一周搞定模拟电路之三极管和场效应管

1.电容

主要有旁路，去耦电容，滤波和储能。

• 旁路电容：使输入电压均匀化，减少对后级的影响，储能对电压进行补偿。一般根据谐振频率0.1uF,0.01uF.

• 去耦电容：滤除干扰信号，针对输出信号。一般比较大10uF或更大。

• 滤波：大电容滤低频，小电容滤高频。储能：收集电荷

电容应用：耐压值，防止反接。

2 三极管

三极管分为:PNP型和NPN型。

NPN型处于放大状态：发射结正偏，集电结反偏。截止状态：发射结反偏或两端电压为零。饱和状态：发射结和集电结均正偏。三级管的放大系数一般取30~80。

特性曲线：

3 场效应管

参考网址：http://www.elecfans.com/yuanqijian/mosfet/20170327500967.html

N沟道增强型特点。

G:栅极，S：漏极，D:源极。当》VGS(th)（开启电压）时才会出现漏极电流。

• 可变电阻区 :当比较小时，随的变化而变化。
• 恒流区：不随变化，只随增大而增大。
• 截至区：小于1.5V，=0，场效应管不导通。
• 击穿区：当增大到一定值时，被击穿。

各种场效应管曲线

 

三极管：电流型控制器件，输入阻抗不高，噪声高，反应速度比较快。

场效应管：电压型器件，输入阻抗高，噪声小，缺点速度慢。