理解空穴电流

理解空穴电流

近日闲来无事,翻起来模电看了起来,在看到关于三极管的一张图时,对三极管的 I E P {I}_{EP} IEP电流无法理解。

理解空穴电流_第1张图片

I E P {I}_{EP} IEP电流,教材上的解释是基区空穴形成的空穴电流。

于是我就收集了相关资料,去研究了一下…

本征半导体

我首先收集了本征半导体的相关资料,如下图所示,本征半导体,例如Si,其外层拥有四个电子,这个四个电子与其它Si原子形成了共价键,结合在了一起。

当得到一定的能量(比如:热量、光照等),少量的价电子就会摆脱束缚跑出来,成为自由移动的电子,称之为本征激发。当外加电场时,带负电的自由电子逆向移动,形成电流。

理解空穴电流_第2张图片

P型半导体

P型半导体则是在本征半导体的基础上掺入微量的三价元素,比如B(硼)或者In(铟)。如下图所示,由于三价元素的掺入,Si的外层有一个电子可能无法配对,于是就形成了空穴。

但是由于本征激发的存在,P型半导体中也存在自由电子。

因此,P型半导体中,空穴是多子,而自由电子是少子。

理解空穴电流_第3张图片

N型半导体

N型半导体则是在本征半导体的基础上掺入微量的五价元素,比如P(磷)或者As(砷)。如下图所示,由于五价元素的掺入,五价元素的外层多了一个电子无法配对,就形成了自由电子。

同理由于本征激发的存在,N型半导体中也有空穴。

因此,N型半导体中,自由电子是多子,而空穴是少子。

理解空穴电流_第4张图片

PN结正偏时的电子运动情况

我们知道,二极管想要导通,就需要让PN结正偏,以抵消内电场。

下面我们分析正偏时的电流是如何形成的。如下图所示:

当PN结正偏,对于电子而言电场力的方向是从N指向P的。于是N区所有的电子都收到了一个向左的力。

自由电子受到电场力之后向左移动,形成了电流。

下面是关键部分,少部分共价键中的电子,由于受到了电场力,也可能挣脱共价键的约束,从而向左移动,这个时候原地就留下了空穴。当这部分电子抵达N区时,填充了N区中的空穴,与N区的电子形成了共价键,于是N区的空穴就消失了。这看起来就好像,空穴从左侧移动到右侧一样。

理解空穴电流_第5张图片

其实空穴电流本质上还是电子的运动,在N区中,共价键中的电子挣脱共价键的约束,进入了P区,形成的电流。

回头再来看这张图,就很好理解了。

I E N {I}_{EN} IEN是N区中自由电子移动受电场力作用所形成的电流。

I E P {I}_{EP} IEP是N区中共价键中的电子挣脱共价键的约束,进入了P区,形成的电流。

I C B O {I}_{CBO} ICBO有两部分组成,一部分是P区中的少子(自由电子)受电场力的作用形成的电流,一部分是P区中共价键中的电子挣脱共价键的约束,向N区移动形成的电流(空穴电流)。

理解空穴电流_第6张图片

本人非电子工程专业,上面仅为个人理解,如有错误,请指教,thanks~

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