电源拓扑中二极管、MOS管和电感电流有效值的计算

瞬时功率的定义为:P(t)=U(t)*I(t)

据此,每周期平均功率可以表示为:P=\frac{\int_{0}^{T}U(t)*I(t)dt}{T}

(T为周期)

对于二极管,导通压降是常数,所以每周期平均功率也可以表示为:P_{D}=U_{D}*\frac{\int_{0}^{T}I(t)dt}{T}\equiv U_{D}*I_{D.AVE}

I_{D.AVE}为二极管电流平均值。

对于MOS管,完全导通时内阻是常数,所以每周期平均功率也可以表示为:P_{SW}=R_{DS}*\frac{\int_{0}^{T}I(t)*I(t)dt}{T}\equiv R_{DS}*I_{SW.RMS}^{2}

I_{SW.RMS}为MOS管电流有效值。


一般情况,根据电流有效值的定义,有:I_{RMS}^{2}=\frac{\int_{0}^{T}I^{2}(t)dt}{T}

I_{RMS}为电流有效值。

电源拓扑中二极管、MOS管和电感电流有效值的计算_第1张图片

MOS管电流波形如上图。

导通时电流斜率为:k=\frac{I_{2}-I_{1}}{T_{ON}}

所以电流方程为: I(t)=kt+I_{1};(0\leqslant t\leqslant T_{ON})

                              I(t)=0;(T_{ON}< t< T)

T_{ON}阶段电流方程代入I_{RMS}^{2}=\frac{\int_{0}^{T}I^{2}(t)dt}{T},得:I_{RMS}^{2}*T=\int_{0}^{T_{ON}}(\frac{I_{2}-I_{1}}{T_{ON}}t+I_{1})^{2}dt

s=\frac{t}{T_{ON}},\Delta I=I_{2}-I_{1},得:I_{RMS}^{2}*T=T_{ON}*\int_{0}^{1}(s\Delta I+I_{1})^{2}ds

解出积分后:I_{RMS}^{2}*T=T_{ON}*(\frac{\Delta I^{2}}{3}+I_{1}^{2}+I_{1}\Delta I)

\Delta I=I_{2}-I_{1}代入上式得:I_{RMS}^{2}*T=\frac{T_{ON}}{3}*(I_{2}^{2}+I_{1}^{2}+I_{1}I_{2})

把T移到右边,并且D=\frac{T_{ON}}{T},所以I_{RMS}^{2}=\frac{D}{3}*(I_{2}^{2}+I_{1}^{2}+I_{1}I_{2})

因为电流纹波率r=\frac{I_{2}-I_{1}}{I_{L}},电感平均电流I_{L}=\frac{I_{2}+I_{1}}{2}

所以I_{RMS}可以变换为:I_{RMS}=I_{L}*\sqrt{D*(1+\frac{r^{2}}{12})}


电源拓扑中二极管、MOS管和电感电流有效值的计算_第2张图片

二极管电流波形如上图。

导通时电流斜率为:k=\frac{I_{1}-I_{2}}{T_{OFF}}

所以电流方程为:I(t)=kt+I_{2} ;(0\leqslant t\leqslant T_{OFF})

        ​​​​​​​        ​​​​​​​        ​​​​​​​    I(t)=0;(T_{OFF}< t< T)

T_{OFF }阶段电流方程代入I_{RMS}^{2}=\frac{\int_{0}^{T}I^{2}(t)dt}{T},得:I_{RMS}^{2}*T=\int_{0}^{T_{OFF}}(\frac{I_{1}-I_{2}}{T_{OFF}}t+I_{2})^{2}dt

s=\frac{t}{T_{OFF}},\Delta I=I_{1}-I_{2},得:I_{RMS}^{2}*T=T_{OFF}*\int_{0}^{1}(s\Delta I+I_{2})^{2}ds

 解出积分后:I_{RMS}^{2}*T=T_{OFF}*(\frac{\Delta I^{2}}{3}+I_{2}^{2}+I_{2}\Delta I)

\Delta I=I_{1}-I_{2}代入上式得:I_{RMS}^{2}*T=\frac{T_{OFF}}{3}*(I_{2}^{2}+I_{1}^{2}+I_{1}I_{2})

把T移动右边,并且D'=\frac{T_{OFF}}{T},所以I_{RMS}^{2}=\frac{D'}{3}*(I_{2}^{2}+I_{1}^{2}+I_{1}I_{2})

因为电流纹波率r=\frac{I_{2}-I_{1}}{I_{L}},电感平均电流I_{L}=\frac{I_{2}+I_{1}}{2}

所以I_{RMS}可以变换为:I_{RMS}=I_{L}*\sqrt{D'*(1+\frac{r^{2}}{12})}


 电源拓扑中二极管、MOS管和电感电流有效值的计算_第3张图片

电感电流波形如上图。

可以两段积分求和:I_{RMS}^{2}*T=\int_{0}^{T_{ON}}I(t)^{2}dt+\int_{T_{ON}}^{T_{OFF}}I(t)^{2}dt

因为电感电流有效值就是MOS管和二极管的电流有效值之和,所以也可以直接将两者相加即可:

I_{RMS}^{2}=\frac{1}{3}*(I_{2}^{2}+I_{1}^{2}+I_{1}I_{2})

同样的,可以变换为:I_{RMS}=I_{L}*\sqrt{(1+\frac{r^{2}}{12})}


上述公式适用于所有拓扑。

不同拓扑的电感电流平均值不同,需要注意。

BUCK拓扑:I_{L}=I_{O}

BOOST拓扑和BUCK_BOOST拓扑:I_{L}=\frac{I_{O}}{1-D}

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