SDRAM 基本概念

预充电(precharge):假设,当前操作的是第一行,现在需要关闭第一行,去访问第二行中的某个地址了,在关闭第一行之前,必须对第一行进行一个刷新操作,这个关闭之前的刷新操作就叫预充电。之所以又这样的操作,是因为,对第一行进行操作之后,特别是读操作之后,控制电容导通的开关曾经打开过,电容的电量被消耗过(特指充满电的电容),已经无法保证:在下次自动刷新之前依然保持原有状态。因此需要关闭之前,对第一行进行一次刷新操作,对原来满电状态的电容进行一次充电,以保证该电容电量才下次刷新操作到来之前,能够维持在阈值之上。

写恢复期(Write Back):数据写入的操作也是在 tRCD 之后进行,但此时没有了 CL(记住,CL 只出现在读取操作中),行寻址与列寻址的时序图和上文一样,只是在列寻址时,WE#为有效状态。 
为了保证数据的可靠写入,都会留出足够的写入/校正时间(tWR,Write Recovery Time),这个操作也被称作写回(Write Back)。tWR 至少占用一个时钟周期或再多一点(时钟频率越高,tWR 占用周期越多);

列地址潜伏期:在选定列地址后,就已经确定了具体的存储单元,剩下的事情就是数据通过数据 I/O 通道(DQ)输出到内存总线上了。 但是在CAS发出之后,仍要经过一定的时间才能有数据输出,从CAS与读取命令发出到第一笔数据输出的这段时间,被定义为 CL(CAS Latency,CAS 潜伏期)。由于CL只在读取时出现,所以 CL 又被称为读取潜伏期(RL,Read Latency).

自动刷新:由于动态存储器存储单元存在漏电现象,为了保持每个存储单元数据的正确性,外部控制器必须保证在64ms内对所有的存储单元刷新一遍。一个自动刷新周期只能刷新存储单元的一个行,每次刷新操作后内部刷新地址计数器自动加“1”。刷新操作执行期间只能输入空操作。该器件可以每间隔7.8μs执行一次自动刷新命令,也可以在64ms内的某个时间段对所有单元集中刷新一遍。

刷新操作分为两种:自动刷新(Auto Refresh,简称 AR)与自刷新(Self Refresh,简称 SR)。当sdram休眠时,不需要外部控制器发送自动刷新命令,内部自己刷新自己。

部分参考:https://blog.csdn.net/xiaoxiaoxingkongo/article/details/54807822?utm_medium=distribute.pc_relevant.none-task-blog-baidulandingword-9&spm=1001.2101.3001.4242

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