绝缘栅场效应管(MOS管)

MOS管也被称为金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。绝缘栅场效应管的栅极和源极、栅极和漏极之间均采用SiO2绝缘层隔离,它一般有耗尽型和增强型两种。如果导电沟在产品制造时就形成就称为耗尽型;相反如果是利用外加栅极-源极电压形成电场产生的导电沟,就称为增强型MOS管。MOS结构示意和符号如下图:

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对于N沟道MOS管,栅极和源极(衬底一般和源极连接在一起)加正向电压(g接正极,s接负极)且电压大于开启电压时,两个扩散的N型半导体间会出现一个与衬底反型的导电沟(即电子层),此时源极和漏极之间导通。同理对于P沟道MOS管,只有在栅极和源极间加反向电压且反向电压小于一定值时才会形成导电沟,漏源之间导通。

以N沟道为例,MOS管转移特性和输出特性如下图
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