MOSFET

GaN HEMT：未来功率半导体

硅基金属氧化物自1960年代以来，硅基金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）一直是电力电子应用的标准。

David WangYang·2024-09-13 01:01

简洁易懂的方式讲解MOS管（MOSFET）

什么是MOS管？想象你在家里的电灯开关，它的作用就是控制电流通过灯泡，进而控制灯泡的亮灭。MOS管（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor，金属氧化物半导体场效应管）就像是一个非常高级的电子开关，但它的工作方式有点不同。MOS管的基本结构MOS管有三个主要部分：源极（Source）：这是电流的入口。漏极（Drain）：这是电流的出口。栅极（G

空间机器人·2024-09-07 13:50

JOULWATT/杰华特代理 JW5250S SOT23-5 1A、6V、1.5MHz、40uA IQ 同步降压转换器

JW5250S的输入范围为2.7V-6.0V，通过集成P沟道和N沟道MOSFET提供1A的连续输出电流。内部同步电源开关提供了高效率。在轻负载下，调节器在低频率下运行，以保持高效率和低输出纹波。

宏源世纪-niki·2024-09-06 18:16

助力汽车半导体产业蓬勃发展︱尽在2024 广州国际新能源汽车功率半导体技术展览会

按照功能划分，汽车半导体可大致分为功率半导体（IGBT和MOSFET等）、MCU、传感器及其他等元器件。

ws201907·2024-09-05 11:17

MOS管基础知识与应用

1，MOS管种类和结构MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到

husion01·2024-08-24 04:13

硬件工程师必须掌握的MOS管详细知识

MOS管，全称为金属-氧化物半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor，MOSFET），是一种重要的半导体器件，广泛应用于电子工业中各种电路的开关

硬件大脑·2024-08-24 04:42

惠海HC070N06LS丝印606A 60V6A 6N06 小体积封装抗性好大电流NMOS 船上照明LED

MOS管，即金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET），是一种在电子领域中至关重要的半导体器件。主营种类：1.PMOS（P型MOS管）：PMO

HH18925796970·2024-08-22 12:10

惠海H6601 DCDC降压恒压芯片支持12V24V36V48V60V72V80V转3.3V 5V 手持打印机/POE

H6601是一款内置功率MOSFET降压开关转换器。在宽输入范围内，其持续输出最大电流0.5A,具有极好的负载和线性调整率。电流控制模式提供了快速瞬态响应，并使环路更易稳定。

HH18925796970·2024-08-22 12:40

车载充电器（OBC）氮化镓（GaN）驱动（高压高功率）设计（第四篇）

相较于传统的硅基MOSFET或IGBT等功率开关器件，GaNFET具有以下显著优势：高频性能优异：氮化镓材料拥有更高的电子迁移率和饱和漂移速度，因此GaNFET在高

初心不忘产学研·2024-02-05 13:45

场效应管学习笔记

场效应管主要有两种类型：结型场效应管（JFET）和金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET）。MOSFE

㉨㉨·2024-02-04 19:45

Global SiC MOSFET Modules Market Size Is Projected to Grow from USD 1693 million in 2023

Accordingtothenewmarketresearchreport“GlobalSiCMOSFETModulesMarketReport2023-2029”,publishedbyGlobalInfoResearch,theglobalSiCMOSFETModulesmarketsizeisprojectedtogrowfromUSD1693millionin2023toUSD9218.2

市场分析·2024-02-04 17:03

3D打印、自动升降超静电机驱动方案TMC2209

集成功率MOSFET可处理高达2ARMS的电机电流，具有保护和诊断功能，以实现稳健可靠的运行。一个简

卓联微范同学·2024-02-03 04:26

不会设计降压转换电路？手把手教你原理、公式、步骤及注意事项！

降压转换电路降压转换器用作电压调节器，同时利用BJT、MOSFET或IGBT等半导体部件的开关动作。Q1会不断开关，D1充当续流二极管，L1将充电和放电

BinaryStarXin·2024-02-02 23:42

小尺寸，设计紧凑 NVMFS5C430NWFAFT1G、NVMFS5C420NLT1G、NVMFS5C628NLWFAFT1G、NVMFS5C628NLT1G单 N 沟道，汽车用功率MOSFET

这些功率MOSFET具有低RDS(on)值和低电容，可最大限度地降低导通和驱动器损耗。

Mandy_明佳达电子·2024-02-02 13:21

用于工厂自动化和机器人的 DRV8434EPWPR、DRV8434ARGER、DRV8452DDWR、DRV8452PWPR、DRV8462DDWR步进电机驱动器

DRV8434EPWPR具有集成电流检测功能的2.5A双极步进或双通道有刷电机驱动器电机类型-步进：双极性电机类型-AC，DC：有刷直流功能：驱动器-全集成，控制和功率级输出配置：半桥（4）接口：开/关技术：功率MOSFET

Mandy_明佳达电子·2024-02-02 13:21

场效应和MOS管有什么区别呢？

1.场效应管（FET）分为MOS场效应管（MOSFET）和结型场效应管（JFET）。现在主要使用MOS场效应管，即通常所称的MOS管。

Sofie_6804·2024-02-01 19:42

mos 多路模拟电子开关_模拟多路开关-MOSFET全解.ppt

模拟多路开关-MOSFET全解1.漏电流漏电流:通过断开的模拟开关的电流，用IS表示。

Sky李晓峰·2024-01-31 00:41

WS4665D-8/TR单通道负载开关WILLSEM封装DFN2x2-8L

该器件包含一个N沟道MOSFET可以在0.8V至0.8V的输入电压范围内工作5.5V并且可以支持最大连续电流6A。开关由开/关输入（ON）控制，它能够直接与低压接口控制信号。

szriley123·2024-01-31 00:11

小尺寸、设计紧凑的NTMYS003N08LHTWG、NTMYS010N04CLTWG、NTMYS011N04CTWG（工业用）N沟道功率MOSFET

1、NTMYS003N08HL功率MOSFET80V,132A,3.3mΩ单N通道NTMYS003N08LHTWGN沟道功率MOSFET专为紧凑高效的设计而打造，采用5mmx6mmLFPAK封装。

Summer-明佳达电子·2024-01-30 10:51

【分立器件】紧凑型、高能效设计的 NVMFD5C470NT1G、NVMFD6H846NLT1G、NVMFS6H864NLWFT1G、NVMFS6H864NLT1G 汽车用功率MOSFET

器件选型：1、NVMFD5C470NT1G功率MOSFET40V，36A，11.4mΩ，双N沟道，逻辑电平技术：MOSFET（金属氧化物）配置：2N-通道（双）FET功能：-漏源电压（Vdss）：40V25

Summer-明佳达电子·2024-01-30 10:21

低导通电阻、汽车级STD20NF06LAG，STO47N60M6、STO33N60M6、STO36N60M6 600V MDmesh™ M6 功率MOSFET

1、STD20NF06LAG汽车级N沟道60V、32mOhm典型值、24ASTripFETII功率MOSFETSTripFETVI™功率MOSFET是采用ST专有STripFET™技术和新型栅极结构的增强模式

Summer-明佳达电子·2024-01-30 10:18

电路笔记 :MOS场效应晶体管+红外遥控+AMS1117 电源模块

三极管（BJT，BipolarJunctionTransistor）和MOSFET（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor）是两种不同类型的晶体管

FakeOccupational·2024-01-29 05:53

要想搞懂MOS管驱动电路，这些基础不可不看！

1MOS管种类和结构MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET)，可以被制造成

砖一谈芯·2024-01-28 04:38

超静音步进电机驱动芯片TMC5160介绍

外加MOSFET实现高达20A的电机线圈电流控制。带步进/方向接口和SPI。

卓联微范同学·2024-01-27 18:58

2019-03-16

型号：TMC2208-LA-T电机类型-步进:双极性电机类型-AC，DC:-功能:驱动器-全集成，控制和功率级输出配置:半桥（4）接口:4-40、6-32、8-32公母六角铝制螺纹支座技术:功率MOSFET

鲜花插在牛粪上·2024-01-26 13:12

自动驾驶SoC：自动驾驶竞赛的制高点

而功率器件集成度较低，属于分立器件，主要包括电动车逆变器和变换器中的IGBT、MOSFET等。传感器则包括智能车上的雷达、摄像头等

阿宝说车·2024-01-24 15:21

常用电子器件学习——MOS管

MOS管介绍MOS，是MOSFET的缩写。

zhoutanooi·2024-01-24 11:17

PMIC 基础知识浅析（四）

控制芯片与开关MOSFET分离型，MOSFET外置于PCB上，芯片仅提供智能控制功能。此类IC技术难度不大，前后端设计都非常成熟。

WPG大大通·2024-01-21 14:18

OR-343，IGBT驱动光耦，替代ACPL-W343，TLP5702等

OR-343具有MOSFET高输入阻抗和GTR低导通压降特性提供隔离反馈高隔离电压4.0A最大峰值输出电流3.0A最小峰值输出电流工业温度范围：–40°C至105°C宽工作VCC范围特征轨到轨输出电压。

Yyq13020869682·2024-01-19 19:21

双向DC/DC（boost/buck）工作原理

1、放电时：如下图所示，先通VD1和断开VD2，电感存储能量，再断开VD1，开始导通VD2（VD2也是mosfet，都是双向导通的，图中显示的是二极管是错的），电感电流不能突变，此时电感释放能量，完成回路

tiande_·2024-01-18 20:29

实现零的突破--国内首款兼容6Pin光耦栅极驱动器SLM34x系列SLM341

SLM34x系列SLM341是单通道兼容光耦的隔离式栅极驱动器产品，适用于驱动IGBT、MOSFET。其峰值驱动电流3.0A以及有不同的UVLO电压。

Hailey深力科·2024-01-17 06:48

SIC单晶衬底的常用检测技术

SiC衬底分为导电型和半绝缘型两种，各自适用于不同的外延层和应用场景：1.导电型SiC衬底：通过同质外延生长和器件制造工艺，可用于制造SiC二极管、金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）等功率器件

阿拉伯梳子·2024-01-14 15:08

SL3037B耐压60V降压恒压电源芯片外围元器件少电路简单

其工作原理是，通过内部的MOSFET开关管控制电感的充放电，从而实现电压的调节和输出。

QQ2355368872·2024-01-14 11:01

IP3005A 超高精度内置MOSFET 单节锂电池保护IC 英集芯

描述IP3005系列IC是一款超高精度的单节锂离子/锂聚合物电池保护芯片，它内置功率MOSFET，全集成了超高精度的过充电压、过放电压、过放电流、过充电流检测保护电路。

深圳市润泽芯电子有限公司·2024-01-12 07:27

PLECS如何下载第三方库并导入MOSFET 的xml文件，xml库路径添加方法及相关问题

1.首先xml库的下载，PLECS提供了一个跳转的链接。https://www.plexim.com/download/thermal_models2.下载一个库（以最后一个Wolfspeed为例，属于CREE的SiCMOSFET）下载这个就行，都包含了。不信自己可以试试再下载其他两个PLECS的库里面有三个压缩文件，解压后会看到一堆的xml文件3.PLECS中xml库的导入首先将现在的库放在你想

那一缕时光·2024-01-11 09:19

THB6128两相四线步进电机PWM驱动控制

该模块有以下优点：芯片使用双全桥MOSFET驱动，低导通电阻Ron=0.55Ω最高耐压36V，峰值电流2.2A，持续电流2A，电流设定通过拨码开关简单设定有1、2、4、8、16、32、64、128多种细分可选

优信电子·2024-01-10 23:23

IRF540资料手册数据分析

IRF540是一种功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，常用于高功率放大和开关应用。它具有较低的开关电阻和较高的电流承载能力。

捷配datasheet·2024-01-10 16:32

2SK3019 中低压MOSFET 60V 100mA 双N通道 SOT-723封装

2SK3019小电流双N通道MOSFET，电压60V电流100mA，采用SOT-723封装形式。适用于低RDS(on)的高密度电池设计，压控小信号开关，坚固可靠，ESD保护。

2301_79716471·2024-01-09 21:47

IGBT基本工作原理及IGBT的作用是什么?

由图2可知，若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通;若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V，则M

IC道合顺·2024-01-09 19:30

AOD414-VB场效应管一款N沟道TO252封装的晶体管

VBsemiAOD414-VBMOSFET参数：-封装：TO252-沟道类型：N—Channel-最大电压：30V-最大电流：100A-RDS(ON)：2mΩ@VGS=10V,VGS=20V-阈值电压：1.9V应用简介：该MOSFET

VBsemi_MOS·2024-01-08 18:04

IRF9520NPBF-VB一款P沟道TO220封装MOSFET应用分析

P—Channel沟道-额定电压：-100V-额定电流：-18A-RDS(ON)：167mΩ@VGS=10V,20V-阈值电压：-1.6V-**应用简介：**-IRF9520NPBF-VB是一款P沟道场效应晶体管（MOSFET

VBsemi_MOS·2024-01-08 18:04

FDN360P-NL-VB一种P沟道SOT23封装MOS管

P—Channel沟道-额定电压：-30V-额定电流：-5.6A-RDS(ON)：47mΩ@VGS=10V,20V-阈值电压：-1V-**应用简介：**-FDN360P-NL-VB是一款P沟道场效应晶体管（MOSFET

VBsemi_MOS·2024-01-08 18:33

FR1205-VB一种N沟道TO252封装MOS管

参数:N沟道,60V,45A,RDS(ON)24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V)封装:TO252详细参数说明和应用简介：1.沟道类型：N沟道-这表示这是一种N沟道MOSFET

VBsemi_MOS·2024-01-08 18:33

VD4056H 输入高耐压30V 带OVP反接功能适用于TYPEC口的高浪涌电压

VD4056H采用了内部P-MOSFET架构，并含防倒充功能，所以无需外部检测电阻和隔离二极管。在温度过高后此芯片可对充电电流进行自动调节，以便在大功率操作或高环境温度条件下限制自身和系统温度。

深圳恒森宇电子·2024-01-08 16:26

（03）光刻——半导体电路的绘制

01、绘制精细电路的第一步金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的革命，让我们可以在相同面积的晶圆上同时制造出更多晶体管。

阿拉伯梳子·2024-01-05 16:53

（02）半导体前道制程工艺概览

01、半导体制程工艺概览在第一篇的最后，我们说到金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的平面式结构让人们可以在晶圆上同时制造出好几个MOSFET。

阿拉伯梳子·2024-01-05 16:49

TTL与CMOS电平

CMOS技术后来出现，使用了互补对称的P型和N型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），更适合于微型化和低功耗应用。电压标准常用的会有5V、3.3V、2.5V和1.8V。

弱冠少年·2024-01-05 10:00

保证 MOSFET 的栅极驱动类似一个电压源，具有尽可能小的阻抗。

MOSFET的栅极驱动需要类似于电压源的特性，因为栅极驱动的主要作用是控制MOSFET的导通和截止。当栅极电压发生变化时，MOSFET的导通状态也会相应地改变。

手搓机械·2024-01-05 06:07

DC-DC内置MOS降压恒流IC——FP8013开关稳压器，便携式照明

高侧MOSFET的源电流波形为方波。为了防止较大的电压瞬变，必须使用一个具有最大RMS电流大小的低ESR输入电容器。

调光IC小雅·2024-01-04 23:06

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