Cadence IC layout学习笔记二

实例1 二极管的伏安特性曲线分析

• 进入工作环境，打开软件：
  
• 通过以下方式（File > New > Cellview）为二极管创建一个cell view：
  
• 进入原理图模式，创建以下电路：
  
• 进行仿真，选择Tools > Analog Environment：
  
• 为模型库建立仿真路径（一般这个需要前期安装，已装好，选择默认即可）：
  
• 通过Analysis > Choose，选择dc直流分析模式，并设置如下参数：
  
• 通过原理图来选择要测量的参数：选择线即测此点的电压值，选择图中红色结点或元器件测此处的电流值：
  
• 开始仿真Simulation > Netlist and Run (第一次仿真时选择建立网络表并运行，之后的仿真可以直接使用Run)：
  
• 上图为仿真所产生的输出日志文件；
• 产生波形如下：
  
• 通过设定坐标轴来获得电流-电压曲线 Axis > X Axis：
  
• 将X轴设定为二极管的管上电压降：
  
• 删掉二极管负极电流，即可得到伏安特性曲线：
  

实例2 双极型晶体管的伏安特性

• 同理，首先为双极型晶体管电路新建一个cell view，利用原理图编辑所需要的仿真电路：
  
• 这里有个小技巧，如果看不到元器件周围的参数，可以点击ADE > Results > Annotate > Component Parameters，从而调出周围参数；
• 设置变量VBB的值：
  
• dc sweep仿真设置如下：
  
• 设置ADE：
  
• 选择测量点，晶体管U_CE电流I_C的关系，运行可得：
  
• 选择参变量分析（ADE中，点击Tools > Parametric Analysis），将V_BB设置成-2V到5V，逐个单点进行DC Sweep：
  
• 点击start即可：
  

实例3 反相器

• 按图示连接电路：
  
• 设置电源V0参数：
  
• 设置电源V1参数：
  
• 设置voltage1为0，voltage2为1.8V，Delay time是延迟时间，Rise time为上升时间，Fall time为下降时间，Pulse time是脉冲宽度，也就是voltage2的持续时间，Period是方波的周期，这样一个方波就被完全确定了，点击OK退出即可。
• MOS管的参数就是使用0.18um的默认工艺库参数，暂不不做修改。
• 进入ADE仿真环境，并设置：
  
• 运行仿真，得到仿真日志：
  
• 在tools中选择results browser：
  
• 打开如下窗口，并选择net1（信号输入）跟net9（信号输出），append到绘图窗口：
  
• 得到输入输出曲线图：
  
• 点击上图中红色按钮，分开两个信号波形：
  
• 选择绿色按钮，并用鼠标点击某处拖拉，可放大此处波形：