DDR 和Flash

DDR内存

DDR内存全称是DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM，双倍速率SDRAM)。DDR SDRAM最早是由三星公司于1996年提出，由日本电气、三菱、富士通、东芝、日立、德州仪器、三星及现代等八家公司协议订立的内存规格，并得到了AMD、VIA与SiS等主要芯片组厂商的支持。它是SDRAM 的升级版本，因此也称为「SDRAM II」。

DDR是21世纪初主流内存规范，各大芯片组厂商的主流产品全部是支持它的。DDR全称是DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM，双倍速率SDRAM)。DDR的标称和SDRAM一样采用频率。截至2017年，DDR运行频率主要有100MHz、133MHz、166MHz三种，由于DDR内存具有双倍速率传输数据的特性，因此在DDR内存的标识上采用了工作频率×2的方法，也就是DDR200、DDR266、DDR333和DDR400，一些内存生产厂商为了迎合发烧友的需求，还推出了更高频率的DDR内存。其最重要的改变是在界面数据传输上，他在时钟信号的上升沿与下降沿均可进行数据处理，使数据传输率达到SDR(Single Data Rate)SDRAM 的2倍。至于寻址与控制信号则与SDRAM相同，仅在时钟上升沿传送。

 

总结:

依照停止供应电源，是否能够保留数据，分成 “易失性”  与 “非易失性”存储。

1. 易失性存储 分成  DRAM  和 SRAM

SRAM 速度快 但价格贵，所以主存储器多用 DRAM，快取多用SRAM （如Cache）

2 非易失性存储分成 ROM 和Flash ，主要用做 硬盘

Flash 又分成  NOR Flash  和 Nand Flash  ，现在硬盘多以NAND Flash  构成的SSD为主

NOR Flash :  主要用于执行片上程序  （SPI Flash 和  CFI Flash）

优点：具有良好的读写性能和随机访问性能。按字节读取，可以直接运行程序

缺点：单片容量较小，写入速度慢

NAND Flash ： 主要用于大容量存储

优点：写入速度快，较大的存储容量

缺点：按块读取，不具备随机访问性能