小科普 | BIOS设置选项详细解释②——内存篇

原标题：小科普 | BIOS设置选项详细解释②——内存篇

Load XMP Setting：加载XMP预设。内存出厂后会进行测试，找到一些电压、时序、频率之间稳定运行的参数，保存在内存XMP文件当中，当然你也可以手动超频无视这个选项。这个参数可以被HWiNFO64或AIDA64查阅。

DRAM Reference Clock：内存参考源时钟，比如100Mhz可以实现DDR 3000、3100等频率，133Mhz可以实现DDR 3333等频率。因为内存频率是按照与CPU外频和Home Agent的比率来实现的，通常可以设置为Auto。

DRAM Frequency：内存工作频率，比如DDR4-2800工作在1400Mhz，一般主板会直接显示DDR频率，而这个频率通常是AIDA64当中内存工作频率的2倍。

Primary Timing：第一时序，通常会打印成标签贴在内存颗粒上，就是你买内存看到的那四个参数，CL，tRP，tRCD，tRAS

本篇仅介绍第一时序，其他时序可以查阅更多有关内存资料，Ryzen平台上的ProcODT电阻值等可以查阅AMD官方光头哥的教程（B站av10451553）。

CAS Latency：CL、tCL值。发送给内存横竖行地址的数据开始延迟。通常这个值可以比下面两个值低1~2个周期。这也是最影响内存性能的一个时序参数，直接影响到内存的延迟，也就是说会影响游戏性能哦~·

RAS to CAS Delay：tRCD值，打开内存行和访问内存列的延迟周期。

Row Precharge：tRP值，RAS to CAS Delay的充电周期。通常和RAS to CAS delay设置的值一样。

RAS Active Time：tRAS值，内存颗粒激活与发出内存充电指令的周期。这个参数必须比前两个值加起来大。比如你的内存为16-16-16-36，那么最后这个值必须比16+16=32要大。通常情况下为了稳定性，还要再稍微加一些周期，比如设置在36。

以上四个值都可以在买内存的时候看到。这四个数值越低，内存的延迟也就越低，读取速度也越快，当然也可以手动设置探索一下内存的极限，不过要注意电压的调整。

Command Rate：CR值，命令行比率，能设置成1就设置成1，如果1无法开机就设置2，一般在Skylake以上平台尝试高频的时候都设置为2，性能影响还是比较大的。

第三时序有一个非常有意思的参数，tREFI值，这个值是内存的刷新周期，这个值越高，对于内存性能的提升是非常大的。默认值大概在1万左右（依内存不同而不同）。如果你设置为最大值65535，那么就相当于把内存往上提升了时钟周期，跑分党可以试试，会有惊喜哦。但是如果内存刷新周期太久了会容易丢数据，尤其是内存颗粒密度比较高的情况下（不过你倒是可以给内存加压哦，手动斜眼，AMD光头哥说过内存是按照3.5v的标准设计的，1.5v没什么问题）。

华硕华擎主板里面内存选项有一项MRC Fast Boot可以让电脑在启动的时候跳过内存检查，可以显著加快电脑启动速度，其他品牌的主板也有相应的设置。

AIDA64里面也可以看到XMP文档里面部分第二时序的设置，可以复制一些在对应的BIOS选项中，也可以自行摸索第二时序的规律。其中的tRC值需要等于RP+RAS，比如14-16-16-36的内存tRC值为16+36=52，其中第二时序tRRD对于内存影响也非常大，其中tFAW应当不小于四倍的tRRD周期。

图片来自AMD社区员工，图片当中对于参数的解释要比主板说明书当中的更准。点击阅读原文可以查看。

那么今天的小科普就到这里，下期我们来看看BIOS里面那些和电压相关的设置选项吧~

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