市场趋势
1. ★★★集邦咨询：第四季DRAM合约价二次下修，2019年第一季跌幅持续扩大（181204）
根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)最新报告，今年第四季DRAM价格正式反转向下，11月合约价甚至出现二次下修的状况，以目前成交方式来看，已有部分比重的合约价改以月(monthly deal)方式进行议价，显示买方对于DRAM价格后势看法悲观，预计2019年第一季DRAM合约价跌幅将持续扩大。
2. ★★★高位不再！内存价格明年Q1将继续下跌10%(181206)
据资深调研机构DRAMeXchange（集邦科技）的数据，刚过去的11月，4GB/8GB容量的PC DRAM内存芯片合约价环比下滑了1.6%到3.2%个百分点。
经调整后的预期是，今年第四季度，DRAM均价将下滑7~10%，明年一季度继续下滑10%。此前在今年伊始，集邦的预测仅仅是年跌5%左右。
其中，分析机构着重强调，PC DRAM产品对需求和供应情况的变化最为敏感。供应的持续增长，低迷逆风的季节以及过剩的库存，将使价格较本季度的下跌更为剧烈，服务器同理可考。
3.DRAM今年可望成长39%，明年DRAM市场恐将反转减少1%（20181214）
DRAM今年可望成长39%，将是整个IC产业成长最快速的市场，不过，研调机构IC Insights预期，明年DRAM市场恐将转为减少1%。
受惠产品平均售价劲扬，DRAM市场继2017年成长77%，2018年可望持续成长39%，将连续两年位居IC产业成长最快速的市场。
DRAM于2013年及2014年也曾居IC产业成长最快速的市场；值得注意的是，过去6年中，DRAM曾是IC产业成长最快速的市场，也曾逼近末位，IC Insights表示，这显示DRAM非常不稳定及周期性。
IC Insights指出，在经历两年强劲成长后，DRAM供应商三星(Samsung)、SK海力士(Hynix)及美光(Micron)纷纷扩充产能，并开始加速增产，减缓供需紧张情况。
此外，因不确定的经济及贸易情势紧张影响，数据中心服务器建置开始放缓，IC Insights预期，2019年DRAM市场恐将减少1%，在IC产业成长排名中将逼近末位。
4.★★★美方正式将2000亿美元中国货加税日期延至3月1日（20181214）
据彭博报道，美方将正式决定，将针对总值2,000亿美元中国进口商品提升关税的生效日期延迟至3月1日，即中美峰会上同意暂缓提升关税90日的决定，日期由公布当日计，而非原定加税日期明年1月1日起计。
彭博引述消息人士称，联邦公报（Federal
Register）将于周五刊发通知，将总值2,000亿美元中国进口商品的关税税率从10%提高到25%的生效日期延迟至明年3月1日。上述决定巩固于12月1日举行的“习特会”后的决定，中美领导人同意关税休战90日，并在此期间继续谈判，以期希达成贸易协议。原先美国定加关税生效日期为明年1月1日。
5. 2019年DRAM市场规模惊现下滑，预警产业将周期性下跌（20181217）
近期存储市场表现疲软，市场客户接单有限，据中国闪存市场ChinaFlashMarket报价，2018年NAND Flash价格已累计跌幅超过60%，由于价格持续下滑，年底部分闪存产品价格有所反弹，主要受市场货源有限的影响。除了NAND Flash价格大跌，DRAM价格也在下滑，预计2019上半年DRAM跌价继续，恐将影响市场规模下滑。
近几年，受存储器价格持续上涨的影响，存储市场规模持续走高，尤其是DRAM市场规模增速较大。据IC Insights数据，预估2018全年全球DRAM市场规模继2017年大幅成长77%后，再年增39%。然而，受DRAM价格下滑影响，预估2019年DRAM市场规模将下滑1%。
技术热点
1.★先进工艺研发趋缓，材料和封装成半导体行业新热点（181204）
前段时间，晶圆代工业掀起了一场“撤退潮”。由于摩尔定律的每年工艺微缩愈发困难，导致研发投入与产出不均衡，联电(UMC)、格芯(Globalfoundries)等行业巨头纷纷表示暂停7纳米以下先进工艺的研发，专注优化现有技术和市场。行业分析师认为，随着先进工艺陷入少数玩家的寡头垄断领域，半导体材料和封装技术将成为下一波市场热点。
1981年，Terry Brewer 博士发明抗反射涂层(Anti-Reflective Coatings，简称“ARC”)，为半导体光刻工艺带来了变革，他创立的Brewer Science 公司如今依旧在为高速轻型电子设备的开发创新材料和工艺，主要应用领域包括先进光刻工艺、晶圆级封装和印刷电子等。
Brewer Science高层日前来到中国，向《电子工程专辑》等行业媒体介绍了其BrewerBOND®临时键合材料系列的最新成员，以及其新的 BrewerBUILD™ 旋涂封装材料产品线的首款产品，致力于以解决制造商不断出现的晶圆级封装挑战。
2. 新型金属空气晶体管诞生 再为摩尔定律续命20年（181210）
人们普遍认为，随着物理极限的逼近，摩尔定律，即集成电路上可容纳的硅晶体管的数目每两年便会增加一倍，将在 2025 年左右失效。但澳大利亚墨尔本皇家理工大学（RMIT University）的研究人员认为，他们开发的金属基场发射空气通道晶体管（ACT）可以在二十年内保持摩尔定律。
ACT 器件无需半导体。相反，它使用两个面内对称的金属电极（源极和漏极）隔开小于 35 纳米的气隙，底部用金属栅极调节发射场。纳米级气隙宽度小于空气中电子的平均自由路径，因此电子可以在室温下穿过空气而不会散射。
“与传统的必须采用硅作为基底的晶体管不同，我们的器件采用了一种自底向上的制造方法。如果能够确定最佳的气隙，我们就能够建立完整的 3D 晶体管网络。”12 月在Nano Letters 上发表的关于新晶体管的论文的第一作者 Shruti Nirantar 说。“这意味着我们可以不再追求小型化，而是专注于研究紧凑的 3D 架构，这使每单位体积上能有更多的晶体管。”
3. ★★★三星、英特尔加快嵌入式MRAM商用脚步（20181212）
全球两大半导体巨擘——英特尔(Intel)、三星(Samsung)在上周举办的第64届国际电子组件会议(IEDM)上，发表嵌入式MRAM在逻辑芯片制造工艺的新技术。
英特尔介绍整合于其22FFL工艺的自旋转移力矩(STT)-MRAM非挥发内存之关键特性，并指称这是“首款基于FinFET的MRAM技术”。英特尔表示该技术目前已经“生产就绪”(production-ready)，但并没透露有哪一家代工厂采用这一工艺；不过，根据多个消息来源显示，该技术已经用于目前出货中的产品了。
同时，三星(Samsung)介绍在其28nm FDSOI工艺制造的STT-MRAM。从可扩展性、形状可调整以及磁可扩展性方面来看，STT-MRAM被视为是目前最佳的MRAM技术。
4. ★★研究人员开发出单个铜原子磁性内存技术（20181213）
内存技术的每一次创新都源于基础研究。IBM Research的研究团队最近开发出一种新技术，能够控制单个铜原子的磁性，从而为以单个原子核进行储存和处理信息的未来铺路。不过，该技术要能实现商业化还有很长的路要走。
在最近发布于《自然纳米科技》(Nature Nanotechnology)杂志上的一篇论文中，IBM Research科学家Christopher Lutz和Kai Yang描述如何透过逐一的原子执行核磁共振(NMR)，从而控制单个原子核的磁性。核磁共振是确定分子结构的重要工具，而Lutz和Yang的研究成就在于首次使用扫描穿隧显微镜(STM)实现核磁共振。STM是IBM获得诺贝尔奖的一项发明，可用于个别观察和移动原子。
Lutz在接受《EE Times》电话采访时解释：“我们正展开纳米技术的基础研究，期望克服个别原子级的极限。由于使用了扫描穿隧显微镜技术，使我们第一次可以在看到原子并为其重新定位的环境中实现这一目标。”
5. ★★★英特尔10nm处理器与核内显示架构曝光 力推3D封装技术（20181213）
处理器龙头英特尔 （intel）在 「2018 Architecture Day」 上，展示了一系列仍在研发中，10 纳米制程支持 PC、资料中心和网络系统中人工智能和加密加速功能的下一代「Sunny Cove」 处理器架构，另外也展出了新一代核内显示架构设计，以及业界首创的 3D 逻辑芯片封装技术，试图宣示英特尔仍是目前处理器霸主的决心。
6. ★★★Intel打造Foveros3D封装：不同工艺、芯片共存（20181213）
越来越艰难的工艺制程，越来越复杂的芯片设计，未来何去何从？作为行业龙头，Intel在设计全新CPU、GPU架构和产品的同时，也提出了一种新的、更灵活的思路。
架构日活动上，Intel展示了一种名为“Foveros”的全新3D芯片封装技术，首次为CPU处理器引入3D堆叠设计，可以实现芯片上堆叠芯片，而且能整合不同工艺、结构、用途的芯片，相关产品将从2019年下半年开始陆续推出。
Intel表示，该技术提供了极大的灵活性，设计人员可以在新的产品形态中“混搭”不同的技术专利模块、各种存储芯片、I/O配置，并使得产品能够分解成更小的“芯片组合”。
7. 美光12GbLPDDR4X通过联发科HelioP90平台验证（20181214）
据台媒报道，美光单片12Gb LPDDR4X已通过联发科Helio P90智能型手机平台参考设计的验证。使用美光LPDDR4X技术的新款联发科Helio P90芯片组预计于2019年夏季进入量产，提高智能型手机搭载的容量和性能。
美光上个月宣布开始大规模生产12Gb LPDDR4x，采用的是1y nm工艺技术，数据传输率可达4266Mbps，同时功耗降低10%。基于8颗12Gb LPDDR4X单芯片封装，美光LPDDR4X容量可高达12GB，预计2019年高端旗舰机搭载的LPDDR4X有望从6GB/8GB升级至8GB/12GB。
8. 新一代3D封装技术走向异构集成（20181217）
英特尔(Intel)日前举行“架构日”(Architecture Day 2018)活动，展示采用面对面堆栈逻辑的新一代3D封装技术，预计将于明年下半年面世。英特尔首席架构师Raja Koduri除了擘划未来的运算架构愿景，并介绍新的处理器微架构和新的图像架构。
这款名为Foveros的3D封装技术累积英特尔二十年来的研究，以结合逻辑与内存的3D异构结构打造出堆栈芯片。相较于目前可用的被动内插器和堆栈内存技术，Foveros将3D封装的概念进一步扩展到包括高性能逻辑，如CPU、图像和人工智能(AI)处理器。
英特尔首席架构师兼Core和视觉运算部门资深副总裁Raja Koduri说：“我们正加倍努力提升在现有工艺与先进封装的领导地位。
行业动态
1. ★★投资130亿元，国产公司发力PCM相变存储，2021推3DXPoint芯片(20181205)
作为当前最尖端的高科技之一，半导体芯片这几年在国内很热门，不仅在媒体报道上刷屏，而且国内最近几年上马了不少半导体项目，几乎涉及到从设计到制造再到封装在内的各个领域。在众多半导体项目中，存储芯片是国内优先发展的，毕竟国内的NAND闪存及DRAM内存两大类存储芯片几乎是100%进口的。国内比较重要的存储芯片项目有长江存储、合肥长鑫及福建晋华，但在NAND/DRAM内存之外，还有一个项目值得注意，那就是江苏时代芯存公司的PCM相变存储芯片项目，总投资高达130亿元，一期投资43亿元，在江苏淮安建设的晶圆厂明年Q1季度就要量产了，号称年产10万片12英寸PCM晶圆，销售额高达20亿美元。
江苏时代芯存半导体有限公司正式成立于2016年10月，公司股东有江苏时代全芯存储科技有限公司和淮安园兴投资有限公司。公司致力于开发及生产搭载最新PCM技术的存储产品。江苏淮安PCM生产项目总投资130亿元，一期投资43亿元，淮安园兴投资有限公司出资16亿元人民币占股44%。江苏时代全芯存储科技有限公司以自有的知识产权和现金出资，占股56%，其中知识产权主要包括公司的专有技术及专利。
2. 首阶段投资约100亿 新一代半导体产业链项目落户长沙望城(20181207)
近日，新一代半导体产业链项目整体布局中的核心“科创中心”签约落户长沙市望城区，省会推进新一代半导体产业链建设工作又迈进一大步。
2017年，山东天岳晶体材料有限公司会同新一代半导体产业链关联企业联合落地长沙，启动新一代半导体产业链项目。其中，材料中心已落户浏阳经开区，应用及智造中心已落户望城经开区。
3. 免征/减半企业所得税，安徽又一批集成电路企业受益(20181207)
近日，国家税务总局安徽省税务局发布关于印发全省税务系统深化改革支持民营经济发展70条税费政策措施和深化改革优化民营经济发展税收环境20条服务措施的通知。
《通知》从减轻民营企业税费负担、缓解民营企业融资难、支持民营企业创新、鼓励民营企业投资、促进民营企业创业就业、和引导民营企业做大做强6个方面提出了具体的政策措施。
其中，在集成电路产业方面，作出了如下规定：
2018年1月1日后投资新设的集成电路线宽小于130纳米，且经营期在10年以上的集成电路生产企业或项目，第一年至第二年免征企业所得税，第三年至第五年按照25%的法定税率减半征收企业所得税，并享受至期满为止。
2018年1月1日后投资新设的集成电路线宽小于65纳米或投资额超过150亿元，且经营期在15年以上的集成电路生产企业或项目，第一年至第五年免征企业所得税，第六年至第十年按照25%的法定税率减半征收企业所得税，并享受至期满为止。
集成电路生产企业的生产设备，其折旧年限可以适当缩短，最短可为3年（含）。
4. ★★★ASML供应商发生火灾，2019年光刻机出货将延迟(20181217)
光刻机厂商ASML日前宣布，由于该公司的电子零部件供应商Prodrive发生火灾，将导致ASML明年年初的部分产品供货日期被推迟。
ASML是目前全球最先进极紫外光刻机（EUV）的唯一供应商。有分析人士认为，若这条生产供应链受到影响，未来将给台积电、三星等企业之间的“7纳米大战”，带来不稳定因素。
据ASML官网12月3日发布的通告消息，火灾摧毁元件供应商Prodrive工厂的部分库存、生产线。为此，ASML已在第一时间寻找其他供应商提供替代原件和物资，并表示将花上几周时间来，来对这场火灾造成的影响进行全面评估。
5. 中芯国际/武汉新芯供应商 盛品电子封测生产线年底投产(20181210)
近日，山东济南市推进新旧动能转换项目建设观摩评议在济南高新区实地考察了盛品电子集成电路封装测试，该生产线将在年底投产。据悉，山东盛品技术有限公司集成电路先进封装测试生产线项目，将成为济南集成电路领域最大的封装测试工厂。
资料显示，山东盛品电子技术有限公司由“泰山产业领军人才”、中科院博士刘昭麟发起成立，核心业务包括集成电路芯片封装先进工艺研发、MEMS传感器先进封装技术研发和封装测试量产服务，拥有自主核心专利20多项，封装形式为业界主流的高端BGA封装和SiP系统级封装。该公司已成为中芯国际、武汉新芯、华为、海尔、格力等客户的合格供应商。
6. ★★三星将通过晶圆代工弥补内存降价的损失：2020推3nm工艺（20181211）
持续两年多的DRMA内存芯片涨价今年10月份就结束了，遭受涨价之苦的下游厂商及消费者总算可以舒口气了，花旗集团日前给出的预测是明年DRAM内存至少会降价30%。对于DRAM厂商来说，内存降价是他们极不愿意看到的，特别是第一大内存供应商三星，DRAM芯片占了三星公司半导体业务营收的85%。为了弥补DRAM内存降价导致的损失，三星明年将加强晶圆代工业务，虽然在7nm节点上落后了台积电，但三星表态他们的3nm工艺已经完成了性能验证，将于2020年大规模量产。
7. 南京矽邦或将在淄博投资3.34亿元封测项目（20181211）
12月11日，淄博高新区管委会、南京夕邦半导体有限公司、淄博安盛佳和股份投资基金管理有限公司达成合作协议，全面启动淄博高新区集成电路封装测试项目，全力打造淄博集成电路产业链，形成以集成电路产业为核心的新旧动能转换示范区。
据了解，南京矽邦半导体有限公司将在淄博高新区投资3.34亿元建设集成电路封装测试项目，预计建成后封装芯片年产能8-10亿颗，力争三年内实现销售额4亿元，税收5517万元，技术水平达到国内一流。同时，淄博安盛佳和股权投资基金管理有限公司将设立首期5亿元，总额度达25亿元的集成电路产业基金，支持集成电路产业在淄博高新区发展，进而带动上下游产业协同发展。
8. ★★紫光宣布刁石京出任展锐CEO，同时展锐获30亿元增资（181211）
紫光集团宣布由紫光集团联席总裁刁石京任紫光展锐副董事长及CEO，与联席CEO楚庆一起开启紫光展锐“腾跃”战略的新篇章。紫光集团同时还宣布了调整后拥有“豪华”阵容的董事会，以及30亿增资展锐等重大举措。此次宣布标志着紫光展锐在完成展讯和锐迪科整合后，厚积薄发，全面迈入进军5G、物联网及移动通讯芯片中高端的历史征程。
9. 投资10亿元 合肥再添一座集成电路封装厂（20181212）
12月12日，深圳市富满电子集团股份有限公司（以下简称“富满电子”）发布关于对外投资封装工厂的进展公告。
公告显示，公司董事会于11月9日审议通过了《关于成立全资子公司的议案》，同意公司在合肥高新区成立全资子公司，作为公司对外投资封装工厂的运营主体。
目前，富满电子已经完成了合肥子公司合肥市富满电子有限公司的注册，并且取得了合肥市工商行政管理局核发的《营业执照》，注册资本为2亿元，经营范围包括集成电路、三极管的设计、研发、生产、批发等。
10. ★★★英特尔发布全新10纳米CPU架构（20181213）
在12月12日的英特尔“架构日”活动中，英特尔高管、架构师和院士们展示了下一代技术，并介绍了英特尔在驱动不断扩展的数据密集型工作负载方面的战略进展，从而为PC和其他智能消费设备、高速网络、无处不在的人工智能（AI）、云数据中心和自动驾驶汽车提供支持。
同时，英特尔展示了一系列处于研发中的基于10纳米的系统，将用于PC、数据中心和网络设备；并预览了其他针对更广泛工作负载的技术。
英特尔还分享了聚焦于六个工程领域的技术战略，对这些领域的重大投资和技术创新，将推动技术和用户体验的飞跃。这六大工程领域包括：先进的制造工艺和封装；可加速人工智能和图形等专门任务的新架构；超高速内存；超微互连；嵌入式安全功能；以及为开发者统一和简化基于英特尔计算路线图进行编程的通用软件。
这些技术共同为更加多元化的计算时代奠定了基石，到2022年，潜在市场规模将超过3000亿美元。
11. 富满电子拟在合肥投10亿元建集成电路封装项目（20181213）
12月13日，深圳市富满电子集团股份有限公司（以下简称“富满电子”）发布关于对外投资封装工厂的进展公告。
公告显示，公司董事会于11月9日审议通过了《关于成立全资子公司的议案》，同意公司在合肥高新区成立全资子公司，作为公司对外投资封装工厂的运营主体。
目前，富满电子已经完成了合肥子公司合肥市富满电子有限公司的注册，并且取得了合肥市工商行政管理局核发的《营业执照》，注册资本为2亿元，经营范围包括集成电路、三极管的设计、研发、生产、批发等。
12. 长川科技一箭双雕：大基金跃升第二大股东、拿下长新投资90%股权（20181213）
继今年5月以5000万元增资长新投资后，长川科技将拿下长新投资全部股权，这意味着长新投资的实际经营主体——新加坡测试设备厂商STI将整体注入长川科技。
12月13日，长川科技发布公告称，拟通过发行股份的方式购买国家产业基金、天堂硅谷以及上海装备合计持有长新投资90%的股份。交易完成后，长新投资成为长川科技的全资子公司，国家产业基金成为其第二大股东。
13. 扩展业务规模 南大光电拟5亿元投建集成电路材料生产基地（20181214）
近日，江苏南大光电材料股份有限公司（以下简称“南大光电”）发布公告称，为扩展业务规模，公司于12月13日与安徽省全椒县人民政府签订了投资协议，拟在安徽省滁州市全椒县十谭电子新材料产业园建设江苏南大光电集成电路材料生产基地，包括年产170吨MO源和高K三甲基铝生产项目，计划投资约5亿元。
14. ★阿里“平头哥”半导体落户张江（20181217）
近日，张江地区消息显示，阿里“平头哥”半导体将会正式落户张江。全球半导体观察在查询国家企业信用信息公示系统发现，一家名为“平头哥（上海）半导体技术有限公司的企业在11月7日已完成注册。注册资本1000万，注册地为张江。从股东信息上看，资料显示其股东发起人正是阿里巴巴达摩院（杭州）科技有限公司，且持股比例100%。
值得一提的是，平头哥半导体公司此次选择的是与中天微同一个注册地，“平头哥”的落户，将会给张江半导体集成电路产业第二次腾飞的机遇。
回顾平头哥半导体公司的成立历程，今年9月份在2018杭州云栖大会上，阿里巴巴CTO、达摩院院长张建锋宣布，阿里把此前收购的芯片公司中天微与达摩院的自研芯片业务整合到一起，成立一家独立的芯片公司，名为“平头哥半导体有限公司”，并透露正在研制的神经网络芯片将于明年4月流片，以及完成自主研发的CK902系列芯片。
据了解，阿里表示，在公司成立初期会给予一定的技术和资金支持，但是未来平头哥半导体公司将会独立运行。众所周知，半导体产业一直以来都是美国、日本等国家地区领先，但由于半导体是制作芯片等核心技术的关键，阿里在半导体领域上的布局有利于其扩大自身的生态体系。