ASEMI代理艾赛斯MOS管IXFH4N100Q,IXFH4N100Q参数

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IXFH4N100Q参数描述:

型号:IXFH4N100Q

VDSS:1000V

VDGR:1000V

VGS:±20

ID25:4A

IDM:16A

PD:150W

TJ,Tstg:-55 to +150℃

Weight:6g

VGS(th):5V

IGSS:±100 nA

IDSS:50uA

RDS(on):3Ω

Ciss:1050pF

IS:4A

ISM:16A

VSD:1.5V

Trr:250 ns

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IXFH4N100Q特征:

IXYS先进的低Qg工艺

低栅极电荷和电容

-更易于驾驶

-更快的切换

国际标准包装

RDS低(打开)

额定无阻尼感应开关(UIS)

模塑环氧树脂符合UL94V-0可燃性分类

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