SSD寿命规格,业界标准为TBW,TBW指的是Terabyte Writteb写入的兆兆字节,也有定义为Total Bytes Written,SSD使用寿命结束之前指定工作量可以写入SSD的总数据量,用来表达固态硬盘的寿命指标。
因为 SSD 使用 NAND 做为存储介质,SSD 的寿命本质上受限于 NAND 的寿命。NAND 寿命的量化指标叫 P/E Cycles,也就是写入/擦除(program / erase)次数,因为 NAND 是以页(page)为单位写入数据,以块(block)为单位擦除,对于已经写入数据的 block,必须将原有数据进行搬移,SSD 是通过“垃圾回收”(Garbage Collection,GC)的机制来回收被无效数据占用的空闲空间,GC 额外搬移的数据需要用到 SSD 的 OP(Over-provisioning)预留空间。对整个 block 的数据擦除后才能允许新数据写入。一写一擦就会消耗 NAND 一个 P/E。
在 NAND 还是 2D 平面时代,TLC NAND PE 只有 500-1000,但在 NAND 进入 3D 堆叠时代后,用于企业级 SSD 的 3D eTLC 可以达到 5000~10,000 PE。
SSD 寿命的单位有两种,PBW(或 TBW)和 DWPD。
PBW/TBW:全称是 Petabytes/Terabytes Written,也就是在 SSD 的生命周期内允许的主机端数据写入量。1PBW = 1000TBW
TBW与业务模型强相关,因此,需要固定业务模型,并计算出在此种业务模型下,实际的TBW:
TBW=host_bytes_written差值321024*1024/1024/1000/1000/1000/1000/timed_workload_media_wear
DWPD:全称是 Drive Writes Per Day。也就是在生命周期内(一般为 5 年),SSD 每天允许全盘写入的次数。DWPD 和 PBW/TBW 可以相互换算,公式如下:
DWDP意味着每天可以对SSD整体擦写几次,可以根据业务大小选定合适DWDP的SSD。
不同工作负载因为数据分布的不同触发“垃圾回收”(GC)的粒度不同。GC 在进行无效数据的搬移时会引入额外的系统数据写入,带来写放大 WA(Write Amplification),也就是实际用户写一笔数据,真正写入到 SSD 的可能需要 2-3 笔。写放大因子(Write Amplification Factor,简称 WAF)是 NAND 总写量除以用户预期的数据写入量的比率,通过 WAF 可以对 WA 引入的多余写入量进行量化。
smartctl -a /dev/nvme5n1(或者smartctl -x /dev/nvme5n1)
Data Units Written是指软件写入硬盘的数据量,单位是1000 * 512bytes,换算GB为6,081,467,848*1000*512bytes /1000/1000/1000/1000/1000 = 3.11PB
计算DWPD需要得到测试期间磁盘磨损度数据以计算TBW,可以通过Solidigm盘测试方法:
1.sst工具查询NVMe盘对应的ID:sst show -ssd;
2.测试之前用sst工具先reset硬盘sst reset -ssd 3 -enduranceanalyzer;
3.测试业务结束后nvme intel smart-log-add /dev/nvme2n1查看smart信息;
timed_workload_media_wear表示从sst命令重置后,写入的数据,增加的磨损度63.999%
/opt/MegaRAID/storcli/storcli64 /call show
smartctl -a -d megaraid,8 /dev/sda
(35是PD LIST里的DID)
DID和盘符的对应关系可以根据lsscsi
中地址和/opt/MegaRAID/storcli/storcli64 /call show
的JBOD LIST中的ID对应起来
观察参数:
Host_writes_32MB(软件写入硬盘数据量)
media_wearout_indicator(磨损率)
单位换算:host_bytes_written 321024*1024/1000/1000/1000/1000 T
nand_bytes_written =盘所有的写入(包含盘自身的gc搬移等写入)
host_bytes_written = 盘接受到的软件的写入
SSD寿命是否下降过快其实就是SSD写入数据量与用户数据写入量的比值是否过大,也就是写放大是否过大,由于分布式存储或者说软件定义的存储,影响最终写放大(WAF)的因素特别多(冗余策略、GC、压缩等),且目前行业内没有一个固定标准,按照目前测试经验来说全流程写放大超过10,基本上已经可以判定存在较大问题。
可以根据下发io工具的回显计算
例如:vdbench可以通过平均IO带宽*写入时间计算
常用的测试模型有4k,8k,1M.
一般采用读写比例3:7,全随机覆盖写,需要事先1M顺序写预埋数据,预埋比例设计触发GC力度,也会影响写放大的大小。
影响写放大测定的因素有:
1、业务模型IO大小
2、业务模型读写比例
3、业务模型顺序随机
4、预埋数据占容量比例
5、测试时长
6、冗余策略
影响因素的原因为:
1、下发写入到硬盘的块大小通常是固定的,比如4MiB,如果写4k占用一个4MiB的块,写放大就与8K,1M不通,不过通常小IO会通过cache聚合一部分,但是还会有一定差异。
2、写放大和写的关系比较大,读存在搬移读可能也有一部分但是没有写影响大
3、通常随机产生的写放大要比顺序大,和1中的原因相似,随机更容易存在小的碎片的写占用很多大的块
4、预埋数据容量和GC力度有关,GC力度越大越可能产生写放大
5、测试时长,稍微复杂一点,和GC标记垃圾,回收,以及写放大的波动有关。
6、三副本或者EC4+2容量有效率不同,写放大也不同。
W A F 总 = Δ N a n d W r i t e 总 Δ H o s t W r i t e WAF_{总}=\frac{\Delta NandWrite_{总}}{\Delta HostWrite} WAF总=ΔHostWriteΔNandWrite总
其中WAF为总写放大, N a n d W r i t e 总 NandWrite_{总} NandWrite总为所有盘写入数据量, Δ H o s t W r i t e \Delta HostWrite ΔHostWrite为软件总写入数据量。
T B W = Δ N a n d W r i t e 总 Δ W e a r TBW=\frac{\Delta NandWrite_{总}}{\Delta Wear} TBW=ΔWearΔNandWrite总
其中TBW为盘总共可以擦写的数据量,Wear为磨损率。
D W P D = T B W S p a c e ∗ Y e a r ∗ 365 DWPD=\frac{TBW}{Space*Year*365} DWPD=Space∗Year∗365TBW
其中DWPD为盘寿命中每天可以擦写的次数,Space为盘容量,Year为寿命数。
W A F 盘 = Δ N a n d W r i t e 盘 Δ H o s t W r i t e / N u m 盘 / U a s g e WAF_{盘}=\frac{\Delta NandWrite_{盘}}{\Delta HostWrite/Num_{盘}/Uasge} WAF盘=ΔHostWrite/Num盘/UasgeΔNandWrite盘
其中 Δ N a n d W r i t e 盘 \Delta NandWrite_{盘} ΔNandWrite盘为盘写入数据量, N u m 盘 Num_{盘} Num盘为盘数目, U a s g e Uasge Uasge为存储利用率。