MR756,MR760国鼎电子汽车用整流二极管电性参数

MR756在BUTTON封装里采用的1个芯片,是一款汽车用整流二极管。MR756的浪涌电流Ifsm为400A,漏电流(Ir)为25uA,其工作时耐温度范围为-65~175摄氏度。MR756采用抗冲击硅芯片材质,里面有1颗芯片组成。MR756的电性参数是:正向电流(Io)为6A,反向耐压为600V,正向电压(VF)为1.25V,其中有2条引线。

MR756参数描述

型号:MR756、MR760

封装:CASE-194-04

特性:汽车用整流二极管

电性参数:6A 600V-1000V

芯片材质:抗冲击硅芯片

正向电流(Io):6A

芯片个数:1

正向电压(VF):1.25V

浪涌电流Ifsm:400A

漏电流(Ir):25uA

工作温度:-65~+175℃

引线数量:2

MR756、MR760轴向封装系列。它的本体长度为6.25mm,加引脚长度为57.55mm,宽度为8.69mm,高度为8.69mm,脚长度为25.65mm。

产品广泛应用于:开关电源、LED照明、集成电路、移动通讯、计算机、工业自动化控制设备、汽车电子以及液晶电视、IoT、智能家居、医疗仪器、 电磁炉等大小家电。

MR756,MR760国鼎电子汽车用整流二极管电性参数_第1张图片

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