MOSFET（四）：区别JFET

一、JFET及工作原理

1. N沟道JFET是一种三极结构的半导体器件，包含源极（S）、漏极（D）、栅极（G）
2. 工作原理是通过栅源电压控制反型沟道的导电特性。
   当栅极-源极电压为零或正电压时，沟道关闭，漏极电流几乎为零，器件处于截止状态；
   当栅极-源极之间施加一定的负电压时，形成反型沟道，沟道打开，漏极电流开始流动，器件处于导通状态。

二、与MOSFET区别

• N沟道JFET的栅极和源极之间没有绝缘层（N沟道MOSFET的G、S之间有 SiO₂ 绝缘层），而是通过P型沟道连接在一起。当在栅极和源极之间施加一定的 负电压 时，形成反型沟道，控制漏极-源极之间的导电特性。
• 电路符号：
  

三、特点

• 输入阻抗较高和输出阻抗较低；
• 输入阻抗高，代表对输入信号的响应非常灵敏；输出阻抗相对较低，代表有较强的信号驱动能力。

四、应用

• 作为低噪声放大器和高输入阻抗的前置放大器，适用于音频放大器和射频前端放大器等应用；
• 用于交流信号开关。通过控制栅极电压，N沟道JFET可以实现对交流信号的开关操作，例如用于音频开关、信号选择器等；
• 用于稳压器、振荡器、自动增益控制（AGC）电路等应用。