一文看懂 NAND、DDR、LPDDR、eMMC、UFS、eMCP、uMCP 存储器的区别

一文看懂 NAND、DDR、LPDDR、eMMC、UFS、eMCP、uMCP 存储器的区别

  • 1. NAND
  • 2. DDR、LPDDR
    • DDR和LPDDR的区别?
  • 3. eMMC、UFS
  • 4. eMCP、uMCP
  • 综上所述简单总结一下:

Reference:

  1. 一文看懂 NAND、DDR、LPDDR、eMMC、UFS、eMCP、uMCP 存储器的区别

存储领域发展至今,已有很多不同种类的存储器产品。下面给大家介绍几款常见的存储器及其应用:

1. NAND

NAND Flash 存储器是 Flash 存储器的一种,属于非易失性存储器,其内部采用非线性宏单元模式,为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。NAND Flash 存储器具有容量较大,改写速度快等优点,适用于大量数据的存储,因而在业界得到了越来越广泛的应用,如闪存盘、固态硬盘、eMMC、UFS 等。

根据其不同的工艺技术,NAND 已经从最早的 SLC 一路发展到如今的 MLC、TLC、QLC 和 PLC。

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  • 按速度价格比排序:SLC>MLC>TLC>QLC>PLC
  • 按容量大小排序:PLC>QLC>TLC>MLC>SLC

目前主流的应用解决方案为 TLC 和 QLC。SLC 和 MLC 主要针对军工,企业级等应用,有着高速写入,低出错率,长耐久度特性。

除此,NAND Flash 根据对应不同的空间结构来看,可分为2D结构和3D结构两大类:
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下面是各大 NAND Flash 芯片生产厂商在 3D NAND Flash 产品的量产状况:
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2. DDR、LPDDR

DDR 全称 Double Data Rate(双倍速率同步动态随机存储器),严格的来讲,DDR 应该叫 DDR SDRAM,它是一种易失性存储器。虽然JEDEC于2018年宣布正式发布DDR5标准,但实际上最终的规范到2020年才完成,其目标是将内存带宽在DDR4基础上翻倍,速率3200MT/s起,最高可达6400MT/s,电压则从1.2V降至1.1V,功耗减少30%。

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LPDDR是在DDR的基础上多了LP(Low Power)前缀,全称是Low Power Double Data Rate SDRAM,简称“低功耗内存”,是DDR的一种,以低功耗和小体积著称。目前最新的标准LPDDR5被称为5G时代的标配,但目前市场上的主流依然是LPDDR3/4X。

DDR和LPDDR的区别?

应用领域不同。DDR 因其更高的数据速率、更低的能耗和更高的密度广泛应用于平板电脑、机顶盒、汽车电子、数字电视等各种智能产品中,尤其是在疫情期间,由于在家办公、网课和娱乐的增加,平板电脑、智能盒子的需求也逐步攀升,这对 DDR3、DDR4 的存储性能要求更高、更稳定。

而 LPDDR 拥有比同代 DDR 内存更低的功耗和更小的体积,该类型芯片主要应用于移动式电子产品等低功耗设备上。

LPDDR 和 DDR 之间的关系非常密切,简单来说,LPDDR 就是在 DDR 的基础上面演化而来的,LPDDR2 是在 DDR2 的基础上演化而来的,LPDDR3 则是在 DDR3的 基础上面演化而来的,以此类推。但是从第四代开始,两者之间有了差别或者说走上了不同的发展,主要因为 DDR 内存是通过提高核心频率从而提升性能,而 LPDDR 则是通过提高 Prefetch 预读取位数而提高使用体验。同时在商用方面,LPDDR4 首次先于 DDR4 登陆消费者市场。

3. eMMC、UFS

eMMC ( Embedded Multi Media Card) 采用统一的MMC标准接口, 把高密度 NAND Flash 以及 MMC Controller 封装在一颗 BGA 芯片中。针对 Flash 的特性,产品内部已经包含了 Flash 管理技术,包括错误探测和纠正,flash 平均擦写,坏块管理,掉电保护等技术。用户无需担心产品内部 flash 晶圆制程和工艺的变化。同时 eMMC 单颗芯片为主板内部节省更多的空间。
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简单地说,eMMC=Nand Flash+控制器+标准封装

eMMC具有以下优势:

  1. 简化类手机产品存储器的设计。
  2. 更新速度快。
  3. 加速产品研发效率。

UFS:全称Universal Flash Storage,我们可以将它视为eMMC的进阶版,同样是由多个闪存芯片、主控组成的阵列式存储模块。

UFS 弥补了 eMMC 仅支持半双工运行(读写必须分开执行)的缺陷,可以实现全双工运行,所以性能得到翻番。
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4. eMCP、uMCP

eMCP 是结合 eMMC 和 LPDDR 封装而成的智慧型手机记忆体标准,与传统的 MCP 相较之下,eMCP 因为有内建的 NAND Flash 控制芯片,可以减少主芯片运算的负担,并且管理更大容量的快闪记忆体。以外形设计来看,不论是 eMCP 或是 eMMC 内嵌式记忆体设计概念,都是为了让智慧型手机的外形厚度更薄,更省空间。

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uMCP 是结合了 UFS 和 LPDDR 封装而成的智慧型手机记忆体标准,与 eMCP 相比,国产的 uMCP 在性能上更为突出,提供了更高的性能和功率节省。
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eMMC 是将 NAND Flash 芯片和控制芯片都封装在一起,eMCP 则是 eMMC 和 LPDDR 封装在一起。对于手机厂商而言,在存储产业陷入缺货潮的关键时期,既要保证手机出货所需的 Mobile DRAM,又要保证 eMMC 货源,库存把控的难度相当大,所以 eMCP 自然成为大部分中低端手机首选方案。

uMCP 是顺应 UFS 发展的趋势,满足5G手机的需求。

高端智能型手机基于对性能的高要求,CPU 处理器需要与 DRAM 高频通讯,所以高端旗舰手机客户更青睐采用 CPU 和 LPDDR 进行 POP 封装,这样线路设计简单,可以减轻工程师设计 PCB 的难度,减少 CPU 与 DRAM 通讯信号的干扰,提高终端产品性能,随之生产难度增大,生产成本也会增加。

5G手机的发展将从高端机向低端机不断渗透,从而实现全面普及,同样是对大容量高性能提出更高的要求,uMCP 是顺应 eMMC 向 UFS 发展的趋势。

uMCP 结合 LPDDR 和 UFS,不仅具有高性能和大容量,同时比 PoP +分立式eMMC 或 UFS 的解决方案占用的空间减少了40%,减少存储芯片占用并实现了更灵活的系统设计,并实现智能手机设计的高密度、低功耗存储解决方案。

综上所述简单总结一下:

  • eMMC=Nand Flash+控制器(Controller)+标准封装
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  • UFS=eMMC的进阶版
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    • eMMC:半双工模式
    • UFS:全双工模式
  • eMCP=eMMC+LPDDR+标准封装
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  • uMCP=UFS+LPDDR+标准封装
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