MOS管封装与参数有着怎样的关系，如何选择合适封装的MOS管

一、MOS管封装

　　不同的封装尺寸MOS管具有不同的热阻和耗散功率，需要考虑系统的散热条件和环境温度(如是否有风冷、散热器的形状和大小限制、环境是否封闭等因素)，基本原则就是：在保证功率MOS管的温升和系统效率的前提下，选取参数和封装更通用的功率MOS管。

　　常见的MOS管封装有：

　　①插入式封装：TO-3P、TO-247、TO-220、TO-220F、TO-251、TO-92;②表面贴装式：TO-263、TO-252、SOP-8、SOT-23、DFN5*6、DFN3*3;不同的封装形式，MOS管对应的极限电流、电压和散热效果都会不一样，简单介绍如下。

　　1、TO-3P/247

　　TO247是比较常用的小外形封装，表面贴封装型之一，247是封装标准的序号。

　　TO-247封装与TO-3P封装都是3引脚输出的，里面的裸芯片(即电路图)是可以完全一样的，所以功能及性能基本一样，最多是散热及稳定性稍有影响TO247一般为非绝缘封装,TO-247的管子一般用在大功率的POWER中,用作开关管的话，它的耐压和电流会比较大一点是中高压、大电流MOS管常用的封装形式，产品具有耐压高、抗击穿能力强等特点，适于中压大电流(电流10A以上、耐压值在100V以下)在120A以上、耐压值200V以上的场所中使用。

　　2、TO-220/220F

　　这两种封装样式的MOS管外观差不多，可以互换使用，不过TO-220背部有散热片，其散热效果比TO-220F要好些，价格相对也要贵些。这两个封装产品适于中压大电流120A以下、高压大电流20A以下的场合应用。

　　3、TO-251

　　该封装产品主要是为了降低成本和缩小产品体积，主要应用于中压大电流60A以下、高压7N以下环境中。

　　4、TO-92

　　该封装只有低压MOS管(电流10A以下、耐压值60V以下)和高压1N60/65在采用，主要是为了降低成本。

　　5、TO-263

　　是TO-220的一个变种，主要是为了提高生产效率和散热而设计，支持极高的电流和电压，在150A以下、30V以上的中压大电流MOS管中较为多见。

　　6、TO-252

　　是目前主流封装之一，适用于高压在7N以下、中压在70A以下环境中。

　　STD2NK100Z的参数

　　技术: Si

　　安装风格: SMD/SMT

　　封装 / 箱体: TO-252-3

　　通道数量: 1 Channel

　　晶体管极性: N-Channel

　　Vds-漏源极击穿电压: 1 kV

　　Id-连续漏极电流: 1.85 A

　　Rds On-漏源导通电阻: 8.5 Ohms

　　Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V

　　Vgs - 栅极-源极电压: 10 V

　　Qg-栅极电荷: 16 nC

　　最小工作温度: - 55 C

　　最大工作温度: + 150 C

　　Pd-功率耗散: 70 W

　　配置: Single

　　通道模式: Enhancement

　　商标名: SuperMESH

　　封装: Cut Tape

　　封装: MouseReel

　　封装: Reel

　　高度: 2.4 mm

　　长度: 6.6 mm

　　系列: STD2NK100Z

　　晶体管类型: 1 N-Channel Power MOSFET

　　宽度: 6.2 mm

　　商标: STMicroelectronics

　　正向跨导 - 最小值: 2.4 S

　　下降时间: 32.5 ns

　　产品类型: MOSFET

　　上升时间: 6.5 ns

　　工厂包装数量: 2500

　　子类别: MOSFETs

　　典型关闭延迟时间: 41.5 ns

　　典型接通延迟时间: 7.2 ns

　　单位重量: 4 g