26、ADS瞬时波形仿真-TRANSIENT仿真（以共射放大器为例）

26、ADS瞬时波形仿真-TRANSIENT仿真（以共射放大器为例）

在本科期间，学习模电的时候总是要对各种三极管电路进行MULTISIM仿真，其实ADS具备相同的功能，而且对于射频电路，使用ADS进行仿真可以结合版图进行，在此介绍其级别仿真方法。
工程如下：https://download.csdn.net/download/weixin_44584198/88307276

1.设计指标

电压放大倍数：>100
设计使用的晶体管：N2222

2.ADS导入N2222晶体管模型

众所周知，ADS不存在N2222晶体管模型，可以通过Netlist模型进行导入，Netlist模型可以使用MULTISIM中的模型进行提取，打开MULTISIM找到N2222晶体管：

点击查看模型（V）选项，查看其具体参数：

点击左上角的保存按钮，将其保存为TXT格式即可：

打开任意原理图，在File中选择Import，在弹出界面中如下设置，其中网表文件指向刚刚导出的文件：

点击Options选项，设置导入的模型为Pspice类型，直接导入到原理图：

设置完成后点击OK，随后在导入界面也点击OK，出现界面让你定义库的名称，在此定义为lib_2N2222，点击确定：

导入后自动打开了原理图，如下所示，我们使用该三极管的时候把这两个直接复制到原理图中就行了，值得注意的是下面三极管图形的第一行Model=xm，这边xm要改成X2n2222，即和上面的模型名称一致：
修改后如下所示，到此插入成功：

3.ADS对N2222进行直流扫描以确定静态工作点

新建原理图，点击Insert中的Template，找到BJT的直流扫描模板：

插入到原理图中并进行连线，当然需要确认BJT Curve Tracer的设置是否准确：

运行扫描，得到结果：

实际情况下，静态工作点的选取需要更具数据手册来进行，ADS仿真出来的模型可能并不十分准确，2N2222的数据手册参考p2n2222a，比较关键的参数如下：

由于我这边只是演示所用，只考虑电压放大倍数不额外考虑带负载能力了。我这边供电电压选择12V，Vceq设置为6.5V，接近中间位置，Icq设置为20mA。

3.基于ADS的偏置电路自动设计

新建原理图，在新原理图中的工具栏中找到Transistor Bias并插入BJT的偏置自动设计控件：

此处设置供电电压为12V，这个可以更具数据手册的相关极限参数进行确定，构建的原理图如下所示：
合理设置BJT的偏置电路的设计参数，其中Vceq设置成比0.5Vcc标准略高，Icq根据数据手册，此处设置为20mA，电流放大倍数beta在数据手册中也有体现，数据手册中的电流放大倍数与控件的具体参数如下所示：

设置完成后点击OK。选择上部分DesignGuide选项中的Amplifier，在Tools选项中选择Transistor Bias Utility：

使用默认的设置点击Design即可，这边默认设置实际上就是之前我们设置的控件参数：

点击Design按钮进行设计，在弹出的框内设置参数为3，其他默认即可，点击OK按钮：

设计完成，深入电路原理图查看具体拓扑，如下所示：

4.基于ADS的瞬时仿真

构建如下的ADS电路原理图：

运行仿真，可见电压放大倍数为100，输入电压和输出电压反向，符合共射放大器特征：

icq=20mA，符合原有的设计目标。