第五章 主存储器

5.1 半导体存储器

5.1.1 半导体存储器的分类

1.随机存取存储器RAM，断电后原保存的信息将丢失

（1）静态RAM，以触发器电路为基本存储单元，优势是速度快、无需刷新，但其集成度低，功耗和价格较高，多用于存储容量不大或速度较高的场合。

（2）动态RAM，以单个MOS管为基本存储单元，需要不断地刷新操作。优势是集成度高、价格低、功耗小，但速度较慢，常用于存储容量较大地场合。

2.只读存储器ROM

（1）掩膜ROM（2）一次性可编程ROM（3）可擦除可编程ROM，紫外线（4）电擦除可编程ROM（5）闪速存储器，扇区为基本数据单位

5.1.2 半导体存储器芯片的结构

图5-2

1.存储矩阵

存储结构反映芯片地址引脚M和数据引脚个数N的关系如下：

芯片的存储容量 = 存储单元数 × 每个存储单元的数据位数 = 

2.读写控制

（1）片选信号，常为

（2）读控制信号

（3）写控制信号

5.1.3 半导体存储器的主要技术指标

1.存储容量

2.存取速度

5.2 随机存取存储器RAM

5.2.1 SRAM

5.2.2 DRAM

1.行地址选通信号和列地址选通信号

2.每次只对一行进行刷新

5.3 只读存储器

5.4 半导体存储器的连接

图5-22

5.4.1 存储器芯片的地址译码

1.地址译码，译码是指将某个特定的编码输入翻译为有效输出的过程。

2.门电路译码

3.译码器

4.全译码和部分译码

使用全部的微处理器地址总线，低位地址信号实现片内寻址，高位地址实现片选地址，这种译码方式称为全译码方式。    特点是地址唯一，一个存储单元只对应一个存储器地址，组成的存储系统的地址空间连续。

部分译码只使用部分系统地址总线进行译码，出现了地址重复，一个存储单元对应多个存储器地址，浪费了存储空间。

存储器地址译码一般使用全译码，部分译码在I/O地址译码中经常使用，PC机也是这样。

5.4.2 存储容量的扩充

1.位扩展

2.字扩展，扩展存储单元数，片选

3.8086的16位存储结构。偶存储体 第八位 奇存储体 高八位