硬件单板类机考复习提纲
单板硬件开发
总结：元器件特性（电阻、电容、二极管、三极管、晶体、晶振、MOS、磁珠等）
示波器与探头选用
进制转换
I2C、SPI总线
逻辑电平
PCB布局布线
锁相环
信号质量问题产生根因（单调性、边沿过缓、毛刺、回沟、抖动等）
反馈电路
1.buck变换器中续流二极管的作用是（为电感放电续流）。
2.温度升高时，二极管的正向导通压降变化。
3.哪种电阻的电阻温度系数最大。
4.增强型和耗尽型MOSFET的主要区别。
5.增大门极驱动电阻带来的影响有哪些。
6.以太网报文使用哪种数据校验方法。
7.气体放电管、MOV压敏电阻、TSS管、TVS管，响应速度快慢排序。
8.关于线性系统稳定性的判定。
9.二次电源模块在测量安规间距是需要考虑什么。（走线、焊盘、本体）
10.哪些电平是差分输入输出的。
11.CPU主要组成部部分是。（运算器、控制器）
12.判断题：晶振的负载电容越大能力越强（✔️）
13.判断题：在开关电源中，MOS管比晶体管更有优势，主要体现在高频状态下。（✔️）
14.VOH.VIH.VT.VOL.VIL的大小关系。
15.在纯电容电路中，电流与电容两端的电压的相位差。
16.NMOS.PMOS的vgs导通电压正负、Ron大小关系。
17.判断题：异步复位电路不会产生亚稳态。（X）
18.共集放大电路的主要特点（输入电阻、输出电阻）。
19.功率晶体管的二次击穿现象表现为什么。
20.Buck电路中，能起到减小纹波作用的措施是。
21.阻抗匹配的计算公式（始端匹配、终端匹配）
22.MOSFET应用在缓启动和防反接时，影响效率的指标是。（Rdson）
23.直连两个寄存器之间路径时延包括哪些（输入时延、输出时延、连线时延）
24.Diode,晶闸管不属于全控型器件。
25.影响电容有效容值的因素有哪些（老化衰减、工作电压、容差、使用温度）
26.连接器的塑胶部分的主要功能是（绝缘、导向、固定簧片）
27.计数器的描述正确的是（关于同步置数、异步清零）
28.会影响信号时序的信号质量问题。
29.功率类电感的主要参数有哪些。
30.译码电路能实现的功能不包括。（分频电路）
31.电容ESR的重要性或影响有哪些。
32.哪些电容器是有极性的，在应用时绝不能反接。
33.电压型驱动的器件有哪些（三极管、晶闸管）。
34.集成运放在作放大电路使用时，电压增益主要取决于。（反馈网络电阻）
35.光功率单位mw和dbm的关系。
36.电容器的等效电路图。
37.适合小电压大电流整流的二极管。
38.有效提高电感感量的措施。
39.晶振负载能力通常用什么表征。（CL）
40.电感的饱和特性通常用（饱和电流）描述。
41.单稳态触发器的工作过程是（稳态-暂态-稳态）。
42.三极管各组态放大电路的特点。
43.P型硅、三价掺杂剂，（空穴）是多数载流子。
44.DRAM相对于SRAM有点有哪些。
45.晶振负载电容大小与驱动能力的关系。
46.在RLC并联谐振电路中，R越小，其影响是（总电流增大）。
47.共模抑制比越大表明电路（抑制温漂能力越大）。
48.保护接地导体的绝缘颜色。（黄绿相间）
49.温度升高时，MOSFET导通电阻的变化。
50.负反馈电路的核心是（电压误差放大器）。
51.可用译码器实现的有（数据分配器）。
52.对于RC定时电路，应选取（容量稳定性好的电容）。
53.EMC包括（EMS.EMI）。
54.tSU建立时间的特点（tsu和时钟到触发器的走线延迟有关）
55.MOS管的RDson和直流损耗的描述正确的是。
56.PCB要想实现较高通流，布线应选择（外层）；要想实现高耐压，布线应选择（内层）。
57.稳压二极管的用法（电压基准、过压保护）。
58.信号测试有回沟，可能原因（走线拓扑不好、未在末端测、信号经过连接器多）。
59.锁相环的正确描述（锁相环组成及各组成的特性、锁相环的功能）。
60.抖动产生的原因。
61.多数时序问题主要是（建立-保持时间问题）
62.线性系统稳定性的判定。
63.电阻的温度系数最大的是（厚膜电阻）。
64.增大门极驱动电阻，带来的影响有（开关管的损耗增加）。
65.PROM的中文特性。
66.哪类信号属于敏感信号易被干扰，需走差分线（电流检测信号）。
67.晶振与晶体的区别。
68.绝缘栅双极性晶体管是（IGBT）。
69.信号符号速率与信息速率的关系。
70.磁珠的作用（EMI滤波）。
71.三态门出门电路不支持的状态（低阻态）。
72.非固体铝电容存在寿命问题主要原因（电解液挥发）。
73.防护电路中一般用满熔保险丝。
74.电感饱和指电抗减小。
75.晶体的初始频率偏差的英文。
76.判断题：有中断请求出现，CPU立即停止指令执行，转而去受理中断请求。（X）
77.会影响液体铝电解电容寿命的因素（应用环境温度、纹波电流大小）。
78.GPIO的外部上拉电源要求（电压＜内部电压域、晚于内部电压域上电）。
79.网口变压器的功能（阻抗匹配、改善EMI特性、隔离、信号耦合）。
80.PCB互连线的损耗与下面哪些因素有关（线长、频率、环境温度、介电常数）。
81.二极管的特性描述（单脉冲的瞬时结晶超标不会导致二极管烧毁是错误的X）
82.判断题：TSS管的失效模式主要是开路（X）。
83.普通CMOS器件电源、GND和I/O上电顺序为GND-I/O-VCC（X）。
84.二极管的饱和压降的温度系数是负的。
85.肖特基管与快恢复管相比，耐压低，正向压降小。
86.计数器是用来实现累计（电路输入CP脉冲）个数功能的时序功能。
87.如何提升轻载状态下Buck电路的效率（变同步整流为二极管整流）。
88.判断题：双重绝缘和加强绝缘从绝缘性能的要求和效果上是一样的（X）。
89.判断题：数字器件的负载越重，其沿越缓。（✔️）
90.减小开关驱动管的损耗的主要途径（电抗减小）。
91.RGMII接口工作在100Mbps速率时，接口的时钟频率是（25MHz）。
92.压控振荡器的指标（最大频偏、线性度、控制灵敏度）。
93.判断题：金属膜电阻精度较高，使用在要求较高的设备上。（X）
94.机械应力敏感器件：陶瓷电容、磁珠、BGA。
95.判断题：带状线的典型传输速度为1.8ns/inch。（X）
96.BUCK电路的电感选型，电感越大，纹波越小。
97.电容和电感的谐振点：在谐振点处，阻抗值分别达到最小和最大。
98.捕捉毛刺使用（Glitch）触发方式进行触发。
99.器件选型优先考虑技术规格。
100.判断题：理想运算放大器的输入阻抗为零，输出阻抗也为零。（X）
101.同为100M速率的半双工端口和全双工端口互联，可以link，流量较大会丢包。
102.常用数字万用表的A/D转换器类型是双积分型ADC。
103.I2C总线START信号电平变化特点。
104.判断题：终端匹配传输线的波形在整条线上都是以一半强度传输的。（X）
105.判断题：在传输线终端与地之间加一电容可以消除反射。（X）
1、 DRAM存储器的中文含义
2、 陶瓷电容的温度特性和容量变化（例如X7R：-55℃~+125℃范围内，容量变化不超过±15%）
3、 几种电容容量范围大小（超级电容、钽电容、陶瓷电容、铝电容）
4、 示波器探头的选用
5、 焊盘设计中对各种因素的考虑顺序（电气性能，可靠性，可制造性，可维修性）
6、 功率晶体管低导通损耗时处于的状态（饱和状态、放大状态、截止状态）
7、 光耦隔离驱动器的优点
8、 GPIO的配置要求
9、 变压器饱和特性的评估条件（伏秒积）
10、工作频率最高的滤波器
11、晶振的负载电容与驱动能力关系
12、示波器配合不同带宽探头使用，能达到的综合带宽。（放大器的采样频率特性）
13、电容的特性
14、线性系统的稳定性条件。
15、器件规格选用要求
16、锁相环
17、开关电源变压器的损耗类型
18、变压器的特性
19、功率晶体管的二次击穿现象
20、进制转换
21、I2C总线
22、电容容值稳定性排序（X7R\NPO\X5R\Y5V）
23、NMOS/PMOS的特性
24、逻辑电平
25、PCB布局布线要求
26、高速数字电路常用的匹配方式
27、通信协议层
28、逻辑电平接口的特性（CMOS、TTL、ECL、PECL）
29、信号边沿单调性的影响
30、TVS管、压敏电阻、气体放电管
31、磁珠的特性
32、PCB上互连线的损耗的影响因素
33、焊盘设计的主要内容
34、电平转换芯片
35、传输线的反射系数
36、路径延时最小时钟周期
37、保持时间TH的含义
38、电阻温度系数排序
39、电阻体阻值的读法
40、提高开关电源频率，电源功率/效率与体积的关系
41、LLC拓扑降压实现原理，LLC拓扑的优势
42、同容值电容，封装大小与谐振点频率关系
43、普通无桥PFC的EMC恶化原因
44、高速测试方法
45、RLC并联谐振电路
46、同步计数器与异步计数器的区别
47、ACF专利、ACF正反激变换器的特点
48、温度降低时，电解电容的变化
49、芯片封装形式
50、CCM模式特点、CCM模式的拓扑
51、RS232C总线最大传输距离
52、肖特基管/快恢复管常作为开关电源的什么部分
53、BOT面器件高度要求
54、开关电源变压器的初级漏感测量方法
55、解决桥式拓扑变压器偏磁的控制方法
56、不同类型电平的转换方式
57、抑制磁场耦合的方法
58、电磁场的特点
59、电阻降额需考虑因素
60、BUCK电源输出质量影响因素
61、毛刺产生原因
62、UFS2.0/UFS3.0/SOC接口设计
63、提升BUCK电路效率方式
64、Fly Back拓扑结构的特点
65、高压熔断器
66、背板连接器接触设计的接触顺序（先导向、再地针、最后信号针）
67、基本对称半桥容易产生偏磁的原因
68、肖特基二极管的特点
69、不对称半桥稳态CCM模式输入输出电压的关系
70、温度升高时，MOSFET导通电阻的变化
71、稳态CCM模式下4相BUCK输入输出关系
72、总线的拓扑结构
73、终端匹配传输线的特征
74、LPDDR结构的组成和特点
75、磁芯的PCB布局和特点
76、差分电平（lvpecl、RS-422/485、cml）
77、PCB加工的特殊工艺类型
78、信号上升下降沿过缓的原因
79、总线的基本功能
80、扭环计数器和缓环形计数器
81、信号反射的原因
82、硬盘可靠性的影响因素
83、电容和电感的谐振点
84、以太网
85、磁珠的特性与作用
86、改善系统精度的措施
87、LDO及线性稳压电路的功耗计算
88、晶振负载能力CL
89、串联电流负反馈设计
90、信号质量问题
91、三极管参数、三极管各组态放大电路特点
92、传输线（同轴电缆、PCB传输线等）
93、绝缘栅双极性晶体管
94、纯组合逻辑实现
95、钽电容
96、电阻降额影响因素
97、抖动产生原因、回沟产生原因
98、锁相环的组成及特点（模拟锁相环/数字锁相环）
99、BUCK电路
100、有源探头、无源探头
101、晶振与晶体区别
102、电感饱和
103、温度升高时，二极管的正向导通压降变化
104、CPU中断
105、敏感信号走差分线（电流检测信号）
106、cache特性
107、开关管的特性
108、保险丝的熔断特性
109、PTC热敏电阻
110、网口变压器功能
111、二极管特性
112、TVS和TSS管的异同点
113、一步清零