dummy



SPI的传输,读和写其实是同时进行的。在虚写的同时,要读的数据也就伴随着dummy字节被传了过来,所及产生了时钟,也就实际上把数据读了过来。但是对于SPI写,由于主端有自己的时钟,所以不需要进行虚读产生时钟。既然读和写是同时进行的,那么对于SPI,主端发送数据对从端进行写数据的话,实际上也有数据被读过来?????所以每完成一个字节传递后进行下一个字节传递之前都要清寄存器????单纯写时候不需要去理会读操作,因为返回来的数据都是无效的,可以忽略掉。


IC版图除了要体现电路的逻辑或功能确保LVS验证正确外,还要增加一些与LVS(电路匹配)无关的图形,以减小中间过程中的偏差,我搜索们通常称这些图形为dummy layer。有些dummy layer 是为了防止刻蚀时出现刻蚀不足或刻蚀过度而增加的,比如metal density 不足就需要增加一些metal dummy layer以增加metal 密度。另外一些则是考虑到光的反射与衍射,关键图形四周情况大致相当,避免因曝光而影响到关键图形的尺寸。下面列举了几个例子,其中还夹杂一些其他内容:

1,MOS dummy

在MOS 两侧增加dummy poly,避免Length受到影响。对NMOS先加P type guard ring 连接VSS,接着加N type guard ring 连接VDD。对PMOS先加N type 连接VDD,接着加P type连接VSS。拆分MOS应为偶数根,Source端与四周guar ring就近连接。比如拆分NMOS为偶数根, 连接VSS的端在外侧并直接与四周guard ring相连。

dummy_第1张图片

 

3, CAP dummy

       增加dummy方法类似,用Nwell阻挡相自于substrate的noise,Nwell接高电位与sub 反偏。

 

dummy_第2张图片

 

4, 关键走线与左右或上下走线的屏蔽采用相同层或中间层连接VSS来处理。其他方面,还需要进一步的收集整理。不过从上面一些例子可以看出,Nwell 在保护方面应用广泛。其次个人认为field oxide 有一定的深度与厚度也可以拿来应用。

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