贴片电容的命名规则和参数解释

陶瓷贴片电容是将典型的片电容与多个片状材料并联起来，并使其端部连接在一起而得。电介质是由钛酸钡组成的陶瓷，这类电容的ESR很低，其原因是片材料的电阻低，而且这些电容是并联叠加起来的。

在相同额定电压和电容量的条件下陶瓷贴片电容要比钽电解电容的ESR还低，而且陶瓷贴片电容的价格要比钽电解电容平宜很多，使得陶瓷贴片电容在开关电源中得到越来越多的应用，甚至在某种程度上替代了钽电解电容。

贴片电容的命名，国内和国外的产家有一此区别但所包含的参数是一样的。

贴片电容的命名所包含的参数：

1、贴片电容的尺寸：（0201、0402、0603、0805、1206、1210、1808、1812、2220、2225）

2、常用贴片电容的材质：（ C0G(NPO)、X5R、X7R、Z5U、Y5V ）

3、要求达到的精度：

电容容量误差表

符 号	B	C	D	F	G	J	K	L	M	Z
允许误差	±0.1pF	±0.25 pF	±0.5 pF	±1%	±2%	±5%	±10%	±15%	±20%	+80/-20%

如：一瓷片电容为104J表示容量为0. 1 uF、误差为±5%。

4、耐压值：（4V 、6.3V、10V、16V、25V、 50V、 100V、 250V、500V、1000V、2000V、 3000V）

5、容量： (0PF-47UF)

6、端头的要求： (N表示三层电极)

7、包装的要求： (T表示编带包装，P表示散包装)

例：风华系列的贴片电容的命名：

0805CG102J500NT

0805：是指该贴片电容的尺寸大小，这是用英寸来表示的08表示长度是0.08英寸（换算成mm=0.08*24.50=1.96mm）、05表示宽度为0.05英寸(换算成mm=0.05*24.50=1.225mm)

CG ： 是表示生产电容要求用的材质

102 ：是指电容容量，前面两位是有效数字、后面的2表示有多少个零102 ＝10×10^2也就是＝1000pF

J ：   是要求电容的容量值达到的误差精度为5％，介质材料和误差精度是配对的

500 ：是要求电容承受的耐压为50V 同样500前面两位是有效数字，后面是指有多少个零。

N　： 是指端头材料，现在一般的端头都是指三层电极（银/铜层）、镀镍层、锡层

T ：  是指包装方式，T表示编带包装，B表示塑料盒散包装

下面是几个风华贴片盘上的标识详解：

贴片元件盘上的标识	封装	材质	容量	误差精度	耐压
1206B103K500NT	1206	X7R	10nF	±10%	50V
0603F105M250NT	0603	Y5V	1uF	±20%	25V
0603CG102J500NT	0603	C0G/NPO	1nF	±5%	50V
0805B103J500NT	0805	X7R	10nF	±5%	50V
0805X226M100NB	0805	X5R	22uF	±20%	10V

陶瓷电容按介质的分类

陶瓷介质分为三类

I类介质：

I类为超稳定级的陶瓷介质材料，按美国电工协会EIA ( Electronic Industries Association ) 标准为C0G ( NPO )的陶瓷介质（以及国产的CC系列），温度系数为【0±（3*10^-5）%】/℃ (0±30PPM/℃)，这种介质极其稳定，温度系数极低，而且不会出现老化现象，损耗因数不受电压、频率、温度和时间的影响，介电常数可以达到400，介电强度相对高。

介电常数：(介电常数越大，电容容量就越大)

电容的容量为C=ε*S/d（ε为极板间介质的介电常数，S为极板面积，d为极板间的距离）。介电常数ε是用来衡量电介质“允许”在其内部形成电场的难易程度。介电常数ε越大说明其内部产生反向电场要更容易，C也更大。

介电常数ε又称电容率或相对电容率，表征电介质或绝缘材料电性能的一个重要数据。它是指在同一电容器中用同一物质为电介质和真空时的电容的比值，表示电介质在电场中贮存静电能的相对能力。对于介电材料，相对介电常数愈小绝缘性愈好。

介电强度：（表征电容的耐压能力）

对于电介质来说，当外加电压使电介质击穿时，电介质中就有电流流过。定义单位长度所承受的最大电压代表它的介电强度，这个电压称为击穿电压。

I类电介质的温度特性和相关的EIA标识

温度系数		温度系数因数		温度系数容差
PPM/℃	字母	因数	数字	PPM/℃	字母
0.0	C	-1	0	±30	G
0.3	B	-10	1	±60	H
0.9	A	-100	2	±120	J
1.0	M	-1000	3	±250	K
1.5	P	-10000	4	±500	L

C0G电容对环境的依赖性最小。其温度系数为0，电介质具有压电特性，容值也不受电压的影响。I类陶瓷电容的介电常数很低，C0G电容的容值通常小于1nF。

注：在实际应用中，I类电介质一般只用C0G，所以上面表只记住第一行C0G的参数即可。

II类介质：

II类有稳定级的陶瓷介质材料，如美国EIA标准的X7R、X5R（以及国产的CT系列），这种介质的介电系数随温度变化较大，但由于其介电系数可以做得很大，因而电容量可以做得比较大，适用于对工作环境温度要求较高的耦合、旁路和滤波。如X7R:-55~+125℃。

II类也有可用级的陶瓷介质材料，如美国EIA标准的Z5U、Y5V（以及国产的CT系列），Z5U的温度系数为+22%，-56%，Y5V的温度系数为+22%，-82%。由于介电常数可以做得很大（1000~12000），因而电容量可以做得比较大，适用于一般工作环境温度要求（-25~+85℃）的耦合、旁路和滤波。

  由于陶瓷电容器，特别是II类陶瓷介质电容器的电容量与温度、工作电压直接相关。因此，电容特性是陶瓷电容器最主要的特性。在应用陶瓷电容器前应详尽了解陶瓷电容器的电容量与运行条件的关系。

II类电介质的温度特性和相关的EIA标识

低温等级		高温等级		电容温度系数
温度	字母	温度	数字	百分比	字母
-55℃	X	+45℃	2	±10.0	P
-30℃	Y	+65℃	4	±15.0	R
+10℃	Z	+85℃	5	+22/-33	U
		+125℃	7	+22/-82	V

II类电介质的介电常数与C0G的相比大很多，所以电容值也很大。低电压的Y5V电容的容值可以做到数十毫法（mF级）。II类电介质的缺点很多，其温度系数很大，下图为X7R电容的温度和容值的曲线（Z5U类似），容量在温度较高和较低两侧都下降。随着施加的DC电压增大，陶瓷电容的容值显著减小，Z5U系列电容的容值甚至减小80%。X7R电容受施加的DC电压的影响很小，但其容值随施加的AC电压的增大而增大。陶瓷电容在冷却多次后，也会老化。冷却的时候 ，这些电容的容值会慢慢减小。X7R电容的老化性能比Z5U的要好些。

C0G(NPO)、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。

一、C0G(NPO)电容器

NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。 NPO电容器是电容量和

介质损耗最稳定的电容器之一。在温度从-55℃ 到+125℃ 时容量变化为0±30ppm/℃ ，电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。 NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%，相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。 NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同，大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。

NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容，以及高频电路中的耦合电容。

二、X7R电容器

X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃ 到+125℃ 时其容量变化为15%，需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。

X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的，它也随时间的变化而变化，大约每10年变化1%ΔC，表现为10年变化了约5%。

X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用，而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。它的主要特点是在相同的体积下电容量可以

做的比较大。

三、Z5U电容器

Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器。这里首先需要考虑的是使用温度范围，对于Z5U电容器主要的是它的小尺寸和低成本。对于上述三

种陶瓷 单片电容起来说在相同的体积下Z5U电容器有最大的电容量。但它的电容量受环境和工作条件影响较大，它的老化率最大可达每10年

下降5%。

尽管它的容量不稳定，由于它具有小体积、等效串联电感（ ESL）和等效串联电阻（ ESR）低、良好的频率响应，使其具有广泛的应用范围。

尤其是在退耦电路的应用中。

Z5U电容器的其他技术指标如下:工作温度范围 +10℃ --- +85℃ 温度特性 +22% ---- -56% 介质损耗 最大 4%

四、Y5V电容器

Y5V电容器是一种有一定温度限制的通用电容器，在-30℃ 到85℃ 范围内其容量变化可达+22%到-82%。

Y5V的高介电常数允许在较小的物理尺寸下制造出高达4.7μF电容器。

Y5V电容器的其他技术指标如下:工作温度范围 -30℃ --- +85℃ 温度特性 +22% ---- -82% 介质损耗 最大 5%

NPO、X7R及Y5V电容的特性及主要用途

NPO的特性及主要用途

属I类陶瓷介质，电气性能稳定，基本上不随时间、温度、电压变化，适用于高可靠、高稳定的高额、特高频场合。

特性：

电容范围 1pF～0.1uF (1±0.2V rms 1MHz)

环境温度： -55℃ ～+125℃ 组别： CG

温度特性： 0±30ppm/℃

损耗角正切值： 15x10-4

绝缘电阻： ≥10GΩ

抗电强度： 2.5倍额定电压 5秒 浪涌电流： ≤50毫安

X7R的特性及主要用途

属II类陶瓷介质，电气性能较稳定，随时间、温度、电压的变化，其特性变化不明显，适用于要求较高的耦合、旁路、源波电路以及10兆周以

下的频率场合。

特性：

电容范围 300pF～3.3uF (1.0±0.2V rms 1KHz)

环境温度： -55℃ ～+125℃ 组别： 2X1

温度特性： ±15%

损耗角正切值： 100Volts: 2.5% max

50Volts: 2.5% max

25Volts: 3.0% max

16Volts: 3.5% max

10Volts: 5.0% max

绝缘电阻： ≥4GΩ或 ≥100S/C (单位： MΩ)

抗电强度： 2.5倍额定电压 5秒 浪涌电流： ≤50毫安

Y5V的特性及主要用途

属II类陶瓷介质，具有很高的介电系数，能较容易做到小体积，大容量，其容量随温度变化比较明显，但成本较低。广泛应用于对容量，损耗

要求不高的场合。

特性：

电容范围 1000pF～22uF (0.3V 1KHz)

环境温度： -30℃ ～+85℃

温度特性： ±22%～-82%

损耗角正切值： 50Volts: 3.5%

25Volts: 5.0%

16Volts: 7.0%

绝缘电阻： ≥4GΩ或 ≥100S/C (单位： MΩ)

抗电强度： 2.5倍额定电压 5秒 浪涌电流： ≤50毫安