存再次浮出水面，毕竟过高的价格差值成为他们铤而走险的导火索。所以打磨条、水货条、山寨货、甚至二手翻新条都出现在北京中关村市场内。这些假冒伪劣内存的出现，不仅严重威胁着消费者的权益，更成为阻碍整个内存市场良性发展的一颗毒瘤。

其实内存的生产门槛并不高，内存主要的部件就是DRAM颗粒和PCB板，而DRAM颗粒是造假最常用到的。下面寻修网http://www.seekxiu.com/就揭秘内存市场集中比较典型的造假手段，希望对您今后购买起到一定的帮助。

为何造假？

理由其实很简单——利益。内存造假并不能算是一个新的话题，早在SDRAM内存占据主流市场的时代，造假就已经成为不法内存厂商和经销商们最主要的获利手段。

假冒内存有什么危害？

如果消费者不小心购买了劣质内存条，在使用过程中麻烦就会接踵而来，系统经常性蓝屏死机、不规则重启，有甚者颗粒烧毁并秧及电脑内的其他硬件，后果非常严重。而且假条在产品质量极差的情况下，又没有售后服务，肯定会损害到消费者的利益。

内存颗粒

常见的造假方式有那些？

目前最为常见的几种造假手段主要有：以次充好、打磨、改字和翻修。以次充好，就是指奸商将一些坏掉但依旧可以利用的内存条经过特殊的处理，使其中一部分好的内存颗粒正常工作，然后将其再次拿到市场上按照全新产品出售。打磨也就是我们通常所说的REMARK，奸商将内存颗粒表面的字迹擦除，然后再重新标上金士顿、Kingmax、现代等名牌标签。改字条就是将内存颗粒表面的部分字母或者数字改写。翻修就是将回收到的“垃圾芯片”重新焊接在PCB电路板上当新品卖。这些内存往往因为生产简陋，没有经过出厂测试，所以质量根本没有保证。

哪些内存产品容易被仿造？

造假者都有一个共性：只要那个品牌被消费者所青睐，他们就会伺机而动，疯狂仿冒。金士顿作为全球第一大独立内存模组制造商，更是被造假者当成重点目标，这不但侵害了金士顿的利益，也严重危及到用户权益。

猜猜哪条是真的，哪条是假的？

下图真品内存为之前笔者拍的金士顿2GB/667笔记本内存颗粒特写，采用和假金士顿内存同样的尔必达颗粒，从图中可以清晰看出，真品内存颗粒印刷清晰，而假内存的颗粒则非常暗淡，对比非常鲜明。

   

芯片颗粒对比

其实对于一款内存来说，PCB电路板仅占内存成本的百分之十以内，而颗粒价格才是真正的“大头”。所以通常PCB基本均为正规代工厂制造，而颗粒则采用行话里的“白片”，就是业内所说的次品颗粒，价格非常便宜，但稳定性和兼容性很差。

细节处对比（真品）

从上面图中可以看出两处破绽，其中第一处就是金士顿R型商标的微缩字体印刷，在注册商标“R”的周围应该清楚印着KINGSTON英文，这里由于笔者的相机缘故不能清晰显示出来，不过对照假内存胡乱瞎画而言已经清晰很多了。

细节处对比（假货）

另外一点，请仔细看标签内部的水印，假内存水印和KINGSTON字体衔接处都有明显的痕迹，明显是后印上去的，这点在真金士顿内存中是不会发现的。

金士顿官方网站“一分钟正品鉴定”

虽然金士顿内存常年被假货困扰，但是依然是内存行业的销量冠军，这说明大多数消费者还是认可金士顿内存的兼容性和稳定性。但是用户在购买内存的时候一定要用笔者上述的方法仔细鉴定一番，然后在通过网上或者短信查询方式鉴别，这样购买到假货的几率就会大大减少。如果能够直接去金士顿指定商家购买产品的话，那么就更放心了。

内存散热片里面不为人知的秘密

其实，内存市场不光只是打磨颗粒内存，还存在一些“超频”条。而这些超频条多半会用马甲散热片作为掩饰，一旦马甲被撕破，谎言也随即被揭穿。

   

威刚红龙DDR2-1066+内存

不知道大家对威刚2GB DDR2-800+红龙上市还有没有印象，当时这款内存威刚是包超条，就是每款内存都可以轻松超值DDR2-1066，虽然价格稍显贵，但是超频后的性价比非常高。为此，很多不法商家就到市场各个柜台收集一些DDR2-800的内存，比如创见、金士顿等等，然后在里面挑选一些超频性能稍好的，再加上红色威龙的壳子，就成为了名副其实的“威刚红龙”内存。这样的好处就是通过购买低价的DDR2-800条子，加以伪装就可以卖到比这高出好几十的价格，利润非常可观。

另外一条内幕消息就是三星的大量DDR3-1333内存被收购，不知道大家对笔者的《神条再现 三星2GB内存激超DDR3-1800》这篇文章还有没有印象，这批三星金条体制非常好，所以很多商家就都拿他来做海盗船的内存，加上马甲后就可以卖到DDR3-1600或者更高的频率，这样的利润相比谁看了都会留下口水。

● 超频前后内存带宽/延时测试对比

三星 2GB DDR3-1333内存超频测试
内存参数设置	Int （整型带宽）	Float （浮点运算）	延时
CL=7 DDR3-1333(默认)	7307	7324	77
CL=9 DDR3-1600(OC)	8247	8227	73
CL=8 DDR3-1600(OC)	8201	8259	71
CL=9 DDR3-1800(OC)	9305	9294	67

海盗船4GB DDR3-1600内存标签

虽然这些内存不是所谓的打磨垃圾内存，但是也属于造假欺骗消费者，所以用户在购买带散热片内存的时候一定要到指定的代理处购买，切忌不要到小柜台炒货，以免上当受骗。

不同类型的防呆缺口缺口不同
防呆缺口不同意味着不同类型的内存不能混用
但同一类型不同频率的内存可以混用
只不过频率高的内存会自动降频至频率低的内存的工作频率 这样会造成性能浪费.
SDR有PC-100 和 PC-133
DDR有226 333 400
DDR2有533 667 800 1066
DDR3有1066 1333 1600 2000 甚至更高

支持内存类型是指主板所支持的具体内存类型。不同的主板所支持的内存类型是不相同的。早期的主板使用的内存类型主要有FPM、EDO、，SDRAM、RDRAM，目前主板常见的有DDR、DDR2内存。

　　FPM内存

　　FPM是Fast Page Mode（快页模式）的简称，是较早的PC机普遍使用的内存，它每隔3个时钟脉冲周期传送一次数据。现在早就被淘汰掉了。  

　　EDO内存

　　EDO是Extended Data Out（扩展数据输出）的简称，它取消了主板与内存两个存储周期之间的时间间隔，每隔2个时钟脉冲周期传输一次数据，大大地缩短了存取时间，使存取速度提高30％，达到60ns。EDO内存主要用于72线的SIMM内存条，以及采用EDO内存芯片的PCI显示卡。这种内存流行在486以及早期的奔腾计算机系统中，它有72线和168线之分，采用5V工作电压，带宽32 bit，必须两条或四条成对使用，可用于英特尔430FX/430VX甚至430TX芯片组主板上。目前也已经被淘汰，只能在某些老爷机上见到。  

　　SDRAM内存

　　SDRAM是Synchronous Dynamic Random Access Memory（同步动态随机存储器）的简称，是前几年普遍使用的内存形式。SDRAM采用3.3v工作电压，带宽64位，SDRAM将CPU与RAM通过一个相同的时钟锁在一起，使RAM和CPU能够共享一个时钟周期，以相同的速度同步工作，与 EDO内存相比速度能提高50％。SDRAM基于双存储体结构，内含两个交错的存储阵列，当CPU从一个存储体或阵列访问数据时，另一个就已为读写数据做好了准备，通过这两个存储阵列的紧密切换，读取效率就能得到成倍的提高。SDRAM不仅可用作主存，在显示卡上的显存方面也有广泛应用。SDRAM曾经是长时间使用的主流内存，从430TX芯片组到845芯片组都支持SDRAM。但随着DDR SDRAM的普及，SDRAM也正在慢慢退出主流市场。

　　RDRAM内存

　　RDRAM是Rambus Dynamic Random Access Memory（存储器总线式动态随机存储器）的简称，是Rambus公司开发的具有系统带宽、芯片到芯片接口设计的内存，它能在很高的频率范围下通过一个简单的总线传输数据，同时使用低电压信号，在高速同步时钟脉冲的两边沿传输数据。最开始支持RDRAM的是英特尔820芯片组，后来又有840，850芯片组等等。RDRAM最初得到了英特尔的大力支持，但由于其高昂的价格以及Rambus公司的专利许可限制，一直未能成为市场主流，其地位被相对廉价而性能同样出色的DDR SDRAM迅速取代，市场份额很小。

　　DDR SDRAM内存

　　DDR SDRAM是Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory（双数据率同步动态随机存储器）的简称，是由VIA等公司为了与RDRAM相抗衡而提出的内存标准。DDR SDRAM是SDRAM的更新换代产品，采用2.5v工作电压，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿传输数据，这样不需要提高时钟的频率就能加倍提高SDRAM的速度，并具有比SDRAM多一倍的传输速率和内存带宽，例如DDR 266与PC 133 SDRAM相比，工作频率同样是133MHz，但内存带宽达到了2.12 GB/s，比PC 133 SDRAM高一倍。目前主流的芯片组都支持DDR SDRAM，是目前最常用的内存类型。  

　　DDR2

　　DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。

　　DDR2内存的频率

　　此外，由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式，而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式，FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起DDR的发展历程，从第一代应用到个人电脑的DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术，第一代DDR的发展也走到了技术的极限，已经很难通过常规办法提高内存的工作速度；随着Intel最新处理器技术的发展，前端总线对内存带宽的要求是越来越高，拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存将是大势所趋。

　　DDR2与DDR的区别：

　　在了解DDR2内存诸多新技术前，先让我们看一组DDR和DDR2技术对比的数据。

　　1、延迟问题：

　　从上表可以看出，在同等核心频率下，DDR2的实际工作频率是DDR的两倍。这得益于DDR2内存拥有两倍于标准DDR内存的4BIT预读取能力。换句话说，虽然DDR2和DDR一样，都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2拥有两倍于DDR的预读取系统命令数据的能力。也就是说，在同样100MHz的工作频率下，DDR的实际频率为200MHz，而DDR2则可以达到400MHz。

　　这样也就出现了另一个问题：在同等工作频率的DDR和DDR2内存中，后者的内存延时要慢于前者。举例来说，DDR 200和DDR2-400具有相同的延迟，而后者具有高一倍的带宽。实际上，DDR2-400和DDR 400具有相同的带宽，它们都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作频率是200MHz，而DDR2-400的核心工作频率是100MHz，也就是说DDR2-400的延迟要高于DDR400。

　　2、封装和发热量：

　　DDR2内存技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR的传输能力，而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下，DDR2可以获得更快的频率提升，突破标准DDR的400MHZ限制。

　　DDR内存通常采用TSOP芯片封装形式，这种封装形式可以很好的工作在200MHz上，当频率更高时，它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容，这会影响它的稳定性和频率提升的难度。这也就是DDR的核心频率很难突破275MHZ的原因。而DDR2内存均采用FBGA封装形式。不同于目前广泛应用的TSOP封装形式，FBGA封装提供了更好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。

　　DDR2内存采用1.8V电压，相对于DDR标准的2.5V，降低了不少，从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量，这一点的变化是意义重大的。

　　DDR2采用的新技术：

　　除了以上所说的区别外，DDR2还引入了三项新的技术，它们是OCD、ODT和Post CAS。

　　OCD（Off-Chip Driver）：也就是所谓的离线驱动调整，DDR II通过OCD可以提高信号的完整性。DDR II通过调整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的电阻值使两者电压相等。使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性；通过控制电压来提高信号品质。

　　ODT：ODT是内建核心的终结电阻器。我们知道使用DDR SDRAM的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。实际上，不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的，终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率，终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低；终结电阻高，则数据线的信噪比高，但是信号反射也会增加。因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组，还会在一定程度上影响信号品质。DDR2可以根据自已的特点内建合适的终结电阻，这样可以保证最佳的信号波形。使用DDR2不但可以降低主板成本，还得到了最佳的信号品质，这是DDR不能比拟的。

　　Post CAS：它是为了提高DDR II内存的利用效率而设定的。在Post CAS操作中，CAS信号（读写/命令）能够被插到RAS信号后面的一个时钟周期，CAS命令可以在附加延迟（Additive Latency）后面保持有效。原来的tRCD（RAS到CAS和延迟）被AL（Additive Latency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中进行设置。由于CAS信号放在了RAS信号后面一个时钟周期，因此ACT和CAS信号永远也不会产生碰撞冲突。

　　总的来说，DDR2采用了诸多的新技术，改善了DDR的诸多不足，虽然它目前有成本高、延迟慢能诸多不足，但相信随着技术的不断提高和完善，这些问题终将得到解决。

　　ECC并不是内存类型，ECC（Error Correction Coding或Error Checking and Correcting）是一种具有自动纠错功能的内存，英特尔的82430HX芯片组就开始支持它，使用该芯片组的主板都可以安装使用ECC内存，但由于ECC内存成本比较高，所以主要应用在要求系统运算可靠性比较高的商业电脑中，例如服务器/工作站等等。由于实际上存储器出错的情况不会经常发生，而且普通的主板也并不支持ECC内存，所以一般的家用与办公电脑也不必采用ECC内存。

DDR，DDR2和DDR3

　　严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR，部分初学者也常看到DDR SDRAM，就认为是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。

　　SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进行数据传输；而DDR内存则是一个时钟周期内传输两次次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，因此称为双倍速率同步动态随机存储器。DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达到更高的数据传输率。

　　与SDRAM相比：DDR运用了更先进的同步电路，使指定地址、数据的输送和输出主要步骤既独立执行，又保持与CPU完全同步；DDR使用了DLL(Delay Locked Loop，延时锁定回路提供一个数据滤波信号)技术，当数据有效时，存储控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据，每16次输出一次，并重新同步来自不同存储器模块的数据。DDL本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据，因而其速度是标准SDRA的两倍。

　　从外形体积上DDR与SDRAM相比差别并不大，他们具有同样的尺寸和同样的针脚距离。但DDR为184针脚，比SDRAM多出了16个针脚，主要包含了新的控制、时钟、电源和接地等信号。DDR内存采用的是支持2.5V电压的SSTL2标准，而不是SDRAM使用的3.3V电压的LVTTL标准。

　　DDR2内存起始频率从DDR内存最高标准频率400Mhz开始，现已定义可以生产的频率支持到533Mhz到667Mhz,标准工作频率工作频率分别是200/266/333MHz，工作电压为1.8V。DDR2采用全新定义的240 PIN DIMM接口标准，完全不兼容于DDR的184PIN DIMM接口标准。

　　DDR2和DDR一样，采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式，但是最大的区别在于，DDR2内存可进行4bit预读取。两倍于标准DDR内存的2BIT预读取，这就意味着，DDR2拥有两倍于DDR的预读系统命令数据的能力，因此，DDR2则简单的获得两倍于DDR的完整的数据传输能力。

　　DDR2内存技术最大的突破点其实不在于所谓的两倍于DDR的传输能力，而是，在采用更低发热量，更低功耗的情况下，反而获得更快的频率提升，突破标准DDR的400MHZ限制。

　　最后说下DDR3，其实它相对来说我觉得叫DDR2pro应该更为贴切，因为它其实是DDR2的延伸，只是提升了频率降低了能耗，实际的技术并没有特别的变化。现在DDR3内存相对来说似乎还是一些中高档显卡用的,系统用到的还比较少..