LT1910高端MOS管驱动IC

 

01实验背景


STC单片机功率控制下载板 中提到使用LT1910驱动功率MOS作为STC WiFi功率下载转接板控制电源器。替代原来设计的MAX202(MAX3232)的方案。

LT1910 是由LINEAR TECHNOLOGY出品的用于驱动高端(电源端)N-MOS功率管芯片。内部集成有电荷泵,无需外部器件便可以驱动N-MOS管的导通。

LT1910还可以对MOS漏极上串联的电流采样电阻进行检测。如果MOS漏极电流过流,则自动关闭MOS驱动,关闭的时间由外部电容设定。

LT1910高端MOS管驱动IC_第1张图片

LT1910可以被用于汽车、航空、工业等各种恶劣环境场合,在供电电压从-15V ~ +60V 都不会损毁LT1910。

 

02 LT1910基本应用


1.外部引脚和内部功能框图

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LT1910高端MOS管驱动IC_第3张图片

2.基本应用电路

LT1910高端MOS管驱动IC_第4张图片

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▲ 低端MOS管控制模式

 

03实验电路


1.建立AD元器件

在SCH.LIB中的器件:LT1910,封装SOP-8。

LT1910高端MOS管驱动IC_第6张图片

▲ 基本工作电路以及封装管脚定义

2.实验电路模块

(1) 原理图设计

LT1910高端MOS管驱动IC_第7张图片

(2) 快速实验电路板制作

LT1910高端MOS管驱动IC_第8张图片

表格3.1 端口功能定义

PIN1 PIN2 PIN3 PIN4 PIN5 PIN6
+5V GND IO FAULT GATE SENSE

 

04测试MOS管


1.实验电路

测试MOS管 型号: CSD19535 :超低Qg,Qgd。

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LT1910高端MOS管驱动IC_第10张图片

2.面包板上的电路

LT1910高端MOS管驱动IC_第11张图片

▲ 设置在电路板上的实验电路

3.工作静态电压

(1) 工作电压5V

VCC GND IO FAULT GATE SENSE
4.990700 0.000315 0.000289 0.007926 0.045768 4.990900
VCC GND IO FAULT GATE SENSE
4.987800 0.000454 4.988100 1.218000 3.917100 4.985400

(2) 工作电压12V

VCC GND IO FAULT GATE SENSE
11.989000 0.000440 0.000365 0.006063 0.037942 11.991000
VCC GND IO FAULT GATE SENSE
11.916000 0.077651 11.913000 1.400900 19.738001 11.916000

(3) 工作电压与栅极电压

设置LT1910不同的工作电压,将IO设置与VCC一样。GATE输出电压与工作电压之间的关系如下图所示。

LT1910高端MOS管驱动IC_第12张图片

▲ 工作电压与栅极电压

从中可以看到:

  • LT1910只有在工作电压大于5.4V 之后,内后的栅极升压电路才开始工作。
  • 在3V ~ 5.4V之间输出的电压与工作电压同步增加。

下面是工作电压从0 ~ 24V。输出的Vgate的电压。对比于数据手册给出的特性表格,之间是相互符合的。

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▲ 工作电压与Vgate

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▲ 工作电压与输出Vgate

LT1910高端MOS管驱动IC_第15张图片

#!/usr/local/bin/python
# -*- coding: gbk -*-
#============================================================
# TEST1.PY                     -- by Dr. ZhuoQing 2020-09-09
#
# Note:
#============================================================

from headm import *
from tsmodule.tsstm32       import *
from tsmodule.tsvisa        import *

dp1308open()
dp1308p25v(0)

time.sleep(1)
printf('\a')

setv = linspace(0, 24, 50)

udim = []
idim = []

for v in setv:
    dp1308p25v(v)
    time.sleep(1)
    meter = meterval()

    udim.append(meter[0])
    idim.append(meter[2])

    printff(v, meter)

dp1308p25v(0)
tspsavenew('data', u=udim, i=idim)
plt.plot(idim, udim)
plt.xlabel("工作电压(V)")
plt.ylabel("栅极电压(V)")
plt.grid(True)
plt.tight_layout()
plt.show()

#------------------------------------------------------------
#        END OF FILE : TEST1.PY
#============================================================

4.测试LT1910动态特性

  • LT1910工作电压:12V

LT1910高端MOS管驱动IC_第16张图片

▲ 测试LT1910的输入和输出波形

输入信号与输出之间大约有400us的延迟。
LT1910高端MOS管驱动IC_第17张图片

▲ 输入与输出之间的延迟

 

※ 结论


通过实验数据,可以得到:

  • LT1910工作电压需要大于5.4V,尽量大于6V;
  • 对于LT1910工作电压大于16.1V之后,驱动MOS的栅极电压饱和在12V左右。

 
■ 相关文献链接:

  • STC单片机功率控制下载板
  • LT1910
  • CSD19535

 

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