Flash 失效之 NAND Flash Read Disturb | 闪存读干扰

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专栏 《深入理解Flash:闪存特性与实践》

全文  3400 字, 主要内容

形成原因

    NAND Read 原理回顾

    读干扰产生的原因

读干扰的影响

    读干扰对电压阈值分布影响

    读干扰对RBER影响

    Edge WL

    读指定WL的影响

如何减少读干扰的影响


本篇目标是了解NAND Read Disturb, 以记影响的表现是什么。目标是对异常的电压阈值分别,能初步排查是否 Read Disturb, 进一步提供方案解决读干扰影响。


Flash 失效分类

Flash失效按照不同的分类方式可以分为浮栅失效结构失效浮栅失效类似于MOS管的一般失效类型,与Flash的存储机理相关。由于Flash工作过程中F-N效应和热电子效应反复发生,会导致氧化层击穿和陷阱,引起高漏

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