各种存储器的区别

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存储器可以分为很多种类，其中根据掉电后数据是否丢失可以分为易失性存储器RAM(Random Access Memory，随机存取存储器)和非易失性存储器ROM (Read Only Memory，只读存储器)，均为半导体存储器。其中RAM的访问速度比较快，但掉电后数据会丢失，而ROM掉电后数据不会丢失。人们通常所说的内存即指系统中的RAM。

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RAM

RAM 有两大类，一种称为静态 RAM (Static RAM，即SRAM)，SRAM 速度非常快，是目前读写最快的设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，比如CPU的一级缓冲，二级缓冲。另一种称为动态 RAM(Dynamic RAM，即DRAM)，DRAM保留数据的时间很短，速度也比 SRAM 慢，不过他还是比任何的 ROM 都要快，但从价格上来说 DRAM 相比 SRAM 要便宜很多，计算机内存就是 DRAM。

DRAM

DRAM (Dynamic Random Access Memory)，即动态存储器。DRAM分为很多种，常见的主要有 FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等。

SDRAM

SDRAM（Synchronous DRAM），同步动态随机存储器。目前的168线64bit带宽内存基本上都采用SDRAM芯片，工作电压3.3V电压，存取速度高达7.5ns，而EDO内存最快为15ns。并将RAM与CPU以相同时钟频率控制，使RAM与CPU外频同步，取消等待时间。所以其传输速率比EDO DRAM更快。

DDR RAM（DDR SDRAM）

DDR RAM(Double Data Rate RAM)也称作 DDR SDRAM，这种改进型的RAM 和 SDRAM是基本一样的，不同之处在于SDRAM仅在时钟信号的上升沿读取数据，而DDR在时钟信号的上升沿和下降沿都读取数据，因此，它的速度是标准SDRAM的2倍。这是目前电脑中用的最多的内存，而且它有着成本优势，事实上击败了Intel的另外一种内存标准-Rambus DRAM。在很多高端的显卡上，也配备了高速 DDR RAM 来提高带宽，这可以大幅度提高 3D 加速卡的像素渲染能力。

DDR2 RAM

速度在DDR RAM的基础上再翻一倍

DDR3 RAM

速度在DDR2 RAM的基础上再翻一倍

RDRAM

RDRAM（Rambus DRAM）：总线式动态随机存储器，是由RAMBUS公司与INTEL公司合作提出的一项专利技术，它的数据传输率最高可达800MHZ，而它的总线宽度却仅为16bit，远远小于现在的SDRAM的64bit。

SRAM

SRAM（Static Random Access Memory），即静态随机访问存储器，他是一种类型的半导体存储器。

• ”静态“是指只要不掉电，存储在SRAM中的数据就不会丢失。这一点与动态RAM(DRAM)不同，DRAM 需要进行周期性的刷新操作。然后，我们不应该将SRAM与只读存储器(ROM)和 FLASH Memory 相混淆，因为SRAM是一种易失性存储器，它只有在电源保持连续供应的情况下才能够保存数据。
• ”随机访问“是指存储器的内容可以以任何顺序访问，而不管前一次访问的是哪一个位置。

结构原理：

SRAM中的每一位均存储在四个晶体管当中，这四个晶体管组成了两个交叉耦合反向器。这个存储单元具有两个稳定状态，通常表示为0和1.另外还需要两个访问晶体管用于控制读或写操作过程中存储单元的访问。因此，一个存储位通常需要六个 MOSFET。对称的电路结构使得SRAM的访问速度要快于DRAM。SRAM比DRAM访问速度快的另一个原因是SRAM可以一次接收所有的地址位，而DRAM则使用行地址和列地址复用的结构。

SRAM不应该与SDRAM相混淆，SDRAM代表的是同步DRAM(Synchronous DRAM),这与SRAM是完全不同打的。

SRAM也不应该与PSRAM相混淆，PSRAM是一种伪装成SRAM的DRAM。

从晶体管的类型分，SRAM可以分为双极性与CMOS两种。从功能上分，SRAM可以分为异步SRAM和同步SRAM(SSRAM)。异步SRAM的访问独立于时钟，数据输入和输出都由地址的变化控制。同步SRAM的所有访问都在时钟的上升/下降沿启动。地址、数据输入和其它控制信号均与时钟信号相关。

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ROM

ROM 也有很多种，PROM 是可编程的 ROM，EPROM 是可擦除可编程 ROM。两者区别是，PROM 是一次性的，也就是灌入软件后，就无法修改了，而 EPROM 是通过紫外光的照射擦除原先的程序，是一种通用的存储器另外一种EEPROM是通过电子擦除，价格很高，写入时间长，效率慢。

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FLASH

FLASH 存储器又称闪存，它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦除可编程(EEPROM)的性能，还不会断点丢失数据，同事还可以快速读取数据(NVRAM的优势)，U盘和MP3里用的有时这种存储器。目前 FLASH 主要用两种：NOR FLASH 和 NAND FLASH。

NOR FLASH

NOR FLASH的读取和我们常见的 SDRAM 的读取是一样的，用户可以直接运行装载在 NOR FLASH 里面的代码，这样可以减少 SRAM 的容量从而节约了成本。

NAND FLASH

NAND FLASH 没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一块的形式来进行的，通常是一次读取512个字节，采用这种技术的 FLASH 比较廉价。用户不能直接运行NAND FLASH 上的代码，因此好多使用 NAND FLASH 的开发板除了使用 NAND FLASH以外，还作上了一块小的 NOR FLASH来运行启动代码。一般小容量的用NOR FLASH，因为其读取速度快，多用来存储操作系统等重要信息，而大容量的用NAND FLASH，最常见的 NAND FLASH 应用是嵌入式设备采用的 DOC(Disk On Chip)和我们通常用打的闪盘(U盘)，可以在线擦除。

eMMC

eMMC (Embedded Multi Media Card）是MMC协会订立、主要针对手机或平板电脑等产品的内嵌式存储器标准规格。

NAND Flash和eMMC的区别大致有如下几个方面：

1、NAND封装多种，有TSSOP、BGA等，eMMC封装只有BGA；

2、eMMC的存储核心是NAND，多颗NAND颗粒的容量叠加就组成了eMMC；

3、NAND存储规格形式多样，对使用者来说，比eMMC要复杂得多；

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硬盘

硬盘与内存（RAM）的区别：

• 内存是计算机的工作场所，硬盘用来存放暂时不用的信息。

• 内存是半导体材料制作，硬盘是磁性材料制作。

• 内存中的信息会随掉电而丢失，硬盘中的信息可以长久保存。

内存与硬盘的联系也非常密切，这里只提一点：硬盘上的信息永远是暂时不用的，要用吗？请装入内存！CPU与硬盘不发生直接的数据交换，CPU只是通过控制信号指挥硬盘工作，硬盘上的信息只有在装入内存后才能被处理

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