硬件基础——mos管

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前言

MOS管设计重点

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一、技术理论

场效应管分类：
1.结型场效应管：很少使用
2.绝缘栅型场效应管：也就是我们常说的MOS管
MOS管分类：
1.增强型：U_gs电压为0，I_ds=0的管子
2.耗尽型：U_gs电压为0，I_ds≠0的管子（很少用）

二、增强型NMOS管

常做开关跟低端驱动

三、增强型PMOS管

常做高端驱动与开关

四、寄生参数

1.寄生电容
mos管有寄生电容Cgs，此电容大小一般为pF级别，一般规格书可以查到。
使用时，要特别注意GS管教的寄生电容Cgs,控制MOS管的导通与截止，本质上是控制Cgs电容的充放电。（最好要加限流）
2.体二极管
体二极管与正常二极管特性相同，可利用体二极管防反接。

五、器件选型

1.MOS管类型

一般选择Nmos管，在同等工艺条件下，导通电阻Ron更小，发热更低，允许通过的电流更大，型号也更多。

2.Vgs电压

需要考虑开启电压，驱动电压，极限电压

3.Id电流

通常尺寸越大，导通电阻Ron越小，允许的Id越大，具体以数据首册为准

4.Vds电压

主要考虑Vds极限电压，防止击穿MOS管

5.开关性能

如果作为开关使用，需要考虑开关速率，开关性能，主要受寄生电容影响，因为开关过程需要对寄生电容充放电，产生开关损耗。

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