IR2104驱动原理--恩智浦智能车电机驱动

IR2104驱动原理–恩智浦智能车电机驱动

本文是小编在准备智能车比赛过程的学习笔记，关于对IR2104电机半桥驱动的一些自我见解（欢迎指正）

这个是数据手册给的应用电路，主要的外围器件有两个电容和一个二极管。
这里我们讲解VB和VS间的自举电容（以下我们称为C）和VCC与VB间的自举二极管（以下我们称为D）。
先来看一下芯片内部图（下图）

HO是一个互补输出级的输出端，上管导通时，它的电位为VB，下管导通时电位为VS。先根据应用电路图来吧，假设一开始是下管导通，则HO=‘0’、LO=‘1’，VS接近地，此时D给电容C充电，使得C两端电压会接近VCC。这时，让上管导通，也就是HO=‘1’、LO=‘0’。此时HO的电位为VB的电位，而C两端的电压不能突变，而HO这个点可以看成VB点，也就是说C并联在后面驱动桥的VGS，可以给这个NMOS一个比较大的VGS（约为VCC），电容放电。
那去掉二极管行不行？
肯定不行！看半桥驱动部分，如果上面的NMOS导通，则VS点的电位接近NMOS的供电电位，此时，由于C两端电压差依然是VCC，则VB=VCC+VS（NMOS的供电电位）。试想，如果没有二极管的存在，那么VB的电位恒为VCC，那VGS就不会为VCC。
那么为什么要VGS在导通时有一个大的值呢？
由MOS的手册可以知道，大的VGS可以使得导通电阻Ron变小。
结论：采用自举电路是为了升压，让半桥桥臂导通。而它的耐压值和容量，就需要根据实际电路来选，电容C必须足够使得桥臂导通。
（希望我能搞出来容量的计算公式叭，也欢迎大佬指正已经指导）