科学家发现，给大脑“挠痒痒“可以提高记忆力

 来自梅奥诊所的研究人员发现使用低强度电刺激大脑特定区域中可以提高语言的短时记忆，就像 “挠痒痒“一样。他们的研究结果发表在了《脑》杂志上。

研究人员发现，当大脑外侧颞皮层、太阳穴和耳朵两侧的区域受到刺激时，对象的记忆得到了增强。当低振幅的电刺激被传递到大脑时，患者能记起更多之前记忆过的单词，就如一位患者在报告中所说，这时记下脑海中的单词变得更容易。

“这项研究最令人兴奋的发现是，我们可以通过直接刺激大脑中还未被人们认识的区域来改善语言记忆能力，“该研究的作者之一，Kucewicz博士说。

记忆障碍是许多脑疾病中普遍存在的问题。药物和行为疗法在许多情况下的效果有限。”而对脑进行电刺激是一种新兴的治疗方式，但目前很少有人研究它对记忆的影响，”Gregory Worrell博士，梅奥诊所的神经学家说。

“这个研究的下一步目标是确定如何更准确的对这一区域进行电刺激，包括位置，时间和电流的各种参数，”梅奥诊所的研究员和联合创始人Brent Berry博士说。

记忆测试是在接受了外科手术治疗的癫痫患者身上进行的。这些患者同意在他们的大脑中植入电极来评估他们的记忆。癫痫患者经常存在记忆问题，因为他们与记忆功能有关的大脑回路十分容易受到癫痫的影响。在研究中，这些患者需要读出电脑屏幕上的一组单词——一次一个。这段时间他们会接收电刺激。然后，患者需要以任意顺序自由回忆单词。

在22名患者中，研究者发现四名接受外侧颞叶皮质刺激的患者的记忆功能增强，而接受其他脑区刺激的患者没有出现这种情况。

“这些发现有助于新的医疗设备的诞生，尤其是对于那些存在记忆和认知缺陷的人，”梅奥诊所的神经外科医生，脑刺激研究方面的专家Jamie Van Gompel表示。

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