650V IGBT 模块（FAM65V05DF1）NTMFD5C470NLT1G和NTMTS0D7N04CTXG（40V）表面贴装 MOSFET

FAM65V05DF1智能电源模块（IPM）是高度集成的固态电源开关，在单个模块中集成了基于IGBT或MOSFET的栅极驱动电路。IPM还包括电源系统免受短路、欠压和极端温度等问题的保护。

该IPM具有高集成度、小封装和出色的冷却性能，有助于设计人员降低系统成本。这些器件通过简单的组装/组件概念降低了组装/组件成本，并缩短了上市时间，其功率级已经过优化，可满足开关特性和EMI性能之间的最佳平衡。这些IPM还提高了短路额定IGBT的可靠性，这些IGBT由坚固的栅极驱动器IC驱动，采用坚固的转移模塑封装。

650V IGBT 模块（FAM65V05DF1）NTMFD5C470NLT1G和NTMTS0D7N04CTXG（40V）表面贴装 MOSFET —— 明佳达

特性：
• 符合AEC-Q101标准，并具有PPAP功能选项
• 1200V和650V，带现场终止型SCR（硅控制整流器）IGBT
• 宽功率密度：3A至75A
• 真正的NTC、BSD和经市场验证的HVIC集成

器件：FAM65V05DF1
类型：IGBT
配置：3 相
电流：50 A
电压：650 V
电压 - 隔离：2500Vrms
安装类型：通孔
封装/外壳：27-PowerDIP 模块（0.300"，7.62mm）
基本产品编号：FAM65V05

NTMFD5C470NLT1G 40V 双N通道功率MOSFET集成有肖特基，采用DFN8 (SO8FL) 封装。该N沟道功率MOSFET是内置功率级的解决方案，可最大限度地减少电路板占用空间，最大限度地降低寄生电感并降低功耗。该款双N通道功率MOSFET无铅、无卤/无BFR，符合RoHS指令。典型应用包括直流-直流转换器、系统电压轨以及负载点。

技术：MOSFET（金属氧化物）
配置：2 N-通道（双）
FET 功能：-
漏源电压（Vdss）：40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：11A（Ta），36A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：11.5 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 20µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：9nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：590pF @ 25V
功率 - 最大值：3W（Ta），24W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：8-PowerTDFN
供应商器件封装：8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）
基本产品编号：NTMFD5

NTMTS0D7N04CTXG器件是一款采用ON半导体的先进Power Trench工艺（结合屏蔽栅极技术）制造而成的40V N沟道功率MOSFET。该工艺经过优化，可最大限度地降低导通电阻，另外还采用出色的软体二极管，可保持卓越的开关性能。NTMTS0D7N04C具有420A连续漏极电流 (ID) 和0.67mΩ（最大值）低漏极-源极导通电阻 (RDS(on)）。

FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：65A（Ta），420A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：0.67 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：140 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：9230 pF @ 25 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：4.9W（Ta），205W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：8-DFNW（8.3x8.4）
封装/外壳：8-PowerTDFN
基本产品编号：NTMTS0

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