（晶体管）650V IKZA75N65SS5Z 沟槽型场截止 ，IKD10N60RC2和 IKD15N60RC2ATMA1 600V IGBT可节省高达60%的PCB空间。

一、IKZA75N65SS5 650V IGBT 旨在满足 10kHz 和 40kHz 之间的开关应用需求，从而提高效率、缩短产品上市周期，降低电路设计复杂性和优化 PCB 材料成本。TRENCHSTOP™ 5 分立式 IGBT是满足客户卓越效率和高功率密度要求的理想之选。

描述：IGBT晶体管  650V 80A 395W 通孔 PG-TO247-4-3
IGBT 类型：沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：80 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：300 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：1.7V @ 15V，75A
功率 - 最大值：395 W
开关能量：240µJ（开），750µJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：164 nC
25°C 时 Td（开/关）值：22ns/145ns
测试条件：400V，75A，5.6 欧姆，15V
工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-4

（晶体管）650V IKZA75N65SS5Z 沟槽型场截止 ，IKD10N60RC2和 IKD15N60RC2ATMA1 600V IGBT可节省高达60%的PCB空间 —— 明佳达

二、600V RC驱动和RC快速驱动是用于敏感的消费类驱动市场的高性价比解决方案。这种基本技术为永磁同步和无刷直流电机驱动器提供出色的性能。该器件具有出色的温度稳定性，可节省高达60%的PCB空间。

1、IKD10N60RC2 IGBT晶体管 600V 18.8A 79W 表面贴装型 PG-TO252-3
IGBT 类型：沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）：600 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：18.8 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：30 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.3V @ 15V，10A
功率 - 最大值：79 W
开关能量：320µJ（开），170µJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：48 nC
25°C 时 Td（开/关）值：14ns/250ns
测试条件：400V，10A，49 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)：104 ns
工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

2、IKD15N60RC2ATMA1 IGBT晶体管 600V 28A 115.4W 表面贴装型 PG-TO252-3
IGBT 类型：沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）：600 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：28 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：45 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.3V @ 15V，15A
功率 - 最大值：115.4 W
开关能量：570µJ（开），350µJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：72 nC
25°C 时 Td（开/关）值：18ns/374ns
测试条件：400V，15A，49 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)：129 ns
工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

特性：
优化了VECsat和VF，实现低导通损耗
平滑的开关性能，实现低EMI水平
非常紧凑的参数分布
工作频率范围：1kHz至20kHz
最高工作结温：175°C
短路能力：5µs
同类最佳的电流与封装尺寸性能
按照JEDEC标准符合目标应用要求
无铅电镀；符合RoHS指令（对于PG-TO252：焊接温度260°C，MSL1）

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