计算机组成原理第二章第三丶四节知识总结

3.3动态随机存取存储器

3.3.1DRAM存储元的工作原理

计算机组成原理第二章第三丶四节知识总结_第1张图片

3.3.2DRAM芯片的逻辑结构

(1)增加了行地址锁存器和列地址锁存器。由于DRAM存储器 容量很大,地址线宽度相应要增加,这势必增加芯片地址线 的管脚数目。为避免这种情况,采取的办法是分时传送地址 码。若地址总线宽度为10位,先传送地址码A0~A9,由行 选通信号RAS打入到行地址锁存器;然后传送地址码A10~ A19,由列选通信号CRS打入到列地址锁存器。芯片内部两 部分合起来,地址线宽度达20位,存储容量为1M×4位。(2)增加了刷新计数器和相应的控制电路。DRAM读出后必须刷 新,而未读写的存储元也要定期刷新,而且要按行刷新,所以 刷新计数器的长度等于行地址锁存器。刷新操作与读/写操作是 交替进行的,所以通过2选1多路开关来提供刷新行地址或正常 读/写的行地址。

3.3.3DRAM读/写时序

读周期、写周期的定义是从行选通信号RAS下 降沿开始,到下一个RAS信号的下降沿为止的时间,也就是连续两个读周期的时间间隔

通常为控制方便,读周期和写周期时间相等。

3.3.4DRAM的刷新模式

(1)集中式刷新:DRAM的所有行在每一个刷新周 期中都被刷新。

(2)分散式刷新:每一行的刷新插入到正常的读/ 写周期之中。

3.3.5突发传输模式

突发(Burst)访问:指在存储器同一行中对相邻的 存储单元进行连续访问的方式,突发长度可以从几字节到数千字节不等。由于访问地址是连续的,只需要 向存储器发送一次访问地址。

3.3.6同步DRAM(SDRAM)

SDRAM(同步型动态存储器):计算机系统 中的CPU使用的是系统时钟,SDRAM的操作 要求与系统时钟相同步,在系统时钟的控制下 从CPU获得地址、数据和控制信息。

3.3.7双倍数据率SDRAM(DDR SDRAM)

双倍数据率SDRAM即DDR SDRAM,在时钟 的上升沿和下降沿都能传输数据,能够提供更 快的操作速度和更低的功率。DDR SDRAM之后,相继又出现了DDR2、 DDR3和DDR4等SDRAM技术。

3.3.8DRAM读/写校验

3.3.9CDRAM

CDRAM(带高速缓冲存储器(cache)的动态存储器):在通常的DRAM芯片内又集成了一个小容 量的SRAM,从而使DRAM芯片的性能得到显著改进。 如图所示出1M×4位CDRAM芯片的结构框图,其中 SRAM为512×4位。

3.4只读存储器

3.4.1只读存储器概述

(1)掩模ROM

是一个存储内容固定的ROM, 由生产厂家提供产品结构列阵和存储单元。

(2)可编程ROM:用户后写入内容,有些可以多次写入

①一次性编程的PROM

②多次编程的EPROM和E2PROM

 

 

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