IXFH4N100Q-ASEMI代理艾赛斯MOS管IXFH4N100Q

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IXFH4N100Q-ASEMI代理艾赛斯MOS管IXFH4N100Q

型号:IXFH4N100Q

品牌:IXYS/艾赛斯

封装:TO-247

最大漏源电流:4A

漏源击穿电压:1000V

RDS(ON)Max:3Ω

引脚数量:3

工作温度:-55℃~150℃

沟道类型:N沟道MOS管、高压MOS管

IXFH4N100Q特点

低栅极电荷和电容

-更易于驾驶

-更快的切换

国际标准包装

RDS低(打开)

无阻尼感应开关(UIS)

额定的,额定的

可燃性分类

IXFH4N100Q概述:

IXFH4N100Q最受欢迎的功率MOSFET适用于硬开关和谐振模式应用,提供低栅极电荷和快速本征二极管的优异耐用性。有许多标准工业包装可供选择,包括隔离型

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