STM32的Flash和SRAM

1、存储器

存储器分为易失性和非易失性。

• 易失性：掉电数据会丢失，通常指RAM；

RAM分为SRAM、DRAM

• SRAM：静态RAM，只要上电数据就不会丢失；
• DRAM：动态RAM，需要每隔一段时间刷新数据，否则数据会丢失；

• 非易失性：掉电数据仍然可以保存，通常指ROM；

1. 最初的ROM只读或可写一次然后只读；
2. 后来，发展出电可擦除即EEPROM，从此“ROM只读存储器”只是名义上的只读，实际就是可读可写。EEPROM可对指定字节进入擦除写入。
3. 再后来，FLASH闪存出现了，以块为单位擦除，使得存储的数据密度更高，成本更低；

        FLASH分为Nor FLASH和Nand FLASH：Nor FLASH可以以字节为单位读取，Nand FLASH是以块为单位读取数据；

2、STM32的存储器

2.1、FLASH

2.1.1、STM32的FLASH类型——Nor FLASH

FLASH分为Nor FLASH和Nand FLASH，Nor Flash的数据线和地址线是分开的，Nand FLASH的数据线和地址线是共用的。

这就导致了Nand FLASH存放代码的话，CPU指令译码后无法直接执行，所以STM32的FLASH指的是Nor FLASH；如果要用Nand FLASH存放代码的话，还要有一块Nor FLASH或RAM，用于加载程序执行；

2.1.2、FLASH的结构——STM32F4中文参考手册

2.2、SRAM

3、代码和数据存放的区域

• CODE：指程序中代码即函数体的大小，含未使用的函数；
• RO_DATA：Read Only只读，const常量和字符串常量；
• RW_DATA：Read Write，已初始化的、可读可写的全局变量和静态变量；
• ZI_DATA：未初始化的可读可写全局/静态变量【=0也被认为是未初始化】，堆、栈；

存放在Flash中：BIN文件 = CODE+RO_DATA+RW_DATA 

存放在SRAM中：所有的变量 = RW_DATA+ZI_DATA

注意，RW_DATA出现了两次，在程序未执行的时候是在Flash中的，程序执行的时候会加载到SRAM当中；