SDRAM 基本概念

预充电(precharge)：假设，当前操作的是第一行，现在需要关闭第一行，去访问第二行中的某个地址了，在关闭第一行之前，必须对第一行进行一个刷新操作，这个关闭之前的刷新操作就叫预充电。之所以又这样的操作，是因为，对第一行进行操作之后，特别是读操作之后，控制电容导通的开关曾经打开过，电容的电量被消耗过（特指充满电的电容），已经无法保证：在下次自动刷新之前依然保持原有状态。因此需要关闭之前，对第一行进行一次刷新操作，对原来满电状态的电容进行一次充电，以保证该电容电量才下次刷新操作到来之前，能够维持在阈值之上。

写恢复期(Write Back)：数据写入的操作也是在 tRCD 之后进行，但此时没有了 CL（记住，CL 只出现在读取操作中），行寻址与列寻址的时序图和上文一样，只是在列寻址时，WE#为有效状态。 
为了保证数据的可靠写入，都会留出足够的写入/校正时间（tWR，Write Recovery Time），这个操作也被称作写回（Write Back）。tWR 至少占用一个时钟周期或再多一点（时钟频率越高，tWR 占用周期越多）;

列地址潜伏期：在选定列地址后，就已经确定了具体的存储单元，剩下的事情就是数据通过数据 I/O 通道（DQ）输出到内存总线上了。 但是在CAS发出之后，仍要经过一定的时间才能有数据输出，从CAS与读取命令发出到第一笔数据输出的这段时间，被定义为 CL（CAS Latency，CAS 潜伏期）。由于CL只在读取时出现，所以 CL 又被称为读取潜伏期（RL，Read Latency）.

自动刷新：由于动态存储器存储单元存在漏电现象，为了保持每个存储单元数据的正确性，外部控制器必须保证在64ms内对所有的存储单元刷新一遍。一个自动刷新周期只能刷新存储单元的一个行，每次刷新操作后内部刷新地址计数器自动加“1”。刷新操作执行期间只能输入空操作。该器件可以每间隔7.8μs执行一次自动刷新命令，也可以在64ms内的某个时间段对所有单元集中刷新一遍。

刷新操作分为两种：自动刷新（Auto Refresh，简称 AR）与自刷新（Self Refresh，简称 SR）。当sdram休眠时，不需要外部控制器发送自动刷新命令，内部自己刷新自己。

部分参考：https://blog.csdn.net/xiaoxiaoxingkongo/article/details/54807822?utm_medium=distribute.pc_relevant.none-task-blog-baidulandingword-9&spm=1001.2101.3001.4242