【电子技术基础（精华版）】晶闸管的基础知识

前期我们了解了一些关于晶闸管的基础知识，为了更好地完善职教高考电子技术专业的需求，接下来我会更新【电子技术基础（精华版）】，从中可以让更多的职教高考生有效地复习。

由于本人是山东省的一位博主，所以考试说明也会根据山东省职教高考电子技术专业的考试说明来进行编写。

目录

一、考试说明

二、知识干货总结

1.晶闸管的定义

2.晶闸管的分类

3.晶闸管的特点

4.晶闸管的引脚识读

5. 晶闸管的扩散形成

6.晶闸管的简化结构图

 7.晶闸管的伏安特性

8.晶闸管的工作特点

9.用万用表检测晶闸管的管脚以及性能判断

10.晶闸管型号的识别

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一、考试说明

1.了解单向晶闸管的结构和主要参数，掌握其工作特性。

2.会使用万用表检测单向晶闸管。

二、知识干货总结

1.晶闸管的定义

一般地，具有PNPN四层三结结构的器件是晶闸管。严格来说，根据国际电工委员会（IEC）的标准定义，具有3个或者3个以上PN结，其伏安特性至少在一个象限内具有导通和阻断两个稳定状态，并可以在两个状态之间进行切换的电力半导体器件为晶闸管。又称为（可控硅）。

2.晶闸管的分类

晶闸管可以分为很多类型，比如内部存在反并联二极管的逆导型晶闸管（RC-Thyristor），电流可双向控制导通的双向晶闸管（TRI-AC），门极关断晶闸管（GTO）和门极换流晶闸管（GCT）等。

3.晶闸管的特点

晶闸管在通态时可以承受非常大的浪涌电流，而在阻态能承受非常高的电压，这两点的极限值在目前的所有器件中都是最高的，如果没有无法自关断这个严重的缺陷，那么晶闸管就是完美的电力半导体器件。这跟晶闸管的结构有密切关系。

4.晶闸管的引脚识读

晶闸管也是一个三端器件，按照现有的应用习惯，其三个端子定义为阳极（A，anode）、阴极（K，cathode）和门极（G，gate）。晶闸管的符号以及对应三个端子的定义如图所示。

5. 晶闸管的扩散形成

实际上一个典型的晶闸管的结构如图所示，一般从阳极到阴极的杂质半导体的性质为PNPN，因此存在3个PN结，从阳极到阴极依次为J1、J2和J3。此时，这3个结不再像晶体管那样有具体的名称。这3个PN结可以通过合金—扩散法或全扩散法形成，阳极、阴极和门极电极分别通过金属连接与对应的半导体层相连接。

6.晶闸管的简化结构图

为了分析方便，这里把上图所示的晶体管简化成如图所示的简化结构图，并认为各杂质半导体的掺杂浓度是均匀的，按照晶闸管在实际电路中的使用情况，图中还给出了用于晶闸管运行原理分析的外围电路，则流入晶闸管阳极的电流为IA，流出晶闸管阴极的电流为IK，流入晶闸管门极的电流为IG，晶闸管阳极到阴极之间的电压为UAK。

 7.晶闸管的伏安特性

如图所示：

①.控制极不加电压即IG=0，正向电压小于UBO（转折电压）时，晶闸管处于正向阻断状态（断态）

②.正向阳极电压达到正向转折电UBO时，晶闸管突然从正向阻断状态转为导通状态（通态）。

③.门极电流IG越大，晶闸管导通所需要的阳极电压越小。

④.晶闸管导通之后，特性和二极管的特性相仿，管压降在1V左右。

⑤当阳极电流减小到IH（维持电流）时，晶闸管由导通变为正向阻断状态。

⑥晶闸管加反向电压时，只有很小的反向漏电流。当反向电压升高到UBR（反向击穿电压）时，晶闸管反向击穿损坏。

【注意】晶闸管只能稳定工作在阻断与导通两个状态。

8.晶闸管的工作特点

①.晶闸管导通的条件是阳极和门极均加正极性电压。

②.晶闸管导通之后，门极便失去控制作用。

③.晶闸管关断的条件是：阳极加负极性电压或将阳极电压降低到一定程度，使晶闸管中的电流IA小于维持电流IH。

注意：

①晶闸管的导通是由于晶闸管内部存在强烈的正反馈过程。

②通过门极只能控制晶闸管的导通，而不能控制其关断，因此晶闸管被称为半控型器件。

9.用万用表检测晶闸管的管脚以及性能判断

①引脚的识别：

用万用表电阻挡的R×10挡，测其任意两个引脚间的正、反向电阻，直到找出读书为数十欧的一对引脚，黑表笔所接的一端为门极（G），红表笔所接的一端为阴极（K）。剩余的引脚则为阳极（A）。

②性能的判别：

（1）若G，K之间的正反向电阻=0，或G，A和A，K之间正反向电阻都很小（内部击穿短路）；

（2）若G，K之间的正反向电阻=∞（内部断路）

10.晶闸管型号的识别

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