nmos管（型号IRLR8726）中文资料汇总

 

上面是我在网上找得公开的规格书

来着：

IRLR8726 datasheet(1/2 Pages) ISC | N-Channel MOSFET Transistor

基本上规格书都包括这3部分：

absolute maximum ratings：绝对最大额定参数

thermal characteristics：热传导特性; 温度系数; 散热设计; 热特性;

electrical characteristics:电气特性; 电气性能; 电子特性; 电特性; 电性能;

绝对最大额定参数的理解：

 绝对最大额定值的含义是什么 - 百度文库

对了，这里为了简便，我没有严格的按照大小写，上下标来写这些英文参数符号，比如vdss，其实是一个大写的v下标是dss，其实这些符号大写还是小写是有区别的。这里就结合原文档来看吧。

vdss

漏-源电压，DS击穿电压.当Vgs=0V时，MOS的DS所能承受的最大电压

vgs

栅-源电压，最大GS电压.

id

最大DS电流.会随温度的升高而降低

idm

最大脉冲DS电流.会随温度的升高而降低，体现一个抗冲击能力，跟脉冲时间也有关系

pd

最大耗散功率，这里可以理解成最大工作功率

tj

最大工作结温，可理解成最高工作温度

tstg

最大存储温度

rth（j-c）

通道到外壳的热阻

rht（j-a）

通道到内部的热阻

Thermal芯片工作温度知识 - 百度文库

热阻（thermal resistance）是一个和热有关的性质，是指在有温度差的情形下，物体抵抗传热的能力。热导率越好的物体，热阻通常会比较低。

（绝对）热阻R，单位是K/W，是一特定物体的特性，例如散热片就会标示其热阻。

比热阻（Specific thermal resistance）Rλ，单位(K·m)/W，是材料特性。

热绝缘系数（Thermal insulance，在国际标准制下单位为(m2K)/W，在英制下为(ft2·°F·hr)/Btu。是一材料单位面积下的热阻。若是在隔热的应用上，会用隔热R值来量测。

电气特性都是有典型值和条件的：

bvdss 

DS击穿电压

vgs（th）

gs开启电压

rds（on）

DS的导通电阻.当Vgs=10V时，MOS的DS之间的电阻

igss

GS驱动电流，nA级的电流.

idss

饱和DS电流，uA级的电流

vsd

二极管正向电压