STM32F030系列 HAL库FLASH读写（当EEPROM用）

此处以STM32F030F4P6为例，HAL库版本为Keil.STM32F0xx_DFP.2.1.1

1、解锁：程序下载后，默认Flash空间是保护的，所以要先进行解锁。我想大家都知道，解锁就是对FLASH_KEYR寄存器写两次数据，第一次是0x45670123，第二次是0xCDEF89AB，对应有现成的HAL库函数直接使用，HAL_FLASH_Unlock()。

2、擦除：关于Flash闪存的电气特性：flash编程原理只能将1写成0，不能将0写成1，等同于按位与的关系。比如经过擦除后的存储状态是0xFF（0b11111111），此时写一个数据0x03（0b00000011），也就是0xFF&0x03=0x03，则该空间存储状态即可变为0x03。如果不擦除，再给这个存储空间写0x04（0b00000100），则新的状态至为0x03&0x04=0x03，还是0x03。如果还不擦除，再给这个空间写0x01这个数据，则0x03&0x01=0x01，嗯，这个数是对的了。正是这个电气原理，所以在给Flash空间更新数据时，一定要先擦除再写，才能保证新的数据正确生效。（PS：有一种存储器叫EEPROM是可以将位1覆盖成0，将0覆盖成1，这种存储器写的时候就可以直接覆盖写，不用先擦除）。话太多，网上很多代码用HAL_PageErase（）函数，但是STM32F030对应的方法HAL_FLASHEx_Erase：

FLASH_EraseInitTypeDef EraseInitStruct;
EraseInitStruct.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES;
EraseInitStruct.PageAddress = ADDR_PG15;//这个page地址，实际是目标page所在空间首地址吧，这个ADDR_PG15是我自己定义的宏，对应0x08003F00
EraseInitStruct.NbPages = 1;
    
uint32_t PageError=0;//此处应该是错误跳转函数（地址）的，我直接略
uint32_t temp=0;
while(HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct, &PageError) != HAL_OK)
  {

        //while里做什么，你自己定义，我这里怕出错，超时退出
        temp++;
        if(temp>1000000UL)
        {
            break;
        }  
  }    

再啰嗦，为什么是擦除页？这也是flash电气原理决定的，falsh擦除是耗时的，几百us至数ms级别，如果你想一个字一个字的改写，那耗时就大了，所以直接设计了一个最小擦除空间，一般以页为单位；还有块空间，或者整个芯片，这样这个程序烧写更新时，擦除也就非常快了。

3、写：注意主Flash只能是16位的写。你可在用户手册中搜索“The main Flash memory can be programmed 16 bits at a time”。如果是8位或者32位都会报错。虽然和FLASH_TYPEPROGRAM相关的宏定义有WORD和DOUBLEWORD，但WORD和DOUBLEWORD并不是给STM32F030F4P6用的，或者说不是给用户使用的。

#define FLASH_TYPEPROGRAM_HALFWORD   (0x01U)  /*! #define FLASH_TYPEPROGRAM_WORD       (0x02U)  /*! #define FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD (0x03U)  /*!

所以只能是FLASH_TYPEPROGRAM_HALFWORD：

uint32_t target_addr=0x08003F00;

uint16_t target_data=0x3344;

HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_HALFWORD,target_addr,target_date);

4、读，读就是指针读数喽，可以直接读32位的

uint32_t target_addr=0x08003FAA;

uint32_t target_data=0;

target_data=(*(uint32_t *)(target_addr));