Nand Flash调试日志（3）——Nand Flash接口定义

 

        NAND Flash 的接口是高度复用的，其所有的命令、地址和数据的传输都是通过 8 位 I/O 口实现。而芯片内部识别 IO 口信号数据的类别是根据控制信号 ALE、CLE 等来判定的。这样做的明显优势是减少了面积的消耗，还可以降低电磁干扰，并且少量的接口可以使得电路的变化更加清晰明了。NAND Flash 控制信号对应芯片的状态如表所示，通过不同的控制线来发送不同的时序，从而实现芯片对数据的读取和写入等操作。

状态	E#	CLE	ALE	W#	R#	DQ	WP#
待命	H	/	/	/	/	/	0V/VCCQ2
空闲	L	/	/	H	H	/	/
指令输入	L	H	L	Rising	H	input	H
地址输入	L	L	H	Rising	H	input	H
数据输入	L	L	L	Rising	H	input	H
数据输出	L	L	L	H	Failing	output	/
写保护	/	/	/	/	/	/	L

 

1. E#端口为片选，用于控制芯片工作状态。当状态置高时，芯片处于 standby 状态，只有其处于低位时，芯片才正常工作。
2. CLE 端口用于配合命令输入，当输入命令时其状态置高，当不输入命令时，CLE 端口拉低。
3. ALE 端口用于配合地址输入，当输入地址时其状态置高，当不输入命令时，ALE 端口拉低。
4. W#端口用于配合地址与命令输入，WE#产生一个上升沿时会输入一组DQ 上的数据，不使用时置高。
5. R#端口用于配合数据的输出，RE#产生一个下降沿时会根据所处模式输出一组（异步）或两组（同步）数据。
6. DQ 为 inout 端口，用作命令地址输入和数据输出通道，可被内部寄存器驱动输出数据，也可以被外部端口赋予特定电平来完成命令和地址的输入。
7. WP#为写入保护端口，当其赋低电平或 VCCQ2 时，芯片无法进行写入等基本操作。