国开电大 光伏电池原理与工艺 形考任务

形考任务1
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题目：（）层位于对流层之外，属太阳大气层中的最底层或最里层。: 色球光球日冕针状体
题目：（）是太阳大气的最外层。: 色球针状体光球日冕
题目：布喇菲格子的特点是每个格点周围的环境都（）。: 相同不同部分不同部分相同
题目：当杂质原子取代基质原子占据晶格的格点位置时，形成（）杂质。: 组成式间隙式替位式以上皆不是
题目：非晶硅有两个致命缺点。一是工作性能不稳定，寿命短。二是它的光电转化效率比晶体硅太阳电池（）。: 一致未知低高
题目：硅系太阳电池主要包括单晶硅太阳电池、多晶硅太阳电池、非晶硅太阳电池。其中（）太阳电池转换效率最高。: 以上皆不是单晶硅非晶硅多晶硅
题目：轨道杂化，是共价（）结构晶体的一个共同特点。: 五面体多面体六面体四面体
题目：将晶面在（）个基矢上的截距的倒数之比化为互质整数比，称为该晶面族的密勒指数。: 一个二个三个四个
题目：紧贴光球以上的一层大气称为（）层，平时不易被观测到，过去这一区域只是在日全食时才能被看到。: 针状体光球色球日冕
题目：晶胞（）是体积最小的重复单元，结点一般不仅在顶点，而且可以在体心、面心上。: 以上皆不是一定不不一定一定
题目：若原子脱离格点后，形成填隙原子，这样的热缺陷称为（）缺陷。: 组成以上皆不是弗仑克尔肖特基
题目：若杂质原子占据晶格间隙位置，形成（）杂质。: 组成式替位式间隙式以上皆不是
题目：色心属于（）。: 线缺陷点缺陷体缺陷面缺陷
题目：太阳常数的参考值为Isc=（）±7W/m2。
1387
1377
1367
1357
题目：太阳发射的电磁辐射在大气顶上随（）的分布叫太阳光谱。: 时间空间距离波长
题目：为使太阳电池所接收到的太阳直射辐射能量最多，就要确定太阳（）。: 入射角日照时间高度角方位角
题目：我国属于地球太阳能资源丰富程度（）地区。: 最高最低中高中低
题目：我国太阳能分布最丰富的是（）地区。: 陕西内蒙古青藏高原宁夏
题目：由基矢b1、b2、b3描述的空间点阵称为（）。: 正格子倒格子倒格矢正格矢
题目：在固体物理学中，只考虑晶格的周期性，选取（）的重复单元作为固体物理学原胞，简称原胞。: 最小最大以上皆不是中间
题目：并网光伏供电系统的组成结构主要有（）。: 交流负载逆变器控制器蓄电池太阳电池阵列
题目：地球太阳能资源丰富程度中低地区有（）。: 新西兰日本朝鲜东欧
题目：地球太阳能资源丰富程度中高地区有（）。: 美国中东中非中国
题目：地球太阳能资源丰富程度最低地区有（）。: 中美洲加拿大北非西北欧洲
题目：地球太阳能资源丰富程度最高地区有（）。: 巴基斯坦澳大利亚中国印度
题目：点缺陷对材料性能的影响有（）。: 改变材料的力学性能提高材料的电阻形成其他晶体缺陷加快原子的扩散迁移
题目：独立光伏供电系统的组成结构主要有（）。: 逆变器光伏方阵直流（交流）负载蓄电池控制器
题目：非晶硅的两个致使缺点是（）。: 光致衰减效应有污染成本高光电转化效率低
题目：弗仑克尔缺陷的特点有（）。: 空位和填隙原子数目相等一定的温度下，晶体内部的空位和表面上的原子处于平衡空位和填隙原子成对地产生一定的温度下，缺陷的产生和复合过程达到平衡
题目：各种化学气相沉积包括（）。: 快速加热化学气相沉积催化化学气相沉积法热丝化学气相沉积等离子增强化学气相沉积
题目：根据晶体缺陷在空间延伸的线度，晶体缺陷可分为（）。: 点缺陷面缺陷体缺陷线缺陷
题目：硅系太阳电池主要包括（）。: 非晶硅太阳电池单晶硅太阳电池多晶硅太阳电池薄膜太阳电池
题目：晶胞不一定是体积最小的重复单元，结点可以位于（）。: 顶点面心质心体心
题目：晶体包括（）。: 离子晶体金属晶体分子晶体原子晶体
题目：立方晶系的下列（）面是完全等价的。: -1-10-100{100}
题目：太阳从中心向外可分为（）。: 太阳大气核反应区辐射区对流区
题目：太阳的大气层从内向外分为（）三层。: 光球针状体色球日冕
题目：我国（）等西部地区光照资源尤为丰富。: 青藏高原陕西内蒙古宁夏
题目：以下（）地区属于我国太阳能热能资源分布三类地区。: 河南吉林山东山西北部
题目：以下（）地区属于我国太阳能热能资源分布四类地区。: 云南浙江江西辽宁
题目：布喇菲格子的特点是每个格点周围的环境都相同。
题目：大气层的影响不仅与太阳光的入射方向有关，而且还与大气中吸收、散射、反射太阳辐射的物质有关。
题目：单晶一般是凸多面体，且都有规则的外形。
题目：当天空晴朗，太阳在头顶直射且阳光在大气中经过的光程最短时，到达地球表面的太阳辐射最强。
题目：地球只接受到太阳总辐射的二十二亿分之一，这个数量相当于全世界发电量的几百万倍。
题目：点缺陷的特点：在三维尺寸均很小，只在某些位置发生，只影响邻近几个原子。
题目：电子在原子之间的转移不是任意的，电子只能在能量相同的轨道之间发生转移。
题目：对于布喇菲格子，原胞只包含一个原子；对于复式格子，基元中包含几个原子，相应的原胞也包含几个原子。
题目：对于原胞，结点只出现在顶点上。
题目：根据各地接受太阳总辐射量的多少，可将我国划分为五类地区。
题目：光致衰减效应是非晶硅的致命缺点之一。
题目：将晶面在三个基矢上的截距的倒数之比化为互质整数比，称为该晶面族的晶面指数。
题目：结点的总体称为布喇菲点阵。布喇菲点阵中，每点周围的情况不一样。
题目：每个正格子都有一个倒格子与之相对应。
题目：太阳常数的常用单位为W/m2。
题目：我国太阳能分布最丰富的是宁夏地区。
题目：我国无电地区大多集中于青藏高原、内蒙古、宁夏、陕西等西部地区。
题目：一般而言，晶体在同一方向上具有相同的周期性，而不同方向上具有不同周期性。
题目：在倒格子中，以某一倒格点为原点，离原点次近的多面体称为第二布里渊区。
题目：在倒格子中，以某一倒格点为原点，离原点最近的多面体称为第一布里渊区。
题目：（1）1839年一一[[1]]
（2）1877年一一[[2]]
（3）1954一一[[3]]
[[1]] -> {A. 法国物理学家A.E.Becqueral第一次在实验室中发现液体的光生伏特效应 / B. 制作了第一片硒太阳电池 / C. 贝尔实验室Chapin等人开发出第一块实用的效率为6％的单晶硅光电池}
题目：将下列地球太阳能资源分布情况与地区一一对应。
（1）丰富程度最高地区 一一[[2]]
（2）丰富程度中高地区 一一[[1]]
（3）丰富程度中低地区 一一[[3]][[1]] -> {A.中国 / B.印度 / C.日本}
题目：将下列定义与公式一一对应。
（1）太阳高度角 A.
（2）太阳方位角 B.
（3）太阳入射角 C.
1). （1）
{ABC}
2). （2）
{ABC}
3). （3）
{ABC}

题目：将下列概念与意义一一对应。
（1）太阳常数 一一[[1]]
（2）太阳光谱 一一[[2]]
（3）大气光学质量 一一[[3]][[1]] -> {A.描述大气层上的太阳辐射强度 / B.太阳发射的电磁辐射在大气顶上随波长的分布 / C.太阳光线穿过地球大气的路径与太阳光线在天顶角方向时穿过大气路径之比}
题目：将下列晶胞所含原子个数的计算方法一一对应。
（1）顶点的原子 一一[[3]]
（2）棱上的原子 一一[[2]]
（3）面心的原子 一一[[1]][[1]] -> {A.同时为2个晶胞所共有 / B.同时为4个晶胞所共有 / C.同时为8个晶胞所共有}
题目：将下列晶体缺陷与特征一一对应。
（1）点缺陷 一一[[3]]
（2）线缺陷 一一[[2]]
（3）面缺陷 一一[[1]][[1]] -> {A.在一维尺寸小，在另二维尺寸大，可被光学显微镜观察到 / B.在二维尺寸小，在另一维尺寸大，可被电镜观察到 / C.在三维尺寸均很小，只在某些位置发生，只影响邻近几个原子}
题目：将下列省份地区与太阳能资源分布情况一一对应。
（1）山东 一一[[2]]
（2）江西 一一[[3]]
（3）宁夏南部 一一[[1]][[1]] -> {A. 二类 / B. 三类 / C. 四类}
题目：将下列世界气候带一一对应。
（1）赤道带 [[3]]
（2）热带 一一[[1]]
（3）温带 一一[[2]][[1]] -> {A.纬度10?～回归线（23.5?） / B.回归线至极圈（23.5?～66.5?） / C.南北纬10?以内}
题目：将下列太阳大气结构与名称一一对应。
（1）光球 一一[[3]]
（2）色球 一一[[2]]
（3）日冕 一一[[1]][[1]] -> {A.最外层 / B.中层 / C.最底层}
题目：将下列我国太阳电池发展历程一一对应。
（1）1958年一一 [[1]]
（2）1971年一一 [[2]]
（3）1979年一一[[3]][[1]] -> {A.我国开始研制太阳电池 / B.我国发射的第二颗人造卫星—科学实验卫星实践一号上首次应用太阳电池 / C.我国开始利用半导体工业废次硅材料生产单晶硅太阳电池}

形考任务2
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题目：300K时，在本征半导体中掺入施主杂质形成N型半导体，欲使得锗中的费米能级低于导带底能量0.15eV，施主掺杂浓度ND为（）。: ;
题目：单晶一般是（）。: 凹多面体圆球体立方体凸多面体
题目：电子的漂移电流为（）。: ;
题目：空间点阵可分为（）晶系。: 六种四种七种五种
题目：空穴的漂移电流为（）。: ;
题目：面心立方密堆积空间利用率最大为（）。: 70%74%76%72%
题目：七大晶系共有（）种布喇菲原胞。: 14131211
题目：体心立方堆积空间利用率为（）。: 65%67%66%68%
题目：体心立方晶格的倒格子是面心立方结构，它的第一布里渊区为（）。: 菱形十六体菱形十二面体截角八面体正八面体
题目：下列哪项不属于配位数的可能值（）。: 1200%900%800%600%
题目：以下（）为价带的有效状态密度计算公式。: ;
题目：在105个硅原子中掺入一个硼原子，可以使硅的电导增加（）。: 102104105103
题目：在下列公式中计算本征半导体费米能级的是（）: ;
题目：在PN结中施主掺杂浓度为，受主掺杂浓度为，在300K时Si突变结的接触电势差VD为（）: 0.736V0.976V0.876V0.686V
题目：正四面体四个共价键之间的夹角是（）: 109°30’109°109°25’109°28’
题目：自然界的晶体结构只有（）种。: 210230200220
题目：PN结中的总的空穴电流计算公式为（）。: ;
题目：PN结中的总的电子电流计算公式为（）。
题目：常用的酸性腐蚀液配方中硝酸与氢氟酸与醋酸之比为（）。: 5:01:016:01:015:03:036:03:03
题目：单晶硅锭的两种常见生产工艺有（）。: 直拉法直熔法区熔法浇铸法
题目：电池的输出功率受以下哪些因素所影响（）。: 光子能量大于禁带宽度的能量损耗抗反射层的吸收和反射栅覆盖面积光子能量小于禁带宽度引起的损耗
题目：多晶硅锭的两种常见生产方法有（）。: 直熔法区熔法直拉法浇铸法
题目：多晶硅绒面制备时采用的酸腐蚀液主要由（）组成。: CH3CH2OHHFH20HN03
题目：固态氮化硼扩散与液态硼扩散比较，其有如下的特点（）。: 扩散效率高，更适于大批量生产产品的合格率较高设备复杂、操作麻烦扩散后硅片的均匀性、重复性和表面质量都较好
题目：光伏电池广泛应用于当今社会，以下哪些选项是其典型应用（）。: 电池充电器抽水系统无线电通信系统电源室内电子器件
题目：硅材料的选料主要包括（）。: 形状、尺寸、厚度导电类型晶向、位错、寿命电阻率
题目：硅片表面污染的杂质分类有（）。: 分子型杂质质子型杂质离子型杂质原子型杂质
题目：碱腐蚀法的酸腐蚀法对比，其优点是（）。: 外观平整成本较低光亮度高对环境的污染小
题目：离子注入法具有的特点主要有（）。: 不受固溶度限制精确的剂量控制掺杂深度小均匀性好
题目：太阳电池的测试方法包括（）。: 阳极氧化法测结深太阳电池负载特性的测试四探针法测薄层电阻少子寿命的测试
题目：太阳电池的光电转换效率哪些因素有关（）。: 材料性质结构工作温度环境变化
题目：以下哪些选项对太阳电池性能有直接的影响（）。: 颜色温度和光强度辐射电池片厚度
题目：在太阳电池的扩散工艺中，影响扩散的重要因素有（）。: 扩散气氛扩散深度扩散时间扩散温度
题目：直拉单晶硅制备工艺一般包括（）。: 装料和熔化种晶和引细颈放肩和等径生长收尾
题目：制备背电场电池较常用的方法还有硼扩散法，硼扩散法的优点是（）。: 电极牢度好分配系数比铝大所需温度低结均匀
题目：制备PN结的主要方法有以下几种（）。: 扩散法离子注入法分离法合金法
题目：制作电极的方法主要有（）。: 化学镀膜法加热氧化法真空蒸镀法印刷烧结法
题目：作为减反射层的薄膜材料，通常要求有很好的（）。: 透光性耐化学腐蚀性导电性硅片粘接性
题目：本征半导体的特征是电子的浓度与空穴的浓度相等。
题目：单晶没有规则的外形。
题目：对一定的晶体，杂质原子是形成替位式杂质还是间隙式杂质，主要取决于杂质原子与基质原子几何尺寸的相对大小及其电负性。
题目：对于结构相同的晶体，滑移方向和滑移面通常不相同。
题目：对于一定的晶格，结点所占的体积是一定的，面间距大的晶面上，格点的面密度小。
题目：多晶由很多细小的取向不同的单晶组成。
题目：非晶体内部的原子、分子排列整齐，有周期性规律。
题目：晶体加热至熔点开始熔化，熔化过程中温度保持不变，熔化成液态后温度才继续上升；而非晶体熔化时，随着温度升高，粘度逐渐变小，变成流动性较大的液体。
题目：晶体内的位错滑移是使临界切应力大为减小的主要原因。
题目：晶体缺陷是固体物理中的重要研究领域。
题目：晶体在不同方向上具有相同的周期性。
题目：理想晶体的主要特征是原子（或分子）严格按照规则排列，具有完整的周期性。
题目：密勒指数小的晶面，面间距较大。
题目：七大晶系共有十五种布喇菲原胞。
题目：色心是一种化学计量比引起的空位缺陷。
题目：同一品种的晶体，两个对应晶面间的夹角恒定不变。
题目：位错为面缺陷，位错的基本类型有刃型位错和螺旋位错两种。
题目：由于内建电场作用，电子要从P区漂移运动到N区，空穴要从N区漂移运动到P区，它们的漂移形成了电流，电流方向也是P指向N。
题目：由于浓度梯度作用，电子和空穴的扩散会形成电子扩撒电流和空穴扩散电流，它们的电流方向是相同的，都是P指向N。
题目：由于生长条件不同，同一品种的晶体其外形可能不同，这是晶体的本质特征。
题目：在不同的带轴方向上，晶体中原子排列情况不同，晶体性质也不同。
题目：在晶体中，位于晶格点阵上的原子是静止不动的。
题目：在熔化过程中，晶体的长程序解体时对应着一定的熔点，非晶体也有固定的熔点。
题目：在一定温度下，原子热振动的振幅和平均能量是不断变化的。
题目：组成缺陷包括替位式杂质原子和填隙式杂质原子。
题目：N型半导体的特征是电子是少数载流子，空穴是多数载流子。
题目：按形成原因将点缺陷的三种类型一一对应。
（1）热缺陷 一一 [[3]]
（2）组成缺陷 一一[[1]]
（3）色心 一一[[2]]
[[1]] -> {A.外来原子取代正常原子位置或进入正常结点的间隙位置。 / B.非化学计量比引起的空位缺陷。 / C.在晶体点阵的正常格点位出现空位，不该有原子的位置出现原子。}
题目：当热平衡PN结不加偏压时，将下列求解公式一一对应。
（1）PN结区空间电荷区的总的宽度 A.
（2）N型区空间电荷区的宽度 B.
（3）P型区空间电荷区的宽度 C.
1). PN结区空间电荷区的总的宽度一一 {ABC}
2). N型区空间电荷区的宽度一一{ABC}
3). P型区空间电荷区的宽度一一{ABC}
题目：对称操作过程中保持不变的几何要素称为对称元素，将以下对称元素的定义一一对应。
（1）点 一一[[2]]
（2）线 一一[[1]]
（3）面 一一[[3]][[1]] -> {A.旋转轴 / B.反演中心。 / C.反映面}
题目：根据均摊法，将晶胞中处于不同位置上的原子与晶胞所含原子个数的计算方法一一对应。
（1）处于顶点的原子 一一[[2]]
（2）处于棱上的原子 一一[[1]]
（3）处于面心的原子 一一[[3]][[1]] -> {A. 每个原子有1/4属于该晶胞 / B. 每个原子有1/8属于该晶胞 / C. 每个原子有1/2属于该晶胞}
题目：将倒格子三个基矢与其定义一一对应。
（1）b1 A.
（2）b2 B.
（3）b3 C.
1). b1
{ABC}
2). b2
{ABC}
3). b3
{ABC}
题目：将晶体金属中原子堆积方式一一对应。
（1）六方密堆积 一一[[3]]
（2）面心立方密堆积 一一[[1]]
（3）体心立方堆积 一一[[2]][[1]] -> {A. 铜型堆积 / B. 钾型堆积 / C. 镁型堆积}
题目：将下列不同半导体的费米能级求解公式一一对应。
（1）本征半导体费米能级 A.
（2）N型半导体费米能级 B.
（3）P型半导体费米能级 C.
1). 本征半导体费米能级
{ABC}
2). N型半导体费米能级
{ABC}
3). P型半导体费米能级
{ABC}
题目：将下列定义与其计算公式一一对应
（1）导带的有效状态密度 A.
（2） 导带中电子浓度 B.
（3） 价带中空穴浓度 C.
1). 导带的有效状态密度一一{ABC}
2). 导带中电子浓度一一{ABC}
3). 价带中空穴浓度一一{ABC}

题目：将下列关于晶体结构的描述一一对应。
（1）晶棱 一一[[2]]
（2）晶带 一一[[3]]
（3）晶带带轴 一一[[1]][[1]] -> {A. 互相平行的晶棱的共同方向 / B. 晶面的交线 / C. 晶棱互相平行的晶面的组合}
题目：将下列晶体经过不同的增色处理后形成的颜色一一对应。
（1）NaCI晶体在Na蒸汽中加热后 一一[[3]]
（2）KCI晶体在K蒸汽中加热后 一一[[1]]
（3）LiF晶体在Li蒸汽中加热后 一一[[2]][[1]] -> {A. 紫色 / B. 粉红色 / C. 黄色}
题目：将下列晶体缺陷类型与描述一一对应。
（1）点缺陷 一一[[3]]
（2）线缺陷 一一[[2]]
（3）面缺陷 一一[[1]]
[[1]] -> {A.在一维尺寸小，在另二维尺寸大,可被光学显微镜观察到。 / B.在二维尺寸小，在另一维尺寸大，可被电镜观察到 / C.在三维尺寸均很小，只在某些位置发生，只影响邻近几个原子}
题目：将以下物质室温下的本征载流子浓度一一对应。
（1）Si A.
（2）GaAs B.
（3）Ge C.
1). Si
{ABC}
2). GaAs
{ABC}
3). Ge
{ABC}

题目：同一品种的晶体，两个对应晶面间的夹角恒定不变。将石英晶体的各面间夹角情况一一对应。
（1）a、b 一一[[1]]
（2）a、c 一一[[3]]
（3）b、c 一一[[2]][[1]] -> {A. 141°47′ / B. 120°00′ / C. 113°08′}
题目：P型半导体的费米能级随受主杂质浓度的增加而变化，根据变化图将以下符号表达的意义一一对应。
（1）Ec 一一[[3]]
（2）Ev 一一[[2]]
（3）Ef 一一[[1]]
[[1]] -> {A. 费米能级 / B. 价带顶能量 / C. 导带底能量}

形考任务3
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题目：（）对电池性能的影响直接反映在对材料参数及电池的电学参数的影响上。: 厚度辐射温度大小
题目：（）是衡量电池输出特性的重要指标，其值越大表明太阳电池的输出特性越好。: 填充因子光谱响应短路电流开路电压
题目：常规电池的厚度（），开路电压及填充因子（）。: 增加不变减小下降减小不变减小上升
题目：常规硅太阳电池工艺中,形成电池PN结的主要方法是（）。: 离子注入法合金法分离法扩散法
题目：电池烧结前先对电极进行（），之后再进行烧结。: 氧化加热铜化烘干
题目：硅的电阻率与掺杂（）有关。: 重量颜色数量浓度
题目：硅片清洗必须按照的次序清洗，才能除去硅片表面的油脂、蜡等有机物。: 水-甲苯-丙酮-酒精水-丙酮-甲苯-酒精丙酮-甲苯-酒精-水甲苯-丙酮-酒精-水
题目：粒子（）差别的存在是产生扩散运动的必要条件。: 重量浓度颜色大小
题目：目前的拉晶工艺几乎都采用平放肩工艺,肩部形成一个近（）的夹角。: 90°45°180°30°
题目：内圆切割机切片的速度（），硅材料的损耗很（），效率（），切片后硅片的表面损伤大。: 慢小低快大高快小高慢大低
题目：太阳电池组件的测量条件被“欧洲委员会”定义为101号标准，其中电池温度为（）。: 30℃25℃15℃20℃
题目：太阳电池组件的测量条件被“欧洲委员会”定义为101号标准，其中光谱辐照度为（）。: 500W/㎡2000W/㎡1000W/㎡1500W/㎡
题目：太阳电池组件的测量条件被“欧洲委员会”定义为101号标准，其中光谱为（）。: AM2.5AM2AM1AM1.5
题目：线切割线切割机切割的效率（），切割损耗（），表面损伤（）。: 高小小高大小低大大低小大
题目：悬浮区熔方法制备的区熔单晶硅，纯度（）,电学性能（）。: 高均匀低不均匀高不均匀低均匀
题目：以下（）用于固态源扩散。: 三溴化硼硼酸三丙酯氮化硼硼酸三甲酯
题目：以下哪项最为直接影响太阳电池的光电转换效率（）。: 工作温度禁带宽度电池结构材料性质
题目：在硅片清洗中，经常用到王水，主要利用它的（）。: 强氧化性强碱性强酸性强腐蚀性
题目：直拉单晶硅的制备工艺一般包括（）。: 多晶硅的装料和熔化、种晶、引细颈、等径、放肩和收尾多晶硅的装料和熔化、种晶、放肩、引细颈、等径和收尾多晶硅的装料和熔化、种晶、引细颈、放肩、等径和收尾多晶硅的装料和熔化、种晶、、放肩、等径、引细颈和收尾
题目：转换效率是电池的最大功率输出与（）之比。: 填充因子开路电压入射功率短路电流
题目：常用的酸性腐蚀液配方中硝酸与氢氟酸与醋酸之比为（）。: 5:03:036:01:015:01:016:03:03
题目：单晶硅锭的两种常见生产工艺有（）。: 直熔法直拉法浇铸法区熔法
题目：电池的输出功率受以下哪些因素所影响（）。: 光子能量大于禁带宽度的能量损耗光子能量小于禁带宽度引起的损耗栅覆盖面积抗反射层的吸收和反射
题目：多晶硅锭的两种常见生产方法有（）。: 直熔法区熔法直拉法浇铸法
题目：多晶硅绒面制备时采用的酸腐蚀液主要由（）组成。: CH3CH2OHH20HN03HF
题目：固态氮化硼扩散与液态硼扩散比较，其有如下的特点（）。: 设备复杂、操作麻烦扩散后硅片的均匀性、重复性和表面质量都较好扩散效率高，更适于大批量生产产品的合格率较高
题目：光伏电池广泛应用于当今社会，以下哪些选项是其典型应用（）。: 电池充电器抽水系统室内电子器件无线电通信系统电源
题目：硅材料的选料主要包括（）。: 形状、尺寸、厚度导电类型电阻率晶向、位错、寿命
题目：硅片表面污染的杂质分类有（）。: 离子型杂质质子型杂质原子型杂质分子型杂质
题目：碱腐蚀法的酸腐蚀法对比，其优点是（）。: 外观平整光亮度高成本较低对环境的污染小
题目：离子注入法具有的特点主要有（）。: 掺杂深度小不受固溶度限制均匀性好精确的剂量控制
题目：太阳电池的测试方法包括（）。: 阳极氧化法测结深四探针法测薄层电阻太阳电池负载特性的测试少子寿命的测试
题目：太阳电池的光电转换效率哪些因素有关（）。: 材料性质结构工作温度环境变化
题目：以下哪些选项对太阳电池性能有直接的影响（）。: 颜色辐射电池片厚度温度和光强度
题目：在太阳电池的扩散工艺中，影响扩散的重要因素有（）。: 扩散气氛扩散温度扩散深度扩散时间
题目：直拉单晶硅制备工艺一般包括（）。: 装料和熔化收尾放肩和等径生长种晶和引细颈
题目：制备背电场电池较常用的方法还有硼扩散法，硼扩散法的优点是（）。: 电极牢度好所需温度低分配系数比铝大结均匀
题目：制备PN结的主要方法有以下几种（）。: 合金法离子注入法扩散法分离法
题目：制作电极的方法主要有（）。: 化学镀膜法加热氧化法真空蒸镀法印刷烧结法
题目：作为减反射层的薄膜材料，通常要求有很好的（）。: 透光性耐化学腐蚀性硅片粘接性导电性
题目：常规硅太阳电池工艺中,形成电池PN结的主要方法是合金法。
题目：串、并联电阻对填充因子的影响极小，可以忽略不计。
题目：多晶硅一般采用碱溶液对进行表面腐蚀制绒。
题目：根据晶体生长方式的不同，单晶硅可以分为直拉单晶硅和区熔单晶硅。
题目：光伏电池具有对称的电子学结构。
题目：光伏电池可以用于微波中继站电源供给，作为无线电通讯系统电源。
题目：硅片进行表面腐蚀，其作用是去除表面的切片机械损伤。
题目：减反射膜又称增透膜，它的主要功能是减少或消除太阳电池表面的反射光
题目：碱腐蚀的硅片表观光亮平整，但缺点是成本高和对环境的污染大。
题目：晶面间的共价键密度越低，则该晶面越容易被腐蚀。
题目：利用区熔单晶硅制备的太阳电池的光电转换效率高，且生产成本低，应用广泛。
题目：利用王水清洗硅片主要在于它的腐蚀性。
题目：内圆切割机切片的速度快，可以同时切割多根单晶硅锭。
题目：水汽氧化是平面工艺最常用的方法。
题目：太阳电池的最高转换效率不可能达到100%。
题目：太阳电池良好特性最适宜在低温低光照强度下。
题目：填隙式扩散是指杂质的原子在进入晶体之后，沿着晶格空位跳跃前进的一种扩散。
题目：用于硅片清洗常的有机溶剂主要有甲苯、丙酮、酒精等。
题目：制作背场可以较大地改善太阳电池的性能。
题目：POCl3扩散是一种用气体携带液态扩散源的扩散方式。
题目：电池的总短路电流是全部光谱段贡献的总和，用表达式表示如下：
式中各项分别指代。
（1）λ0 一一[[2]]
（2）R(λ) 一一[[1]]
（3）F(λ) 一一[[3]]
[[1]] -> {A 表面反射率 / B 本征吸收波长限 / C 太阳光谱中波长为l～l+dl间隔内的光子数}
题目：硅片表面污染的杂质可分类为。
（1）分子型杂质 一一[[2]]
（2）离子型杂质 一一[[1]]
（3）原子型杂质 一一[[3]]
[[1]] -> {A K+, Na+, Ca2+, F-, CL-, CO32 / B 油脂、腊、松香 / C 金、铂、铜、铁}
题目：硅片的一般清洗顺序是，请按步骤一一匹配。
（1）有机溶剂去油 一一[[3]]
（2）去除残留的有机和无机杂质 一一[[2]]
（3）清洗液彻底清洗 一一[[1]]
[[1]] -> {A 热王水或I号、Ⅱ号清洗液 / B 热的浓硫酸 / C 甲苯}
题目：将下列常用几种氧化方法一一匹配。
（1）水汽氧化法 一一[[3]]
（2）干氧氧化法 一一[[1]]
（3）湿氧氧化法 一一[[2]]
[[1]] -> {A 生长速率最慢，生成的二氧化硅薄膜结构致密、均匀性好 / B 生长速率介于两者之间,钝化效果不好，进一步降低体寿命 / C 生长速率最快，生长的二氧化硅层结构疏松，表面有斑点}
题目：将下列常用减反射膜一一匹配。
（1）SiO膜 一一[[2]]
（2）TiO2膜 一一[[3]]
（3）Si3N4膜 一一[[1]]
[[1]] -> {A 折射率在1.8～2.5，具有明显的表面钝化和体钝化作用 / B 折射率为1.8～1.9，是最常用的减反射膜材料 / C 折射率为2.0～2.7，可得到比较理想的太阳电池减反射膜。}
题目：将下列概念与意义作用一一匹配。
（1）腐蚀 一一[[3]]
（2）扩散 一一[[2]]
（3）绒面 一一[[1]]
[[1]] -> {A 降低了表面反射提高光生载流子的收集 / B 由热运动所引起的杂质原子和基体原子的输运过程 / C 去除表面的切片机械损伤}
题目：将下列扩散源一一匹配。
（1）液态源扩散 一一[[2]]
（2）涂布源扩散 一一[[1]]
（3）固态源扩散 一一[[3]]
[[1]] -> {A 五氧化二磷 / B 硼酸三甲酯 / C 氮化硼}
题目：太阳电池的等效电路中，暗电流表达式
式中各项分别指代。
（1）U 一一 [[3]]
（2）Q 一一 [[1]]
（3）A 一一 [[2]]
[[1]] -> {A 电子电量 / B 二极管曲线因子，取值在1～2之间 / C 等效二极管的端电压}
题目：太阳电池组件的测量必须在标准条件下进行，测量条件被“欧洲委员会”定义为101号标准，其条件是。
（1）光谱辐照度 一一[[2]]
（2）光谱 一一[[3]]
（3）电池温度 一一[[1]]
[[1]] -> {A 25℃ / B 1000W/㎡ / C AM 1.5}
题目：提高硅太阳电池效率的几种途径，请匹配。
（1）紫光电池 一一[[1]]
（2）M1S电池 一一[[2]]
（3）聚光电池 一一[[3]]
[[1]] -> {A 采用0.1～0.15μm浅结和30条/cm精细密栅 / B 在金属和半导体之间加入1．5一3．0nm绝缘层 / C 电池面积小，低成本}

形考任务4
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题目：（）接触能形成整流特性接触和良好的欧姆接触。: 金属与绝缘体半导体与半导体金属与半导体金属与金属
题目：1973年GaAs三层结构异质结太阳电池，实验室效率达到（），超过了硅太阳电池。: 22%42%32%12%
题目：半导体硅中，n+/p型硅太阳电池通常用（）为掺杂元素。: 砷磷钠硼
题目：单晶硅的生产工艺在太阳电池领域主要应用的是（）。: 直熔法浇铸法区熔法直拉法
题目：非晶硅太阳电池的哪一方面限制了非晶硅太阳电池的应用（）。: 光致衰减效应陷光效应大面积均匀性的困难工艺复杂
题目：硅太阳电池地面应用倾向于采用电阻率为()的材料，以获得高的转换效率。
: 小于0.01
10至200Ω·cm
零点几至2Ω·cm
0.1至50·cm
题目：具有整流效应（单向导电性）的金属和（）接触，称为肖特基结。: 以上均可半导体绝缘体金属
题目：硫化亚铜-硫化镉太阳电池的缺点主要是（）。: 造价高不利于大规模自动化生产大面积均匀性的困难，效率低工艺复杂
题目：目前，在实验室中薄膜太阳电池的光电转换效率已经超过了()，在国际上已经有模的工业生产。: 40%21.90%16%29%
题目：目前，制备薄膜的主要方法中（）是一种高效、低成本、适合大面积生产的方法。: 物理气相沉积法（PVD）喷涂法（SP）化学沉积法电沉积法（ED）
题目：目前产业化太阳电池中,所占比例最大的是（）。: 铜铟镓硒太阳电池碲化镉太阳电池（a-Si）硅基太阳电池MIS光伏电池
题目：目前已产业化的薄膜光伏电池材料有（）。: 以上三种铜铟镓硒太阳电池碲化镉太阳电池非晶硅薄膜电池（a-Si）
题目：太阳电池用单晶硅片的厚度约为（）。
: 200～300μm
20～30μm
200～300mm
20～30cm
题目：铜铟镓硒薄膜太阳电池走向大规模的产业化最大的困难是（）: 其成本高、抗辐射能力弱性能不稳定复杂的多层结构和敏感的元素配比，对工艺和设备的要求非常严格光电转换效率低
题目：下列不是半导体异质结太阳电池的是（）。: 砷化镓太阳电池非晶硅薄膜太阳电池碲化镉太阳电池硫化亚铜-硫化镉太阳电池
题目：下列哪个不是染料敏化太阳电池（DSSC）的优点（）: 结构简单光电转换效率高对环境无污染成本低廉、易于制造
题目：要提高微晶硅太阳电池性能，核心技术是（），可使光电转换效率超过20%。: 陷光技术大面积均匀性技术掺杂工艺抗光致衰减技术
题目：因转化率低，而且存在光致衰退，因此在太阳能发电市场多用于功率小的小型电子产品市场。如电子计算器、玩具等的太阳能电池是（）。: 铜铟镓硒太阳电池单晶硅电池非晶硅太阳电池多晶硅太阳电池
题目：在国际光伏行业得到了广泛应用的铸造多晶硅的工艺是（）。: 直熔法区熔法直拉法浇铸法
题目：MIS光伏电池是什么结构()。: 绝缘层-金属-半导体结构半导体-绝缘层-半导体结构金属-绝缘层-金属结构金属-绝缘层-半导体结构
题目：（）有何特点的金属-半导体接触称为欧姆接触，欧姆结。: 很大的电阻单向导电性很小的电阻具有线性和对称的电流-电压关系
题目：薄膜太阳电池采用的化学沉积法制膜的优点是（）。: 环保适合大面积生产低成本高效
题目：单晶硅一般采用哪种溶液对进行表面腐蚀制绒（）。: 氢氧化钾氢氧化钠硝酸氢氧化锂
题目：电池的优缺点有（）。: 效率低，缺少硅电池那种固有的稳定性电池生产成本低廉。系统其他部分的成本高可在不同的衬底上制作，非常适合于大规模自动化生产
题目：多晶硅可采用哪种溶液对进行表面腐蚀制绒（）。: HN03、HF、H20CH3CH2OHKOHNaOH
题目：非晶硅薄膜太阳电池与晶体硅太阳电池相比，具有什么优点（）。: 重量轻光致衰减低耗能少工艺简单、成本低
题目：硅基电池包括（）。: 非晶硅电池单晶硅铜铟镓硒薄膜电池多晶硅
题目：金属与半导体接触能形成（）。: 良好的欧姆接触整流特性接触半导体绝缘体
题目：染料敏化太阳电池主要由组成（）。: 纳米多孔薄膜对电极染料敏化剂电解质
题目：实际的化合物半导体电池结构之所以考虑异质结，出于以下（）因素的考虑。: 成本低一些半导体材料存在结构自补偿，使成结困难，需要采用异质结构异质结可以充分利用太阳光采用异质结构来降低表面复合速率
题目：铜铟镓硒薄膜太阳电池受到全世界广泛研究的原因是（）。: 成本低性能稳定抗辐射能力强光电转换效率高
题目：王水几乎能溶解所有不活泼金属如铜、银以及金、铂等。具有极强的（）。: 强酸性强碱性腐蚀性氧化性
题目：微晶硅太阳电池的特点（）。: 工艺简单、成本低不存在光致衰减现象，具有较好的稳定性光谱响应范围窄低吸收系数
题目：下面关于硅太阳电池的形状、尺寸、厚度，说法正确的是（）。
: 球形
基体厚度为200?m左右
125×125mm2
156×156mm2
题目：硝酸(HNO3)不能溶解的有（）。
: 铂
铁
铜
金
题目：肖特基二极管(SBD)比一般的半导体二极管特性好在（）。: 正向导通电压低正向导通电压高低频性能好，开关速度快高频性能好，开关速度快
题目：肖特基结是（）。: 单向导电性的金属和半导体接触金属与半导体接触有整流效应的金属和半导体接触金属与金属接触
题目：直拉单晶硅的制备工艺一般包括（）。: 种晶晶硅的装料和熔化引细颈、放肩、等径收尾
题目：铸造多晶硅主要的工艺有（）。: 浇铸法区熔法直拉法直熔法
题目：MIS结构实际上是一个（）。: 金属金属-绝缘层-半导体电阻电容
题目：采用同一种材料的P型和N型组成的P-N结，称为同质结。
题目：多晶硅的制备工艺一般包括:多晶硅的装料和熔化、种晶、引细颈、放肩、等径和收尾。
题目：多晶硅一般采用酸溶液对进行表面腐蚀制绒。
题目：非晶硅薄膜太阳电池可以制备在玻璃、不锈钢、陶瓷等衬底上。
题目：非晶硅薄膜太阳电池一般被设计成pin结构。
题目：非晶硅太阳电池的光致衰减效应限制了非晶硅太阳电池的应用。
题目：硅片清洗必须按照酒精-水-甲苯-丙酮的次序清洗，才能除去有机物及有机溶剂分子。
题目：金属-绝缘层-半导体(MIS)结构实际上是一个电容。
题目：太阳电池工艺成本低，大面积均匀性好，可以自动化生产。
题目：微晶硅同非晶硅一样，都是间接吸收，具有低吸收系数。
题目：线切割线切割机可以同时切割多根单晶硅锭，损耗小，表面损伤也小。
题目：异质结GaAs太阳电池B比同质结GaAs太阳电池光电转换效率高。
题目：用于硅片清洗常用的有机溶剂有甲苯、丙酮、酒精等。
题目：制备非晶硅所要求的条件原则与晶体硅相比要高得多。
题目：种晶时，单晶籽晶缓缓下降，距液面数毫米处暂停片刻是为了使粒晶预热以减少籽晶与熔硅的温度差。
题目：II号清洗液是由去离子水、含量为30%的过氧化氢和含量为37%的浓盐酸混合而成。
题目：N型半导体样品，热端的空穴向冷端扩散，冷端带正电，热端带负电。
题目：P+/n硅太阳电池，常用磷或砷作掺杂元素。
题目：P型半导体样品，热端的空穴向冷端扩散，冷端带正电，热端带负电。
题目：POCl3是无色透明无气味的无毒液体。
题目：单晶硅的制绒工艺复杂，请将以下工艺时间一一对应。
（1） 腐蚀时间 一一[[2]]
(2) 加无水乙醇 的间隔 一一[[1]]
(3) 用HF溶液浸泡 一一[[3]]
[[1]] -> {A 10～20min。 / B 40～60mim / C 3～5min}
题目：将下列等效情况一一对应。
(1) 欧姆接触 一一[[3]]
(2) 金属-绝缘层-半导体结构 一一[[1]]
(3) 空穴 一一[[2]]
[[1]] -> {A 等效电容 / B 等效为一个带正电荷的电子 / C 等效成一个小电阻}
题目：将下列溶剂名称一一对应。
（1）王水 一一[[2]]
(2) 硝酸 一一[[3]]
(3) 甲苯 一一[[1]]
[[1]] -> {A 有机溶剂 / B混合溶剂 / C无机溶剂}
题目：将下列生产工艺与主要特点一一对应。
(1) 区熔单晶硅 一一[[1]]
(2) 直拉单晶硅的制备工艺 一一[[3]]
(3) 直熔法生长的铸造多晶硅 一一[[2]]
[[1]] -> {A 利用高频感应线圈和辅助线圈加热多晶硅棒 / B 每一炉需要消耗一支坩埚 / C 有种晶、引细颈、放肩过程}
题目：将下列太阳电池尺寸一一对应。
（1）单晶硅片的厚度 一一[[3]]
(2) 硅太阳电池的尺寸 一一[[1]]
(3) 多晶硅铸锭的尺寸 一一[[2]]
[[1]] -> {A 125 ×125mm? / B 700mm × 700 mm×300 mm / C 200～300 μm}
题目：将下列太阳电池概念一一对应。
（1）第一代电池 一一[[2]]
(2) 第二代电池 一一[[3]]
(3) 第三代电池 一一[[1]]
[[1]] -> {A 聚光电池 / B 单晶硅太阳电池 / C 非晶硅薄膜太阳电池}
题目：将下列太阳电池特性一一对应。
（1）同质结 一一[[3]]
(2) 异质结 一一[[1]]
(3) PIN结 一一[[2]]
[[1]] -> {A碲化镉薄膜太阳电池 / B 非晶硅太阳电池 / C 多晶硅太阳电池}
题目：将下列太阳电池与类型一一对应。
(1)砷化镓（GaAs）太阳电池 一一[[1]]
(2) CdS太阳电池 一一[[2]]
(3) Cu2S/CdS太阳电池。 一一[[3]]
[[1]] -> {A Ⅲ-Ⅴ族化合物 / B Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体 / C 化合物半导体太阳电池}
题目：将下列太阳电池与其关键词一一对应。
(1) 非晶硅 一一[[2]]
(2) 微晶硅 一一[[1]]
(3) 铜铟镓硒 一一[[3]]
[[1]] -> {A 陷光效应 / B 光致衰减效应 / C 敏感的元素配比}
题目：将下列太阳电池与其缺陷一一对应。
(1)铜铟镓硒 一一[[2]]
(2) 非晶硅 一一[[2]]
(3) Cu2S/CdS 一一[[1]]
[[1]] -> {A 效率低，稳定性差 / B 严重的光致衰减效应 / C 复杂结构和敏感的元素配比}
题目：将下列太阳电池与其原理一一对应。
(1) 肖特基势垒太阳电池 一一[[2]]
(2) 反型层太阳电池 一一[[1]]
(3) MIS 光伏电池 一一[[3]]
[[1]] -> {A 利用热氧化硅表面产生的反型层 / B 利用金属/半导体界面上的肖特基势垒 / C 金属一绝缘层—半导体结构}
题目：将下列太阳电池与其主要特征一一对应。
（1）Cu2S/CdS 一一[[2]]
（2）微晶硅 一一[[1]]
（3）染料敏化 一一[[3]]
[[1]] -> {A 无光致衰减现象，稳定性光谱响应范围 / B 制造工艺简单、造价低廉 / C 结构简单、对环境无污染}
题目：将下列太阳电池与研制年份一一对应。
（1）同质结GaAs太阳电池 一一[[2]]
(2) 染料敏化太阳电池 一一[[3]]
(3) GaAs三层结构异质结太阳电池 一一[[1]]
[[1]] -> {A 1973年 / B 1956年 / C 1991年}
题目：下列扩散方式一一对应。
（1）POCl3扩散 一一[[2]]
(2) 液态源硼扩散 一一[[1]]
(3) 固态氮化硼扩散 一一[[3]]
[[1]] -> {A使预沉积在硅片表面的杂质进行再分布。 / B用气体携带液态扩散源的扩散方式 / C采用片状氮化硼作源用氮气保护进行扩散}
题目：I号清洗液是由去离子水、含量为30%的过氧化氢和含量为25%的浓氨水混合而成体积所占比例对应为。
（1）去离子水 一一 [[1]]
(2) 过氧化氢 一一 [[2]]
(3) 氨水 一一 [[3]]
[[1]] -> {A 5/8 / B 2/8 / C 1/8