氮化镓功率HEMT的表征与建模

来源:Characterization and Modeling of a Gallium Nitride Power HEMT(IEEE TRANSACTIONS ON INDUSTRY APPLICATIONS)

GaN high-electron-mobility transistor (HEMT)
GaN高电子迁移率晶体管
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  该模型包括一个电压相关电流源Ids、两个电压相关电容CgdCds、一个电压无关栅极-源极电容Cgs以及三个寄生电阻Rg、Rs和Rd
  电压相关电流源Ids用于模拟正向和反向导通的静态电流-电压(I–V)特性。三个寄生电容在决定器件开关性能方面起着至关重要的作用。请注意,为了简单起见,该模型中没有考虑动态电阻效应,即所谓的电流崩溃现象。

A.电压相关电流源Ids

  依赖于电压的电流源Ids是内部器件节点电压Vds和Vgs的双向电流源函数。
  为了准确预测功率转换器在不同工作温度下的性能,在电路模型中使用了准确的温度相关器件跨导参数Kp
  电压相关电流源Ids决定了四种操作模式下的模型I–V特性:正向线性、正向饱和、反向线性和反向饱和模式。
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Vth1是用于正向沟道导通的阈值电压,并且Vth2是用于反向沟道导电的阈值电压。
Kp1是正向传导模式下的温度相关器件跨导参数。Kp2是反向导通模式下的温度相关器件跨导参数。
λ1是前向通道传导的通道长度调制参数。

B. 寄生电容Cgs、Cgd和Cds

  由于栅极-源极电容相对于施加在电极上的电压电位相对独立,因此在这个器件模型中使用了恒定的栅极-源极电容Cgs
  电容Cgd和Cds是非线性电压相关寄生电容,由下式给出
C g d = C g d 0 ( 1 + ∣ V g d ∣ PB 1 ) m 1 C_\mathrm{gd}=\frac{C_\mathrm{gd0}}{\left(1+\frac{|V_\mathrm{gd}|}{\text{PB}1}\right)^{m_1}} Cgd=(1+PB1Vgd)m1Cgd0
C ds  = C ds 0 ( 1 + ∣ V ds ∣ PB 2 ) m 2 C_\text{ds }=\frac{C_{\text{ds}0}}{\left(1+\frac{|V_{\text{ds}}|}{\text{PB}2}\right)^{m_2}} Cds =(1+PB2Vds)m2Cds0
  其中Cgd0是零偏置栅极到漏极电容,Cds0是零偏压漏极到源极电容。PB1和PB2分别是栅极-漏极电容Cgd和漏极-源极电容Cds的结内建电势。参数m1和m2分别是栅极-漏极电容Cgd和漏极-源极电容Cds的结渐变系数。

C.寄生电阻Rg、Rs和Rd

  假设内部栅极电阻Rg为零,而外部栅极电阻通常用于抑制开关瞬态期间的瞬态振荡。电阻Rd和Rs被假定为常数,并且表示端子接触网的分布性质。

D.器件跨导参数Kp的温度依赖性

  为了准确估计器件导通损耗与温度的关系,器件模型应包括器件跨导参数Kp的温度依赖性,该参数将器件两端的电压降确定为电流的函数。提出了器件跨导参数Kp的温度依赖性的二次拟合
K p = K p 0 / ( 1 + T c 1 ( T − T 0 ) + T c 2 ( T − T 0 ) 2 ) K_p=K_{p0}/\left(1+T_{c1}(T-T_0)+T_{c2}(T-T_0)^2\right) Kp=Kp0/(1+Tc1(TT0)+Tc2(TT0)2)
  其中Kp0是室温下的标称器件跨导参数,T0是标称室温,Tc1和Tc2是温度系数。
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